上一期介紹了共源級(jí)放大電路的工作原理,本期利用這個(gè)理論知識(shí)看看如何設(shè)計(jì)一個(gè)共源級(jí)放大電路。
本期內(nèi)容
設(shè)計(jì)一個(gè)實(shí)際的共源級(jí)放大電路
1、要求
利用圖Fig. 1所示的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)一個(gè)放大倍數(shù)為5,輸入阻抗為50kohms,功耗不超過(guò)1.5mW的放大器。 晶圓片的參數(shù)為:u_n * C_ox = 100 uA/V^2,V_TH = 0.5V,忽略溝道長(zhǎng)度變化效應(yīng),該放大器的電源VDD=1.5V。
求解過(guò)程如下:
這樣,一個(gè)滿(mǎn)足所有要求的共源級(jí)放大器就設(shè)計(jì)好了,包括MOSFET溝道長(zhǎng)寬比,R_D、R1、R2的取值。 但是值得注意的是,可能這些數(shù)值并不是最優(yōu)解,而是理論推導(dǎo)的結(jié)果,實(shí)際電路中具體的值需要根據(jù)實(shí)際情況做調(diào)整,而且為了保證放大器的一致性,還需要考慮該放大器受溫度,工藝,輸入條件等參數(shù)的影響。 如果能做到對(duì)這些參數(shù)不敏感,那么這個(gè)放大器的實(shí)用價(jià)值就更好。
下一講將介紹如果通過(guò)在MOSFET的源級(jí)加一個(gè)合適的電阻來(lái)使放大器對(duì)溫度,工藝等參數(shù)的影響敏感性減弱。
評(píng)論