即使是未來(lái)更多代新的半導(dǎo)體研發(fā)成功，我們依然離不開(kāi)“古老”的第一代半導(dǎo)體。

在當(dāng)今這個(gè)時(shí)代，手機(jī)、電腦等電子產(chǎn)品變得越來(lái)越智能、越來(lái)越小巧、越來(lái)越不可或缺，已然成為了我們無(wú)法缺失的“電子器官”。

早在1945年，世界上第一臺(tái)通用電子計(jì)算機(jī)“ENIAC”剛剛誕生時(shí)，其體積還極為龐大：占地170平方米，相當(dāng)于兩個(gè)羽毛球場(chǎng)，重達(dá)27噸，相當(dāng)于三輛公交車(chē)。但如今，最輕便的筆記本電腦的重量已經(jīng)低于1千克了。?

與此類(lèi)似的是，20世紀(jì)80年代第一臺(tái)手機(jī)誕生時(shí)，一度被稱(chēng)為“大哥大”，不僅功能簡(jiǎn)單（僅能接打電話(huà)），而且外觀(guān)和重量都像一塊板磚，難以隨身攜帶。但我們?nèi)缃袷褂玫氖謾C(jī)僅有兩百克左右，且不僅能打電話(huà)，還能上網(wǎng)瀏覽視頻、玩游戲。

1973年摩托羅拉首次發(fā)布手持式移動(dòng)電話(huà)的場(chǎng)景重現(xiàn)，大家可以掏出自己的手機(jī)對(duì)比一下大小。

在過(guò)去數(shù)十年間，電子設(shè)備體積極大縮小，性能卻成百上千倍的增加，這都要?dú)w功于半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的快速發(fā)展。

近期，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院龍世兵教授課題組聯(lián)合中科院蘇州納米所加工平臺(tái)，分別采用氧氣氛圍退火和氮離子注入技術(shù)，首次研制出了氧化鎵垂直槽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管。從硅到氧化鎵，半導(dǎo)體材料是如何發(fā)展的？

什么是半導(dǎo)體？

我們身邊的材料可以根據(jù)導(dǎo)電性分為導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。金屬、石墨、人體等具有良好的導(dǎo)電能力，被稱(chēng)為導(dǎo)體。橡膠、塑料、干木頭等是不導(dǎo)電的，或者說(shuō)導(dǎo)電能力極差，屬于絕緣體。而導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的硅、鍺等材料，就是半導(dǎo)體。?

想要更深層次地了解半導(dǎo)體，就需要先了解一下能帶的概念（如下圖所示）。能帶是根據(jù)電子能量高低及狀態(tài)劃分的區(qū)域，通常包括導(dǎo)帶、禁帶、價(jià)帶三部分。電子在能帶中的位置越高，其能量就越大。就像一個(gè)物體離地面越高，其重力勢(shì)能就越大。

晶體硅的能帶及原子結(jié)構(gòu)示意圖（來(lái)源：作者繪制）

半導(dǎo)體內(nèi)部的價(jià)電子通常被共價(jià)鍵束縛，無(wú)法自由移動(dòng)，自然也就無(wú)法參與導(dǎo)電。所有價(jià)電子所處的能帶區(qū)域被稱(chēng)為價(jià)帶，價(jià)電子在受到熱、光、電、磁等方式的激發(fā)時(shí)，會(huì)吸收能量躍遷到更高的能級(jí)，成為能夠參與導(dǎo)電的自由電子，這個(gè)更高能級(jí)所處的能帶稱(chēng)之為導(dǎo)帶。導(dǎo)帶中自由電子數(shù)量越多，材料的導(dǎo)電能力就越強(qiáng)。導(dǎo)帶與價(jià)帶之間的范圍無(wú)法存在電子，被稱(chēng)為禁帶。價(jià)帶和導(dǎo)帶之間的距離就是這種材料的禁帶寬度，代表價(jià)電子從束縛狀態(tài)激發(fā)到自由狀態(tài)所需的最小能量。

禁帶寬度是區(qū)分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體的重要標(biāo)志。導(dǎo)體的禁帶寬度為0，電子可以輕易進(jìn)入導(dǎo)帶，成為自由電子，因此導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很強(qiáng)。而絕緣體的禁帶寬度很大，電子要躍遷到導(dǎo)帶需要很大的能量，只有極少的電子能越過(guò)禁帶，因此絕緣體的導(dǎo)電能力極差。而半導(dǎo)體的禁帶寬度較絕緣體小，電子越過(guò)禁帶需要的能量小，有更多的電子能夠越過(guò)禁帶，因此導(dǎo)電能力比絕緣體略強(qiáng)，但仍然遠(yuǎn)遜于導(dǎo)體。

三種材料的能帶圖（來(lái)源：作者繪制）

Si3N4的禁帶寬度為8eV（電子伏特），Al2O3的禁帶寬度為10.6eV，它們是絕緣體。而鍺、硅、砷化鎵、氮化鎵以及氧化鎵的禁帶寬度分別為0.67eV、1.12 eV、1.43eV、3.4eV和4.8eV左右，它們都是半導(dǎo)體。（注：電子伏特是能量單位。代表一個(gè)電子經(jīng)過(guò)1V的電位差加速后所獲得的動(dòng)能。1 eV = 1.6×10-19C·V=1.6×10-19 J）?

從三種材料的能帶圖來(lái)看，半導(dǎo)體和絕緣體的能帶是類(lèi)似的，而與導(dǎo)體的能帶圖相差較大。其實(shí)并沒(méi)有一個(gè)明確的禁帶寬度大小來(lái)區(qū)分半導(dǎo)體與絕緣體，并且隨著半導(dǎo)體材料的不斷發(fā)展，半導(dǎo)體的禁帶寬度越來(lái)越大，寬禁帶、超寬禁帶半導(dǎo)體的禁帶寬度，已經(jīng)越來(lái)越接近，乃至超越了一些絕緣體。如作為絕緣體的SiO2禁帶寬度僅有4.6eV，而作為超寬禁帶半導(dǎo)體的金剛石，禁帶寬度卻高達(dá)5.47 eV。

雖然半導(dǎo)體的禁帶寬度較小，絕緣體的禁帶寬度較大，但它們之間依然有重合的部分（如金剛石），所以?xún)H通過(guò)禁帶寬度無(wú)法準(zhǔn)確辨別半導(dǎo)體。不過(guò)半導(dǎo)體相較于絕緣體有另一個(gè)特征，那就是半導(dǎo)體材料中一旦摻入了雜質(zhì)原子（簡(jiǎn)稱(chēng)摻雜）后，就會(huì)對(duì)半導(dǎo)體材料的物理和化學(xué)性質(zhì)產(chǎn)生決定性的影響。如按十萬(wàn)分之一的比例在硅中摻入磷原子，硅的導(dǎo)電性將提升一千倍。?

未摻雜硅與摻雜后硅的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)（來(lái)源：作者繪制）

且半導(dǎo)體在摻雜后，導(dǎo)電能力更容易受外加電場(chǎng)的控制，因此我們可以通過(guò)在半導(dǎo)體外施加不同的電壓，來(lái)控制其導(dǎo)電能力的強(qiáng)弱，從而實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體電子器件的導(dǎo)通和關(guān)斷。半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)可以看作二進(jìn)制中的“1”和“0”。因而通過(guò)使用更多的半導(dǎo)體器件就可以實(shí)現(xiàn)各種復(fù)雜的邏輯運(yùn)算和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，進(jìn)而制作出各種智能的電子產(chǎn)品。

禁帶越來(lái)越寬的半導(dǎo)體

為了滿(mǎn)足日益增加和多元的需求，半導(dǎo)體從以硅（Si）、鍺（Ge）為代表的第一代半導(dǎo)體，以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為代表的第二代半導(dǎo)體，逐漸發(fā)展到如今的以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體以及以氧化鎵（Ga2O3）、氮化鋁(AlN)、金剛石(C)為代表的第四代半導(dǎo)體。下表為四代半導(dǎo)體的代表材料以及對(duì)應(yīng)的禁帶寬度。

四代半導(dǎo)體材料及其禁帶寬度（來(lái)源：作者繪制）

從表中我們很容易發(fā)現(xiàn)，隨著半導(dǎo)體的不斷發(fā)展，其禁帶寬度是逐漸變大的。這是為什么呢？

我們已經(jīng)知道，半導(dǎo)體價(jià)帶中被束縛的價(jià)電子可以通過(guò)吸收外界（溫度、電場(chǎng)、輻射等）能量躍過(guò)禁帶到達(dá)導(dǎo)帶，從而形成可以參與導(dǎo)電的自由電子。那些用于星際探測(cè)，或在其他高壓、高頻、高溫等極端惡劣環(huán)境中工作的半導(dǎo)體元器件，就會(huì)因?yàn)閮?nèi)部大量的電子吸收足夠的能量而躍遷至導(dǎo)帶，使得半導(dǎo)體器件意外導(dǎo)通，從而失效。因此若是希望半導(dǎo)體在極端環(huán)境中也能使用，就必須采用禁帶寬度更大的材料。

寬禁帶、窄禁帶半導(dǎo)體受環(huán)境的影響不同（來(lái)源：作者繪制）

半導(dǎo)體禁帶寬度越來(lái)越大的另一個(gè)主要原因是：半導(dǎo)體禁帶寬度越大，用這種材料制備出的光電器件所發(fā)出的光或能夠探測(cè)的光的波長(zhǎng)就越短。隨著不同禁帶寬度半導(dǎo)體的發(fā)現(xiàn)，半導(dǎo)體光電器件的發(fā)光范圍和光探測(cè)范圍已經(jīng)從紅外延伸到紫外。

?半導(dǎo)體禁帶寬度與其對(duì)應(yīng)的發(fā)光/探測(cè)波長(zhǎng)（禁帶寬度Eg=hc/λ，其中h為普朗克常數(shù)，c為光速，λ為光的波長(zhǎng)）（來(lái)源：作者繪制）

四代半導(dǎo)體的發(fā)展現(xiàn)狀

1.第一代半導(dǎo)體材料代表：硅、鍺

硅、鍺材料早在20世紀(jì)50年代就被應(yīng)用于半導(dǎo)體領(lǐng)域，直到現(xiàn)在依然活躍，目前半導(dǎo)體器件和集成電路仍以硅晶體材料為主。據(jù)統(tǒng)計(jì)，用硅材料所制成的半導(dǎo)體產(chǎn)品占全球銷(xiāo)量的95%以上。以半導(dǎo)體硅為平臺(tái)，大規(guī)模集成電路在過(guò)去的幾十年里得到了長(zhǎng)足的發(fā)展，直接推動(dòng)了微型計(jì)算機(jī)的出現(xiàn)，進(jìn)而導(dǎo)致IT和信息行業(yè)在上個(gè)世紀(jì)末的蓬勃發(fā)展。

雖然世界上第一支晶體管的材料是鍺，且直到上個(gè)世紀(jì)60年代之前鍺在半導(dǎo)體中還占主要地位。但由于其禁帶寬度較小（僅0.67 eV），只能運(yùn)用在低壓、低頻、低功率電路中，并且容易受高溫和輻射的影響，因此早已逐漸被硅代替了。

2.第二代半導(dǎo)體材料代表：砷化鎵、磷化銦

與硅、鍺、硒等單質(zhì)半導(dǎo)體不同，砷化鎵和磷化銦屬于化合物半導(dǎo)體。由于它們的電子遷移率高（相同電壓下，電子移動(dòng)的速度更快），禁帶寬度比第一代大，因此主要被用來(lái)制作高頻、高速和大功率電子器件。同時(shí)砷化鎵、磷化銦還可以做成激光器，在光通信領(lǐng)域顯示出巨大的優(yōu)越性，是光通信系統(tǒng)中的關(guān)鍵器件。

但由于這些化合物半導(dǎo)體對(duì)環(huán)境危害較大，且依然屬于窄禁帶半導(dǎo)體，因此在高頻、高壓電子器件領(lǐng)域，正逐漸被第三代半導(dǎo)體所取代。

3.第三代半導(dǎo)體材料代表：氮化鎵、碳化硅

氮化鎵和碳化硅具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高電子遷移率及抗強(qiáng)輻射能力等優(yōu)異性能，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件。

以第一支藍(lán)光發(fā)光二極管（LED）的研制成功為標(biāo)志，氮化鎵材料在高效率藍(lán)紫發(fā)光二極管領(lǐng)域已取得大規(guī)模商業(yè)化。目前氮化鎵商業(yè)化正朝著紫外發(fā)光器件（如紫外光LED和激光器等）前進(jìn)，在射頻及電力電子領(lǐng)域也嶄露頭角。而碳化硅熱導(dǎo)率高，更適合高壓和高功率場(chǎng)景，目前已經(jīng)在新能源汽車(chē)以及高鐵中得到大規(guī)模的使用。

4.第四代半導(dǎo)體材料代表：氧化鎵

氧化鎵是一種超寬禁帶半導(dǎo)體，它的禁帶寬度大（4.8 eV）、臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)高（8MV/cm）、導(dǎo)通特性幾乎是碳化硅的10倍、材料生長(zhǎng)成本低于第三代半導(dǎo)體，在紫外光通信、高頻功率器件等領(lǐng)域得到了越來(lái)越多的關(guān)注和研究興趣。未來(lái)，氧化鎵極有可能成為高功率、大電壓應(yīng)用領(lǐng)域的主導(dǎo)者。

總結(jié)

半導(dǎo)體的發(fā)展過(guò)程中，人們的需求始終是第一驅(qū)動(dòng)力。人們對(duì)電腦和手機(jī)更高的性能以及便攜的追求，使得硅基集成電路的關(guān)鍵尺寸從微米級(jí)別縮小到現(xiàn)在的7nm、5nm甚至3nm、2nm。而人們對(duì)高壓、高頻、大功率、紫外發(fā)光和探測(cè)的需求，直接推動(dòng)了寬禁帶半導(dǎo)體和超寬禁帶的出現(xiàn)和發(fā)展。但由于不同半導(dǎo)體的物理化學(xué)性質(zhì)不同，它們都有著自己獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，新一代半導(dǎo)體的出現(xiàn)和發(fā)展，更多是對(duì)現(xiàn)有半導(dǎo)體領(lǐng)域在功能和性能上的拓展和完善，而非徹底的取代。所以即使是未來(lái)更多代新的半導(dǎo)體研發(fā)成功，我們依然離不開(kāi)“古老”的第一代半導(dǎo)體。

編輯：黃飛

?