女人荫蒂被添全过程13种图片,亚洲+欧美+在线,欧洲精品无码一区二区三区 ,在厨房拨开内裤进入毛片

電子發(fā)燒友App

硬聲App

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>碳化硅肖特基二極管B1D06065KS在PFC電路中的應(yīng)用有哪些?

碳化硅肖特基二極管B1D06065KS在PFC電路中的應(yīng)用有哪些?

收藏

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴

評(píng)論

查看更多

相關(guān)推薦

1200V/10A碳化硅肖特基二極管

Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結(jié)溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復(fù)電流?零正向恢復(fù)電壓?高頻工作?開(kāi)關(guān)特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49

600V碳化硅二極管SIC SBD選型

極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂(lè)技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料,SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場(chǎng)較大、熱導(dǎo)率較高的特點(diǎn),SiC
2019-10-24 14:25:15

650V/1200V碳化硅肖特基二極管如何選型

電壓或高溫條件的器件非常有利。高頻、高溫、高功率及惡劣環(huán)境下,仍具有更優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能以及更小的結(jié)溫和結(jié)溫波動(dòng)。  碳化硅二極管廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、功率因素校正(PFC電路、不間斷電源(UPS)、光伏
2020-09-24 16:22:14

B1D02065K兼容代替SCS302AH IDH02G65C5 650V基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管

Basic Semi代理商 B1D02065K是一款碳化硅肖特基二極管,與傳統(tǒng)的硅基器件相比,具有更優(yōu)越的性能,零開(kāi)關(guān)損耗,提高效率,降低解決方案成本,功率密度增加,實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)頻率,減少對(duì)散熱器
2021-11-09 16:36:57

二極管常見(jiàn)問(wèn)題15答。申請(qǐng)加精。絕對(duì)有用。

二極管PFC已有較多應(yīng)用。缺點(diǎn):正向?qū)▔航当容^大。還有一點(diǎn)與硅二極管不同的是其導(dǎo)通壓降隨溫度上升反而增大。早期的碳化硅二極管,還有可承受沖擊電流小,可靠性不高等缺點(diǎn)。但是目前已有很大
2012-07-15 15:28:24

開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢(shì)

MOSFET之所以有如此的大吸引力,在于與它們具有比硅器件更出眾的可靠性,持續(xù)使用內(nèi)部體二極管的連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)功率因數(shù)校正(PFC)設(shè)計(jì),例如圖騰功率因數(shù)校正器的硬開(kāi)關(guān)拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">中,碳化硅
2023-03-14 14:05:02

碳化硅(SiC)肖特基二極管的特點(diǎn)

一樣,可以制成結(jié)型器件、場(chǎng)效應(yīng)器件、和金屬與半導(dǎo)體接觸的肖特基二極管。  其優(yōu)點(diǎn)是:  (1)碳化硅單載流子器件漂移區(qū)薄,開(kāi)態(tài)電阻小。比硅器件小100-300倍。由于小的導(dǎo)通電阻,碳化硅功率器件
2019-01-11 13:42:03

碳化硅二極管選型表

反向恢復(fù)電流,其關(guān)斷過(guò)程很快,開(kāi)關(guān)損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度較高,可以制作出超過(guò)1000V的反向擊穿電壓。3kV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域,由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23

碳化硅肖特基二極管技術(shù)演進(jìn)解析

),P阱與N-形成的PiN會(huì)投入工作,減小浪涌時(shí)刻VF的增長(zhǎng),降低器件功耗,提升器件的抗浪涌能力。  圖(4)二極管正向與電流密度關(guān)系圖  基本半導(dǎo)體B1D系列碳化硅肖特基二極管均采用JBS結(jié)構(gòu)。  05
2023-02-28 16:55:45

碳化硅肖特基二極管的基本特征分析

,能夠有效降低產(chǎn)品成本、體積及重量。  碳化硅具有載流子飽和速度高和熱導(dǎo)率大的特點(diǎn),應(yīng)用開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)到1MHz,高頻應(yīng)用優(yōu)勢(shì)明顯,其中碳化硅肖特基二極管(SiC JBS)耐壓可以達(dá)到6000V以上
2023-02-28 16:34:16

碳化硅SiC MOSFET:低導(dǎo)通電阻和高可靠性的肖特基勢(shì)壘二極管

Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體(MOSFET),其將嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)排列成格子花紋(check-pattern embedded SBD),以降低導(dǎo)通電
2023-04-11 15:29:18

碳化硅半導(dǎo)體器件哪些?

200V,但是碳化硅肖特基二極管能擁有較短恢復(fù)時(shí)間實(shí)踐,同時(shí)正向電壓也減少,耐壓也大大超過(guò)200V,典型的電壓650V、1200V等,另外在反向恢復(fù)造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢(shì)。
2020-06-28 17:30:27

碳化硅混合分立器件 IGBT

650 V CoolSiC?混合分立器件,該器件包含一個(gè)50A TRENCHSTOP? 快速開(kāi)關(guān) IGBT 和一個(gè) CoolSiC 肖特基二極管,能夠提升性價(jià)比并帶來(lái)高可靠性。這種組合為硬開(kāi)關(guān)拓?fù)?/div>
2021-03-29 11:00:47

肖特基二極管不同封裝的功能有哪些?

的。肖特基二極管是屬于一種低功耗、超高速、反向恢復(fù)時(shí)間短的二極管,所以肖特基二極管的用途很多種,作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管通信電路作整流二極管、小信號(hào)檢波二極管等使用。一般
2021-07-09 11:45:01

肖特基二極管應(yīng)用的電路

肖特基二極管一種應(yīng)用電路,這是肖特基二極管步進(jìn)電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的應(yīng)用。利用肖特基二極管壓降小、恢復(fù)時(shí)間短的特點(diǎn),這樣大部分電流就流過(guò)外部的肖特基二極管,從而集成電路內(nèi)部的功耗就小了很多,提高了熱穩(wěn)定性能,也就提高了可靠性。?肖特基二極管規(guī)格書(shū)下載:
2021-04-12 17:25:17

肖特基二極管特點(diǎn)是什么?哪些常用型號(hào)?

1肖特基它是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、變頻器、驅(qū)動(dòng)器等電路,作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管使用,或在微波通信等電路作整流二極管、小信號(hào)檢波二極管
2021-06-30 16:48:53

肖特基二極管的優(yōu)勢(shì)哪些?

?肖特基二極管具有開(kāi)關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn),但其反向擊穿電壓比較低,大多不高于60V,*高僅約100V,以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開(kāi)關(guān)電源(SMPS)和功率因數(shù)校正(PFC電路功率開(kāi)關(guān)器件
2021-11-16 17:02:37

肖特基二極管的優(yōu)缺點(diǎn)哪些?

電路功率開(kāi)關(guān)器件的續(xù)流二極管、變壓器次級(jí)用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V~1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等,只有使用快速恢復(fù)外延二極管(FRED)和超
2021-09-09 15:19:01

肖特基二極管的應(yīng)用電路是怎樣的?

?肖特基二極管步進(jìn)電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的應(yīng)用,是典型的肖特基二極管一種應(yīng)用電路肖特基二極管電路,主要利用肖特基二極管壓降小、恢復(fù)時(shí)間短的特點(diǎn),這樣大部分電流就流過(guò)外部的肖特基二極管,從而
2021-03-15 14:44:01

肖特基二極管的目前趨勢(shì)

,大多數(shù)硅用于高達(dá)250V的電壓,而砷化鎵、碳化硅或硅鍺被用作阻斷200至1700V電壓的半導(dǎo)體材料。硅肖特基二極管具有大約0.4V的低閾值電壓,工作電流較低時(shí)甚至低于0.1V。這遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于電壓約為1
2017-04-19 16:33:24

Basic Semi代理商 B1D02065E 650V2A6.8nC 碳化硅肖特基二極管 附上同系列選型參數(shù)表

Basic Semi代理商 B1D02065E 是一款碳化硅肖特基二極管,與傳統(tǒng)的硅基器件相比,具有更優(yōu)越的性能,零開(kāi)關(guān)損耗,極低反向電流 ,無(wú)反向恢復(fù)電流 ,低電容電荷, 提高效率,降低解決方案
2021-10-27 15:00:42

SIC碳化硅二極管

SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11

STPSC4H065B代替品 B1D04065E 650V4A12nC 碳化硅肖特基二極管 新能源電動(dòng)汽車(chē)解決方案

小輕薄,小尺寸,大能量B1D04065E PD快充用碳化硅肖特基二極管。特性:?極低反向電流? 無(wú)反向恢復(fù)電流? 溫度無(wú)關(guān)開(kāi)關(guān)? VF上的正溫度系數(shù)? 卓越的浪涌電流能力? 低電容電荷優(yōu)勢(shì):?基本上
2021-11-06 09:26:20

Si與SiC肖特基二極管應(yīng)用對(duì)比優(yōu)勢(shì)

電阻率。  碳化硅肖特基二極管的兩種內(nèi)部結(jié)構(gòu)和電路符號(hào)如圖1所示,高摻雜N+陰極電極和低摻雜N-外延層之間插入了一個(gè)N型摻雜層。這一層叫作電場(chǎng)終止層,主要用器件阻斷狀態(tài)下承受電場(chǎng)。這使得外延層可以
2019-01-02 13:57:40

【好文分享】PFC旁路二極管的作用,不看不知道!

能對(duì)升壓二極管起保護(hù)作用。我的觀點(diǎn)是:1PFC續(xù)流二極管碳化硅的應(yīng)用.2:雷擊浪涌實(shí)驗(yàn)而需要加旁路二極管。具體原因我附件里面已經(jīng)描述了。
2021-01-28 14:10:17

了解功率二極管,這15個(gè)知識(shí)點(diǎn)你必須知道

二極管。目前常見(jiàn)的多為高壓的肖特基碳化硅二極管,其優(yōu)點(diǎn):反向恢復(fù)特性很好,媲美肖特基二極管。但是可以做高壓的二極管PFC已有較多應(yīng)用。缺點(diǎn):正向?qū)▔航当容^大。還有一點(diǎn)與硅二極管不同的是其導(dǎo)通壓降
2017-05-22 14:07:53

介紹二極管的反向恢復(fù)時(shí)間和碳化硅二極管

是1000V。FR106,FR107300ns快速恢復(fù)二極管FR101-FR105150nsSR260肖特基二極管 10ns左右反向恢復(fù)時(shí)間短,特別適用于高頻電路碳化硅二極管碳化硅是一種新材料,幾乎不
2023-02-15 14:24:47

關(guān)于功率二極管的一些疑問(wèn)大掃盲

最近比較熱門(mén)的碳化硅二極管是用碳化硅為原料的二極管。目前常見(jiàn)的多為高壓的肖特基碳化硅二極管,其優(yōu)點(diǎn):反向恢復(fù)特性很好,媲美肖特基二極管。但是可以做高壓的二極管PFC已有較多應(yīng)用。缺點(diǎn):正向?qū)▔?/div>
2014-04-26 13:42:10

關(guān)于功率二極管的一些問(wèn)題,你知道嗎?

:反向恢復(fù)特性很好,媲美肖特基二極管。但是可以做高壓的二極管PFC已有較多應(yīng)用。缺點(diǎn):正向?qū)▔航当容^大。還有一點(diǎn)與硅二極管不同的是其導(dǎo)通壓降隨溫度上升反而增大。早期的碳化硅二極管,還有可承受沖擊電流
2016-11-14 20:04:40

創(chuàng)能動(dòng)力推出碳化硅二極管ACD06PS065G

大功率適配器為了減小對(duì)電網(wǎng)的干擾,都會(huì)采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器,基本也離不開(kāi)碳化硅二極管,第三代半導(dǎo)體材料幾乎都是同時(shí)出現(xiàn),強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手避免短板。創(chuàng)能動(dòng)力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51

功率模塊的完整碳化硅性能怎么樣?

硅 IGBT 和二極管與多電平配置等新拓?fù)湎嘟Y(jié)合,可提供最佳的性價(jià)比。混合碳化硅結(jié)合了高速硅IGBT和碳化硅肖特基續(xù)流二極管,也是一個(gè)不錯(cuò)的選擇,與純硅解決方案相比,可將功率損耗降低多達(dá)50
2023-02-20 16:29:54

圖騰柱無(wú)橋PFC混合碳化硅分立器件的應(yīng)用

的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封,部分應(yīng)用可以替代傳統(tǒng)的IGBT (硅基IGBT與硅基快恢復(fù)二極管合封),使得IGBT的開(kāi)關(guān)損耗大幅降低。這款混合碳化硅分立器件的性能介于超結(jié)MOSFET
2023-02-28 16:48:24

基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管性能詳解

》 Gen3  02  電源效率對(duì)比  碳化硅肖特基二極管應(yīng)用在1500W電源的PFC電路(位置如下圖)。  測(cè)試條件:  輸入電壓 100V、220V  輸出電壓 48V 輸出電流30A  圖(3
2023-02-28 17:13:35

如何區(qū)分硅二極管和鍺二極管

)SiC器件可以減少功率器件的體積和電路損耗。4.3 碳化硅肖特基二極管的應(yīng)用SiC肖特基二極管可廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、功率因數(shù)校正(PFC電路、不間斷電源(UPS)、光伏逆變器等中高功率領(lǐng)域,可顯著降低
2023-02-07 15:59:32

揭開(kāi)肖特基二極管目前的發(fā)展趨勢(shì)

二極管都一樣。例如,大多數(shù)硅用于高達(dá)250V的電壓,而砷化鎵、碳化硅或硅鍺被用作阻斷200至1700V電壓的半導(dǎo)體材料。硅肖特基二極管具有大約0.4V的低閾值電壓,工作電流較低時(shí)甚至低于0.1V。這遠(yuǎn)遠(yuǎn)
2018-10-19 15:25:32

用于PFC碳化硅MOSFET介紹

碳化硅(SiC)等寬帶隙技術(shù)為功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員開(kāi)辟了一系列新的可能性。與現(xiàn)有的IGBT器件相比,SiC顯著降低了導(dǎo)通和關(guān)斷損耗,并改善了導(dǎo)通和二極管損耗。對(duì)其開(kāi)關(guān)特性的仔細(xì)分析表明,SiC
2023-02-22 16:34:53

被稱為第三代半導(dǎo)體材料的碳化硅有著哪些特點(diǎn)

,同時(shí)正向電壓也減少,耐壓也大大超過(guò)200V,典型的電壓650V、1200V等,另外在反向恢復(fù)造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢(shì)。開(kāi)關(guān)電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實(shí)現(xiàn)
2023-02-20 15:15:50

部分關(guān)于功率二極管相關(guān)知識(shí)

:反向恢復(fù)特性很好,媲美肖特基二極管。但是可以做高壓的二極管PFC已有較多應(yīng)用。缺點(diǎn):正向?qū)▔航当容^大。還有一點(diǎn)與 硅二極管不同的是其導(dǎo)通壓降隨溫度上升反而增大。早期的碳化硅二極管,還有可承受
2020-09-18 17:00:12

C3D03060F分立碳化硅肖特基二極管

C3D03060F為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更堅(jiān)固
2022-05-28 12:10:17

C3D03060A分立碳化硅肖特基二極管

C3D03060A為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更堅(jiān)固
2022-05-28 12:16:00

C3D04060E分立碳化硅肖特基二極管

C3D04060E為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更堅(jiān)固
2022-05-28 12:23:31

C3D04060F分立碳化硅肖特基二極管

C3D04060F為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更堅(jiān)固
2022-05-28 15:37:47

C3D04060A分立碳化硅肖特基二極管

C3D04060A為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更堅(jiān)固
2022-05-28 15:55:46

C3D06060G分立碳化硅肖特基二極管

C3D06060G為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更堅(jiān)固
2022-05-28 16:04:58

C3D06060F分立碳化硅肖特基二極管

C3D06060F為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更堅(jiān)固
2022-05-28 16:12:24

C3D06060A分立碳化硅肖特基二極管

C3D06060A為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更堅(jiān)固
2022-05-28 16:18:33

C3D08060G分立碳化硅肖特基二極管

C3D08060G為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更堅(jiān)固
2022-05-28 16:25:05

C3D08060A分立碳化硅肖特基二極管

C3D08060A為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更堅(jiān)固
2022-05-28 16:54:16

C3D10060A分立碳化硅肖特基二極管

C3D10060A為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更堅(jiān)固
2022-05-28 17:04:18

C3D16060D分立碳化硅肖特基二極管

C3D16060D為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更堅(jiān)固
2022-05-29 10:28:06

C3D20060D分立碳化硅肖特基二極管

C3D20060D為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管更堅(jiān)固
2022-05-29 10:32:40

C6D06065Q分立碳化硅肖特基二極管

C6D06065Q為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。描述具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢(shì)肖特基勢(shì)壘二極管,電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案更高的效率標(biāo)準(zhǔn),同時(shí)還達(dá)到更高的頻率和功率密度
2022-05-29 19:27:15

C6D06065G分立碳化硅肖特基二極管

C6D06065G為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢(shì)肖特基勢(shì)壘二極管,電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案
2022-05-29 19:36:12

C3D06065E分立碳化硅肖特基二極管

C3D06065E為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢(shì)肖特基勢(shì)壘二極管,電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案
2022-05-29 19:45:27

C3D06065A分立碳化硅肖特基二極管

C3D06065A為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二極管技術(shù)針對(duì)高性能電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化;包括服務(wù)器電源;電動(dòng)汽車(chē)充電系統(tǒng);儲(chǔ)能
2022-05-29 19:57:02

C6D06065E分立碳化硅肖特基二極管

C6D06065E為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二極管技術(shù)針對(duì)高性能電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化;包括服務(wù)器電源;電動(dòng)汽車(chē)充電系統(tǒng);儲(chǔ)能
2022-05-29 20:05:08

C6D06065A分立碳化硅肖特基二極管

C6D06065A為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二極管技術(shù)針對(duì)高性能電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化;包括服務(wù)器電源;電動(dòng)汽車(chē)充電系統(tǒng);儲(chǔ)能
2022-05-29 20:09:11

C3D06065I分立碳化硅肖特基二極管

C3D06065I為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二極管技術(shù)針對(duì)高性能電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化;包括服務(wù)器電源;電動(dòng)汽車(chē)充電系統(tǒng);儲(chǔ)能
2022-05-29 20:28:03

C4D02120E分立碳化硅肖特基二極管

C4D02120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-02 18:25:12

C4D02120A分立碳化硅肖特基二極管

C4D02120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-02 18:29:57

C4D05120E分立碳化硅肖特基二極管

C4D05120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-02 18:35:42

C4D05120A分立碳化硅肖特基二極管

C4D05120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-02 18:40:17

C4D08120E分立碳化硅肖特基二極管

C4D08120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-02 18:44:47

C4D08120A分立碳化硅肖特基二極管

C4D08120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-02 18:48:49

E4D10120A分立碳化硅肖特基二極管

E4D10120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-02 18:54:09

C4D10120H分立碳化硅肖特基二極管

C4D10120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 14:24:29

C4D10120E分立碳化硅肖特基二極管

C4D10120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 18:14:54

C4D10120D分立碳化硅肖特基二極管

C4D10120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 18:21:10

C4D10120A分立碳化硅肖特基二極管

C4D10120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 18:25:26

C4D15120H分立碳化硅肖特基二極管

C4D15120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 18:30:26

C4D15120D分立碳化硅肖特基二極管

C4D15120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 18:37:08

C4D15120A分立碳化硅肖特基二極管

C4D15120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 18:43:35

E4D20120A分立碳化硅肖特基二極管

E4D20120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 18:49:31

E4D20120D分立碳化硅肖特基二極管

E4D20120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 18:54:14

C4D20120H分立碳化硅肖特基二極管

C4D20120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 19:01:56

C4D20120D分立碳化硅肖特基二極管

C4D20120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 19:07:00

C4D20120A分立碳化硅肖特基二極管

C4D20120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 19:12:16

E4D20120G分立碳化硅肖特基二極管

E4D20120G是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 19:18:42

C4D30120H分立碳化硅肖特基二極管

C4D30120H是1200V 分立碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢(shì)肖特基勢(shì)壘二極管,電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案更高的效率標(biāo)準(zhǔn),同時(shí)還達(dá)到更高的頻率和功率密度
2022-06-03 19:29:09

C4D30120D分立碳化硅肖特基二極管

C4D30120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 19:34:40

C4D40120H分立碳化硅肖特基二極管

C4D40120H是1200V 分立碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢(shì)肖特基勢(shì)壘二極管,電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案更高的效率標(biāo)準(zhǔn),同時(shí)還達(dá)到更高的頻率和功率密度
2022-06-03 19:40:19

C4D40120D分立碳化硅肖特基二極管

C4D40120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢(shì)壘二極管
2022-06-03 19:46:36

CPW3-0600-S002B裸片碳化硅肖特基二極管

CPW3-0600-S002B是Wolfspeed的600 V 裸片碳化硅肖特基二極管 – 第 3 代。Wolfspeed 的第 3 代 600 V 碳化硅肖特基二極管系列。Wolfspeed 的第
2022-06-05 11:50:51

CPW3-0600-S003B裸片碳化硅肖特基二極管

CPW3-0600-S003B是Wolfspeed的600 V 裸片碳化硅肖特基二極管 – 第 3 代。Wolfspeed 的第 3 代 600 V 碳化硅肖特基二極管系列。Wolfspeed 的第
2022-06-05 16:59:38

CPW3-0600-S004B裸片碳化硅肖特基二極管

CPW3-0600-S004B是Wolfspeed的600 V 裸片碳化硅肖特基二極管 – 第 3 代。Wolfspeed 的第 3 代 600 V 碳化硅肖特基二極管系列。Wolfspeed 的第
2022-06-05 17:04:50

CPW2-0600-S006B裸片碳化硅肖特基二極管

CPW2-0600-S006B是Wolfspeed的600 V 裸片碳化硅肖特基二極管 – 第 3 代。Wolfspeed 的第 3 代 600 V 碳化硅肖特基二極管系列。Wolfspeed 的第
2022-06-05 17:13:08

CPW2-0600-S008B裸片碳化硅肖特基二極管

CPW2-0600-S008B是Wolfspeed的600 V 裸片碳化硅肖特基二極管 – 第 3 代。Wolfspeed 的第 3 代 600 V 碳化硅肖特基二極管系列。Wolfspeed 的第
2022-06-05 17:20:01

CPW2-0600-S010B裸片碳化硅肖特基二極管

CPW2-0600-S010B是Wolfspeed的600 V 裸片碳化硅肖特基二極管 – 第 3 代。Wolfspeed 的第 3 代 600 V 碳化硅肖特基二極管系列。Wolfspeed 的第
2022-06-05 17:26:29

CPW2-0650-S008B裸片碳化硅肖特基二極管

CPW2-0650-S008B是Wolfspeed的650 V 裸片碳化硅肖特基二極管 – 第 2 代。Wolfspeed 的第 3 代系列 650 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管具有
2022-06-07 17:37:39

CPW2-0650-S012B裸片碳化硅肖特基二極管

CPW2-0650-S012B是Wolfspeed的650 V 裸片碳化硅肖特基二極管 – 第 2 代。Wolfspeed 的第 3 代系列 650 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二極管具有
2022-06-07 18:08:01

碳化硅肖特基二極管B1D10065E TO-252-2

碳化硅肖特基二極管B1D10065E TO-252-2
2022-11-03 15:41:13

碳化硅肖特基二極管的優(yōu)點(diǎn)及應(yīng)用

碳化硅肖特基二極管(SiCSBD)是一種單極型器件,采用結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管結(jié)構(gòu)(JBS),因此相比于傳統(tǒng)的硅快恢復(fù)二極管(SiFRD),碳化硅肖特基二極管具有理想的反向恢復(fù)特性。可以有效降低反向漏電
2020-11-17 15:55:056028

SiC碳化硅二極管、SiC碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管常用規(guī)格介紹

SiC碳化硅二極管起步電壓為650V,電流6A到10A,主要用于UPS、快充、微逆、電源、電動(dòng)工具、消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品、工控。碳化硅二極管料號(hào)為:KN3D06065F(650V碳化硅二極管,電流6A,貼片
2023-02-21 10:12:241680

碳化硅肖特基二極管B1D06065KSPFC電路中的應(yīng)用

能力是硅的2~3倍。用碳化硅制成的肖特基二極管具有正溫度系數(shù)及反向恢復(fù)時(shí)間接近零的特點(diǎn),使得在PFC電路(功率因數(shù)校正)上的MOSFET開(kāi)通損耗減少,效率得到進(jìn)一步的提升。
2023-04-17 16:36:42384

碳化硅肖特基二極管的原理及應(yīng)用

碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件,具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應(yīng),即在金屬與半導(dǎo)體接觸處形成一個(gè)肖特基勢(shì)壘,使得半導(dǎo)體中的載流子向金屬一側(cè)偏移,形成整流效應(yīng)。
2023-06-07 17:10:34802

國(guó)芯思辰 | 碳化硅肖特基二極管B1D06065KSPFC電路中的應(yīng)用

國(guó)芯思辰,國(guó)產(chǎn)芯片替代
2023-04-13 10:09:38261

國(guó)芯思辰|基本半導(dǎo)體650V 20A碳化硅肖特基二極管B1D20065K替代IDH20G65C5應(yīng)用于PFC電路

替換為碳化硅肖特基二極管,可以減小損耗,減小了對(duì)周?chē)?b class="flag-6" style="color: red">電路的電磁干擾,提高電源的可靠性,滿足嚴(yán)格的電源能效認(rèn)證要求。  一般來(lái)說(shuō),我們都希望單相PFC
2022-07-25 13:47:17

已全部加載完成

主站蜘蛛池模板: 邮箱| 抚顺市| 华宁县| 前郭尔| 惠州市| 双流县| 柯坪县| 淮南市| 霸州市| 龙游县| 岑巩县| 嵊州市| 广州市| 福建省| 清水河县| 江津市| 繁峙县| 鲁甸县| 西丰县| 洛阳市| 靖州| 阳谷县| 高陵县| 磐安县| 西乡县| 扬中市| 广东省| 佛学| 通榆县| 长沙市| 阿克陶县| 南召县| 丹巴县| 从化市| 乐安县| 北海市| 石阡县| 健康| 廊坊市| 三亚市| 诸城市|