介紹了一種基于CPLD技術(shù)的MOSFET器件保護電路的設(shè)計與實現(xiàn)。該電路設(shè)計方案具有抗干擾能力強、響應(yīng)速度快和通用性好的優(yōu)點。通過試驗驗證了該方案的正確性和可行性。##在功率MOSFET保護電路輸入
2014-04-25 11:15:47
1939 MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。本文探討MOSFET用于開關(guān)電源的驅(qū)動電路。
2016-12-15 16:00:3417031 
在便攜式或備份應(yīng)用中是不起作用的，因為電池在充電時必須吸收電流，而在不充電時則須供應(yīng)電流。 另一種方法是使用圖1所示的MOSFET電路之一。 圖1：傳統(tǒng)的負載側(cè)反向保護 對于負載側(cè)電路而言，這種方法比使用二極管更好，因為電源(電
2023-02-01 10:12:12440 前幾期講的MOSFET的物理結(jié)構(gòu)、電學(xué)特性是我們研究MOSFET的基礎(chǔ)，只掌握這些在實際電路中是沒法用的，今天講的內(nèi)容才是我們在電路設(shè)計中所用到的，但是前幾期的內(nèi)容都是廢話嗎？當(dāng)然不是，只有知道了那些基礎(chǔ)，再看到電路模型的時候才不會感覺奇怪，才會把MOSFET的電路模型深入到自己的潛意識中。
2023-02-16 11:50:222608 
因為晶體管放大器之前已經(jīng)分析過MOSFET電路增益的計算，輸出電阻，輸入電阻的計算，還有頻率特性。 想要設(shè)計一個各項指標(biāo)滿足要求的放大電路，比較復(fù)雜。
2023-04-25 14:17:5314862 
【不懂就問】在單端反激電路中常見的一部分電路就是RCD組成的吸收電路，或者鉗位電路，與變壓器原邊并聯(lián)其目的是吸收MOSFET在關(guān)斷時，引起的突波，尖峰電壓電流到那時MOSFET是壓控器件，為什么在關(guān)斷時會引起尖峰電壓電流？怎么在三極管BJT的應(yīng)用中看不到類似吸收電路
2018-07-10 10:03:18
MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)
2021-02-25 06:05:27
請問以上電路三極管與MOSFET各用什么型號比較好？
2015-04-17 17:55:57
MOSFET驅(qū)動器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一種驅(qū)動器最適合您的應(yīng)用呢？
2021-11-08 06:11:40
MOSFET是指的什么？MOSFET的特性是什么？MOSFET有哪些應(yīng)用？
2021-07-09 07:45:34
求大神幫忙求MOSFET有源負載電路的輸出電壓
2014-07-24 12:46:54
MOSFET柵極電路常見的作用MOSFET常用的直接驅(qū)動方式
2021-03-29 07:29:27
`<font face="Verdana">MOSFET的AGC環(huán)路電路</font><br/>`
2009-09-11 00:52:55
0、小敘閑言最開始學(xué)習(xí)三極管的時候，很注重它的工作原理，后來到了實際應(yīng)用，就直接把三極管或MOSFET直接當(dāng)作一個開關(guān)器件使用。直到前這幾天，接觸到MOSFET組成的H橋驅(qū)動電路時，發(fā)現(xiàn)把它純當(dāng)作一
2021-08-31 06:49:35
從而使元器件數(shù)量更少、電路規(guī)模更小。一般這類電路是由MOSFET或IGBT與二極管組合構(gòu)成的。與二極管組合的原因是為了抑制MOSFET和IGBT的內(nèi)部二極管trr間產(chǎn)生的換流損耗，通常需要2個外置快速
2018-11-28 14:27:08
`MOSFET管經(jīng)典驅(qū)動電路設(shè)計大全`
2012-08-06 12:23:46
`MOSFET管經(jīng)典驅(qū)動電路設(shè)計大全`
2012-08-17 15:47:18
電路設(shè)計如圖；問題：MOSFET測量柵極有開啟電壓+3.6V，漏極電壓+12V，但是源極電壓測量為+1V;分析：有可能是MOSFET壞了，除了這個可能性，不清楚是不是設(shè)計上有問題，希望大家?guī)兔Γ壳霸礃O沒有接負載，這對電路有沒有影響呢？
2019-09-11 14:32:13
MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計參考
2016-06-21 18:27:30
mosfet沒有上電時，mosfet驅(qū)動電壓很正常，mosfet上電后，mosfet的驅(qū)動電壓卻變成了這個樣子，請問這是為什么？
2019-03-05 09:53:17
電路應(yīng)運而生。LLC諧振變換器能夠在較寬的電源和負載波動范圍內(nèi)調(diào)節(jié)輸出，而開關(guān)頻率波動卻較小。在整個工作范圍內(nèi)，能夠獲得零電壓開關(guān)（ZVS）半橋LLC諧振變換器LLC電路MOSFET應(yīng)用不同于PFC
2019-09-17 09:05:04
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅(qū)動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
什么是MOSFET驅(qū)動器？MOSFET驅(qū)動器功耗包括哪些部分？如何計算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
上面原理圖是 用51單片機控制mosfet（NPN）開關(guān)的單相全波整流電路，整流橋采用的是IN4007二極管。焊接完畢后變壓器上電，mosfet始終處于導(dǎo)通狀態(tài)，無論單片機輸出什么信號，即便是把
2019-01-23 11:17:05
在通孔板上建立電路數(shù)小時后，我發(fā)現(xiàn)使用P-MOSFET時Vgs并不容易。經(jīng)過搜索，我發(fā)現(xiàn)我需要使用N-MOSFET或BJT（NPN）將源極電壓帶到柵極，以便關(guān)斷MOSFET。對我來說非常重要的是，當(dāng)
2018-08-23 10:30:01
我想用單片機控制12v電路的通斷，電流大概為4.3A-4.6A，請問用什么型號的MOSFET比較好，能給出電路圖嗎？要求電路圖簡單，實惠
2015-04-06 22:58:47
剛做了一個驅(qū)動芯片驅(qū)動的mosfet電路，但是mosfet輸出波形占空比只能在20%以下和80%以上，這段區(qū)間之內(nèi)卻顯示方波上面高電平一直存在。請問這是什么原因引起的呢？圖1為mosfet大致的電路
2017-10-31 17:15:10
MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關(guān)電源的驅(qū)動電路。在
2019-02-21 06:30:00
一、功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃?b class="flag-6" style="color: red">電路1）等效電路：2）說明：功率 MOSFET 正向?qū)〞r可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅(qū)動電壓的大小有關(guān)，驅(qū)動電壓升高，該電阻
2021-08-29 18:34:54
功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃?b class="flag-6" style="color: red">電路（1）：等效電路（2）：說明功率 MOSFET 正向?qū)〞r可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅(qū)動電壓的大小有關(guān)，驅(qū)動電壓升高，該電阻
2021-09-05 07:00:00
分享功率MOSFET驅(qū)動保護電路方案大全，希望能幫助大家
2023-05-24 10:22:02
` 功率MOSFET具有開關(guān)速度快，導(dǎo)通電阻小等優(yōu)點，因此在開關(guān)電源，馬達控制等電子系統(tǒng)中的應(yīng)用越來越廣。通常在實際的設(shè)計過程中，電子工程師對其的驅(qū)動電路以及驅(qū)動電路的參數(shù)調(diào)整并不是十分關(guān)注
2011-09-27 11:25:34
[size=13.63636302948px]BUCK電路里面如果用MOSFET做開關(guān)管，TL494做脈沖寬度調(diào)制 (Pwm) 控制電路，請問怎么驅(qū)動MOSFET，，，加在柵極上的電壓好像要很高。。 求大神解答！
2014-11-15 16:35:11
也是不允許的。下面是我對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動以及應(yīng)用電路。1、MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是F...
2021-10-28 10:06:38
也是不允許的。下面是我對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動以及應(yīng)用電路。1、MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的...
2021-07-29 09:46:38
MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關(guān)電源的驅(qū)動電路。在
2017-01-09 18:00:06
怎么實現(xiàn)MOSFET的半橋驅(qū)動電路的設(shè)計？
2021-10-11 07:18:56
MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關(guān)電源的驅(qū)動電路。在
2021-10-28 06:56:14
摘要：針對橋式拓撲功率MOSFET因柵極驅(qū)動信號振蕩產(chǎn)生的橋臂直通問題，給出了計及各寄生參數(shù)的驅(qū)動電路等效模型，對柵極驅(qū)動信號振蕩的機理進行了深入研究，分析了驅(qū)動電路各參數(shù)與振蕩的關(guān)系，并以此為依據(jù)
2018-08-27 16:00:08
MOS管具有哪些特性？模塊電源中常用的MOSFET驅(qū)動電路有哪些？
2021-11-01 06:45:05
當(dāng)電源與其負載突然斷開時，電路寄生電感元件上的大電流擺動會產(chǎn)生巨大的尖峰電壓，對電路上的電子元件造成十分不利的影響。與電池保護應(yīng)用類似，此處MOSFET可以將輸入電源與其他電路隔離開來。但此時
2019-08-06 06:28:49
各位前輩，幫我看下這個MOSFET無法驅(qū)動，前面電平轉(zhuǎn)換電路輸出是正常的
2018-10-08 09:37:02
小弟是電子初學(xué)者，經(jīng)常在設(shè)計電路時MOSFET管出現(xiàn)損壞，請問造成MOSFET管損壞有哪些原因？
2019-02-19 10:15:25
這個MOSFET的脈沖變壓器驅(qū)動電路變壓器是不是有直流磁化的可能？
2015-04-19 20:20:21
嗨嘍，各位工程師們我們今天說點啥呢？無意間發(fā)現(xiàn)發(fā)現(xiàn)一塊集成MOSFET的Buck電源的Demo板，雖然電路很簡單，但是布局頗有教科書的意味。我們換個思考方向，看看是不是很容易去理解呢？廢話不說，切入正題！在電路設(shè)計的時候，這個2A~10A這個范圍內(nèi)的DCDC一般都采用這種電源解決方案。
2020-11-02 07:40:06
高速MOSFET柵極驅(qū)動電路的設(shè)計與應(yīng)用指南
2019-03-08 22:39:53
集成在控制器中。為了向 UCC28881 控制器提供足夠的電源電流，添加了耗盡型 MOSFET 電路作為低功率耗散電流源。該設(shè)計能夠提供 12V/50mA 輸出。
2009-10-09 15:50:45
0 功率MOSFET驅(qū)動電路分析:針對功率MOSFET的特點，介紹由多個—概管組成的組臺式驅(qū)動電路．在逆變焊接電源上做了實驗．驗證了該方法的合理性。關(guān)鍵詞：功率MOSFET，半橋式電路，
2010-04-12 08:36:5470
MOSFET的AGC環(huán)路電路圖
2006-01-01 05:41:211048 
MOSFET與MOSFET驅(qū)動電路原理及應(yīng)用
下面是我對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的
2009-12-29 10:41:099784 本內(nèi)容提供了兩種常見的MOSFET驅(qū)動電路
2011-09-23 10:03:5922187 
高壓MOSFET驅(qū)動器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅(qū)動一個高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。
2011-12-17 00:02:004947 
功率場效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點而得到廣泛的應(yīng)用；但它承受短時過載的能力較弱，使其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅(qū)動與保護電路的設(shè)計要求；計算了MOSFET驅(qū)動器的功
2012-03-05 15:56:44134 《mosfet的應(yīng)用_mosfet品牌-精華匯總》技術(shù)專題包括mosfet品牌、mosfet的應(yīng)用、mosfet基礎(chǔ)知識（含mosfet工作原理和mosfet參數(shù)）、mosfet驅(qū)動（含驅(qū)動電路
2012-08-10 14:30:46
功率場效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點而得到廣泛的應(yīng)用；但它承受短時過載的能力較弱，使其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅(qū)動與保護電路的設(shè)計要求；計算了MOSFET驅(qū)動器的功
2012-10-10 16:32:583880 
MOSFET管開關(guān)電路設(shè)計MOSFET管開關(guān)電路設(shè)計
2015-12-23 15:03:45204 MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計參考，感興趣的小伙伴們可以看看。
2016-07-29 18:08:19135 工程師面臨的最大挑戰(zhàn)之一是如何在不犧牲性能或功能的前提下簡化設(shè)計。對于LED照明，設(shè)計師們會很好地評估他們的LED驅(qū)動器選項非常密切。這些驅(qū)動程序集成了多個組件，包括MOSFET和電路保護裝置，以及其他功能，使設(shè)計更簡單。
2017-06-23 09:52:587 高壓MOSFET驅(qū)動器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅(qū)動一個高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。高壓MOSFET驅(qū)動器電路：
2017-10-19 16:02:3723 功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃?b class="flag-6" style="color: red">電路（1）：等效電路（2）：說明：功率 MOSFET 正向?qū)〞r可用一電阻等效
2018-07-21 09:20:407370 
MOSFET有三個極，柵極、源級和漏極，由MOSFET構(gòu)成的放大電路通常有三種，共源級放大電路，共柵極放大電路和共漏極放大電路。
2019-07-10 14:19:4910680 
2023-03-21 16:04:00792 
本文主要介紹了mosfet命名方法及MOSFET電路符號。
2020-08-12 10:28:4510911 MOSFET及其應(yīng)用優(yōu)勢，以幫助設(shè)計人員在許多工業(yè)應(yīng)用中選擇這些器件。 圖1 N溝道耗盡型功率MOSFET N溝道耗盡型功率MOSFET的電路符號在圖1中給出。端子標(biāo)記為G（柵極），S（源極）和D（漏極）。IXYS耗盡型功率MOSFET具有稱為垂直雙擴散MOSFET或DMOSFET的結(jié)構(gòu)，與市場上的其
2021-05-27 12:18:587444 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供MOSFET電路理論及實物測試知識資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-03-30 08:41:1822 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-03-31 08:41:5761 。該全橋開關(guān)電源輸出電壓為24V，運用PWM技術(shù)，采用了AC/DC DC/AC AC/DC變換方案。在設(shè)計中首先畫出主電路圖，主電路圖由整流電路、逆變電路組成。全橋電路的開關(guān)元件使用的是MOSFET。電路控制芯片采用TL494，驅(qū)動芯片采用IR2112。文中會說明其工作原
2021-04-27 09:19:2525 正式的產(chǎn)品設(shè)計也是不允許的。下面是我對MOSFET 及MOSFET 驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS 管的介紹，特性，驅(qū)動以及應(yīng)用電路。
2021-05-10 09:55:12184 MOSFET是電路中最基本的元器件，其憑借著開關(guān)速度快、導(dǎo)通電壓低、電壓驅(qū)動簡單等特點，被廣泛應(yīng)用在各個電子領(lǐng)域之中，其中不乏汽車電子領(lǐng)域方面。 眾所周知，汽車電子領(lǐng)域?qū)﹄娮赢a(chǎn)品和元件的把控都有
2021-08-16 18:25:524489 
MOSFET電路或集成負載開關(guān)便能完成這種功率切換，如圖1所示。
圖1：從電源切換到多個負載
分立MOSFET電路包含多個組件來控制分立功率MOSFET的導(dǎo)通與關(guān)
2021-11-10 09:40:23554 
NY9A008A是一款單片音頻放大器PWM驅(qū)動器CMOS集成電路。它由LSI high technology設(shè)計，具有低功耗、低成本工藝，可應(yīng)用于高壓場合。內(nèi)置功率PWM采用大功率MOSFET電路放大PWM音頻信號的驅(qū)動器
2022-06-16 14:54:310 設(shè)計注意事項。通常，人們對這個過程知之甚少，而且實現(xiàn)也不是最佳的。讓我們首先討論為前置驅(qū)動器/功率 MOSFET 電路選擇組件的簡單方法，以及由此產(chǎn)生的系統(tǒng)性能。 從電機規(guī)格開始 設(shè)計直流電機驅(qū)動器——無論是用于有刷電機還是三相無刷電機——電機特性將決定
2022-08-08 09:17:09235 
MOSFET門級電路的深入介紹。
2022-10-24 15:01:290 本文介紹了三個驅(qū)動MOSFET工作時的功率計算 以及通過實例進行計算 輔助MOSFET電路的驅(qū)動設(shè)計中電流的計算 不是mosfet導(dǎo)通電流 是mosfet柵極驅(qū)動電流計算和驅(qū)動功耗計算
2022-11-11 17:33:0335 功率器件如MOSFET、IGBT需要驅(qū)動電路的配合從而得以正常地工作。圖1顯示了一個驅(qū)動芯片驅(qū)動一個功率MOSFET的電路。當(dāng)M1開通，M2關(guān)掉的時候，電源VCC通過M1和Rg給Cgs，Cgd充電，從而使MOSFET開通，其充電簡化電路見圖2。
2022-12-06 13:55:261459 下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用SiC MOSFET時最簡單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊（HS）和低邊（LS）是交替導(dǎo)通的，為了防止HS和LS同時導(dǎo)通，設(shè)置了兩個SiC MOSFET均為OFF的死區(qū)時間。右下方的波形表示其門極信號（VG）時序。
2023-02-27 13:41:58737 
碳化硅 MOSFET 驅(qū)動電路保護 SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶器件之一，可以在多個應(yīng)用場合替換 Si MOSFET、IGBT，發(fā)揮其高頻特性，實現(xiàn)電力設(shè)備高功率密度。然而被應(yīng)用于橋式電路
2023-02-27 14:43:028 在本文中，我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動電路，該電路可用于制造電機、逆變器和許多不同的功率轉(zhuǎn)換器的高效驅(qū)動電路。
2023-04-29 09:35:005293 
下面介紹了如何在48V MHEV中使用標(biāo)準(zhǔn)硅降壓轉(zhuǎn)換器MOSFET電路。這個48V的電池系統(tǒng)能夠承受高輸入電壓的負載突降瞬變，同時以低電磁干擾 (EMI)、低占空比和高效率運行。
2023-05-16 10:10:07417 
MOSFET電路不可不知MOSFET已成為最常用的三端器件，給電子電路界帶來了一場革命。沒有MOSFET，現(xiàn)在集成電路的設(shè)計似乎是不可能的。它們非常小，制造過程非常簡單。由于MOSFET的特性，模擬
2022-05-10 16:35:25802 
MOSFET已成為最常用的三端器件，給電子電路界帶來了一場革命。沒有MOSFET，現(xiàn)在集成電路的設(shè)計似乎是不可能的。它們非常小，制造過程非常簡單。由于MOSFET的特性，模擬電路和數(shù)字電路都成功地
2023-05-09 09:46:23674 在設(shè)計基于 MOSFET 的電路時，您可能想知道打開 MOSFET
的正確方法是什么？或者簡單地說，應(yīng)該在器件的柵極/源極上施加什么最小電壓才能完美地打開？
2023-06-28 18:09:331239 
MOSFET是電路中非常常見的元件，常用于信號開關(guān)、功率開關(guān)、電平轉(zhuǎn)換等各種用途。由于MOSFET的型號眾多，應(yīng)用面廣，本文將詳細介紹MOSFET選型原則以及mosfet選型要考慮的因素。
2023-07-20 16:33:44734 mos管源極和漏極的區(qū)別? MOSFET，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，是一種晶體管，其目的是通過改變其柵極和源極端子之間的電勢差來控制電子電路內(nèi)的電流流動。MOSFET在電子領(lǐng)域很受歡迎，因為
2023-08-25 14:49:583045 為什么buck電路中開關(guān)器多用mosfet而不用bjt？? Buck電路是一種常見的DC-DC轉(zhuǎn)換電路，可實現(xiàn)輸入電壓向輸出電壓的降壓轉(zhuǎn)換。在Buck電路中，開關(guān)器是其中最重要的組件之一，它決定
2023-09-12 15:26:31686 與BJT放大電路相比MOSFET偏置電路有什么特點？? BJT放大電路和MOSFET偏置電路都是常見的放大電路，它們在電子元器件中具有很重要的地位。兩者之間存在很多的共同點和差異點，本文將重點比較
2023-09-13 14:45:12870 其優(yōu)點和缺點，并對其性能進行分析。 一、共源共柵Cascode 共源共柵Cascode電路是一個雙級放大電路，由一個源連雙極晶體管（MOSFET）和一個柵連MOSFET組成。該電路可以提高放大電路的增益和線性度，減小MOSFET對電路帶來的影響和節(jié)省電源。共源共柵Cascode架構(gòu)的優(yōu)點有以下幾個：
2023-09-18 15:08:104048 MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121369 MOSFET柵極電路常見的作用有哪些？MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？ MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種非常重要的電子器件，廣泛應(yīng)用于各種電子電路中。MOSFET的柵極電路
2023-11-29 17:46:40571 SIC MOSFET對驅(qū)動電路的基本要求? SIC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種新興的功率半導(dǎo)體器件，具有良好的電氣特性和高溫性能，因此被廣泛應(yīng)用于各種驅(qū)動電路中。SIC
2023-12-21 11:15:49417 SIC MOSFET在電路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅場效應(yīng)晶體管）是一種新型的功率晶體管，具有較高的開關(guān)速度和功率密度，廣泛應(yīng)用于多種電路中。 首先，讓我們簡要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:13687 漏極外接二極管（Drain-Source Diode，簡稱D-S二極管）在MOSFET電路中起到了重要的作用，本文將介紹MOSFET源極和漏極之間的區(qū)別。 首先，讓我們一起了解一下MOSFET
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