IGBT驅(qū)動(dòng)光耦HCPL-316J的特性
2012-05-23 12:05:18
2718 IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度快的特點(diǎn)（控制和響應(yīng)），又有雙極型器件飽和
2022-07-08 16:50:214084 絕緣柵雙極晶體管(IGBT)結(jié)合了GTR和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)，具有良好的特性。IGBT也是三端器件，具有柵極G、集電極C和發(fā)射極E。
2022-10-28 16:12:429922 
IGBT的靜態(tài)特性其實(shí)并非難以理解的東西,即便是對于外行人而言。
2023-11-27 14:16:53534 
IGBT在二極管鉗位感性負(fù)載條件下的電路如圖1所示，該電路為IGBT常用電路，可作為IGBT開關(guān)特性的測試電路，評估IGBT的開通及關(guān)斷行為。
2024-03-15 10:25:51194 
對IGBT的開通特性、負(fù)載短路能力和dVcE/dt電流有較大影響，而門極負(fù)偏壓則對關(guān)斷特性的影響比較大。在門極電路的設(shè)計(jì)中，還要注意開通特性、負(fù)載短路能力和由dVcE/dt 電流引起的誤觸發(fā)等
2012-07-25 09:49:08
，暫時(shí)不用考慮，重點(diǎn)考慮動(dòng)態(tài)特性（開關(guān)特性）。 動(dòng)態(tài)特性的簡易過程可從下面的表格和圖形中獲取： IGBT的開通過程 IGBT 在開通過程中，分為幾段時(shí)間 1.與MOSFET類似的開通過程，也是
2011-08-17 09:26:02
90kW變頻器，當(dāng)電流達(dá)到110A以上時(shí)，IGBT在關(guān)斷的時(shí)候，出現(xiàn)這個(gè)波形，請問是怎么回事？在110A以下就不出現(xiàn)。這是IGBT Vce的電壓波形，當(dāng)關(guān)斷的時(shí)候還要再開通一下，這樣不就很容易上下橋直通了嗎？這是怎么回事呢？是米勒效應(yīng)導(dǎo)致的嗎？如何解決呢？
2017-07-24 10:06:32
終止IGBT芯片的飽和電壓VCEsat都隨著結(jié)溫升高而增加，呈現(xiàn)正溫度系數(shù)特性。圖2為300A溝槽場終止芯片在15V柵極電壓條件下不同結(jié)溫時(shí)的飽和電壓特性。這表明并聯(lián)IGBT的靜態(tài)均流可動(dòng)態(tài)地自我調(diào)節(jié)
2018-12-03 13:50:08
關(guān)損耗的影響如下 可見，開通損耗受柵極電阻的影響要更大。 同理，反向恢復(fù)損耗受開通電阻的影響也可以在規(guī)格書中查到。 寄生電容： IGBT的寄生電容影響動(dòng)態(tài)性能，它是芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)的固有特性，把
2021-02-23 16:33:11
的IGBT門極開通電壓尖峰是怎么回事? 圖1a IGBT門極開通尖峰 圖1b IGBT門極開通尖峰機(jī)理分析：IGBT門極驅(qū)動(dòng)的等效電路如圖2所示： 圖2. IGBT驅(qū)動(dòng)等效電路IGBT開通瞬間門極驅(qū)動(dòng)回路
2021-04-26 21:33:10
的可再生能源，而IGBT是光伏系統(tǒng)中主要的功率半導(dǎo)體器件，因此其可靠性對光伏系統(tǒng)有重要影響。IGBT模塊的熱特性是模塊的重要特性之一，模塊在退化過程中，熱性能變化對于半導(dǎo)體模塊的整體性
2020-12-10 15:06:03
常見的逆變電路的元件主要分為分立器件的IGBT和集成的IGBT模塊，這些又分為不同電壓等級和電流大小，那么IGBT的開通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間是否相同，如果不相同，哪個(gè)時(shí)間更長一些？并且，在設(shè)計(jì)IGBT
2024-02-25 11:06:01
IGBT應(yīng)用于變頻器逆變電路中，存在這么一種情況，IGBT先短路再開通，請問這是一種什么樣的過程？按照字面理解意思就是先把IGBT的C和E短接起來，然后啟動(dòng)變頻器，此時(shí)這種過程就可以稱之為先短路再
2024-02-29 23:08:07
1000V 的IGBT 通態(tài)壓降為2～3V 。IGBT 處于斷態(tài)時(shí)，只有很小的泄漏電流存在。2 ．動(dòng)態(tài)特性IGBT 在開通過程中，大部分時(shí)間是作為MOSFET 來運(yùn)行的，只是在漏源電壓Uds下降過程后期
2018-10-18 10:53:03
在600V±20%范圍內(nèi)損耗可以認(rèn)為為線性的”。 特性三：在一個(gè)50Hz的周期內(nèi)，上管IGBT進(jìn)行不斷的調(diào)制，每次開通的電壓為Vbus，下管一直處于截止?fàn)顟B(tài)；流過IGBT的電流可以初步認(rèn)為是一個(gè)正弦波
2023-02-24 16:47:34
IGBT模塊或者單管應(yīng)用于變頻器的制造，在做變頻器的短路實(shí)驗(yàn)時(shí)，在IGBT開通時(shí)刻做出短路動(dòng)作，IGBT的CE電壓會(huì)從零逐漸升高到最大之然后回到母線電壓的一半后達(dá)到穩(wěn)定。
但是在具體波形時(shí)，IGBT
2024-02-21 20:12:42
IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和開關(guān)特性。
2019-09-11 11:31:16
(潮光光耦網(wǎng)整理編輯)2012-04-03 變頻器的HCPL-316J特性 HCPL-316J是由Agilent公司生產(chǎn)的一種IGBT門極驅(qū)動(dòng)光耦合器，其內(nèi)部集成集電極發(fā)射極電壓欠飽和檢測電路
2012-07-06 16:28:56
如圖，英飛凌200A IGBT的帶載驅(qū)動(dòng)波形，開通與關(guān)斷中震蕩是什么原因造成的（圈住的部分），控制方式為單極性倍頻。求大家指教
2019-06-18 23:13:05
-uGS和門極電阻RG的大小，對IGBT的通態(tài)電壓、開關(guān)、開關(guān)損耗、承受短路能力及du/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。其中門極正電壓uGS的變化對IGBT的開通特性，負(fù)載短路能力和duGS/dt電流有較大
2012-09-09 12:22:07
門極正電壓uGS的變化對IGBT的開通特性，負(fù)載短路能力和duGS/dt電流有較大的影響，而門極負(fù)偏壓對關(guān)斷特性的影響較大。同時(shí)，門極電路設(shè)計(jì)中也必須注意開通特性，負(fù)載短路能力和由duGS/dt電流
2009-09-04 11:37:02
VCE為15V，IGBT導(dǎo)通。當(dāng)HCPL-316J輸出端VOUT輸出為低電平時(shí)，上管(T1)截止，下管(T1)導(dǎo)通，VCE為-9V，IGBT關(guān)斷。以上就是IGBT的開通關(guān)斷過程。
2008-10-21 09:38:53
1、Armv8.1-M PAC和 BTI 擴(kuò)展簡析Armv8-M通過Trustzone for Armv8-M， Memory Protection Unit (MPU) 和Privileged
2022-08-05 14:56:32
1、Linux內(nèi)核網(wǎng)絡(luò)之網(wǎng)絡(luò)層發(fā)送消息之IP分片簡析本文分析下ip的分片。行 IP 分片。IP分片通常發(fā)生在網(wǎng)絡(luò)環(huán)境中，比如1個(gè)B環(huán)境中的MTU為500B，若的數(shù)據(jù)長度超過
2022-07-20 15:34:09
MOS管的開通/關(guān)斷原理
2021-03-04 08:28:49
本人最近利用Multisim軟件在做一個(gè)全橋逆變電路，用到里面自帶的IGBT模塊，按說明文檔驅(qū)動(dòng)電壓為±20V，然而給定驅(qū)動(dòng)脈沖，IGBT并未正常開通、關(guān)斷，本人用到的脈沖發(fā)生模塊為Sources下
2012-12-08 10:24:05
應(yīng)用程序適配復(fù)雜度；支持使用分布式對象傳輸流轉(zhuǎn)的業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)；在流轉(zhuǎn)過程中可自動(dòng)免安裝原子化服務(wù)。6. 文件管理增強(qiáng)文件加密特性，支持用戶級文件加密。新增按應(yīng)用空間統(tǒng)計(jì)接口，支持獲取應(yīng)用各級目錄空間大小。增強(qiáng)
2023-04-21 10:43:02
一、核心技術(shù)理念
圖片來源：OpenHarmony官方網(wǎng)站
二、需求機(jī)遇簡析
新的萬物互聯(lián)智能世界代表著新規(guī)則、新賽道、新切入點(diǎn)、新財(cái)富機(jī)會(huì);各WEB網(wǎng)站、客戶端( 蘋果APP、安卓APK)、微信
2023-09-22 16:12:02
產(chǎn)品需求。
典型應(yīng)用場景：
影音娛樂、智慧出行、智能家居，如煙機(jī)、烤箱、跑步機(jī)等。
*附件：OpenHarmony智慧設(shè)備開發(fā)-芯片模組簡析RK3568.docx
2023-05-16 14:56:42
降噪，自動(dòng)調(diào)色系統(tǒng)和梯形校正模塊可以提供提供流暢的用戶體驗(yàn)和專業(yè)的視覺效果。
典型應(yīng)用場景：
工業(yè)控制、智能駕艙、智慧家居、智慧電力、在線教育等。
、*附件：OpenHarmony智慧設(shè)備開發(fā)-芯片模組簡析T507.docx
2023-05-11 16:34:42
由于變壓器漏感的存在, IGBT實(shí)際上開通了1 個(gè)零電流感性負(fù)載, 近似于零電流開通, 電流上升率受漏感充電速度的限制, 因而實(shí)際電流上升時(shí)間tr 不完全取決于IGBT。而數(shù)據(jù)手冊中給出開通處于續(xù)流狀態(tài)
2018-10-12 17:07:13
1、RT5640播放時(shí)的Codec寄存器列表簡析Platform: RockchipOS: Android 6.0Kernel: 3.10.92Codec: RT5640此文給調(diào)試RT5640播放
2022-11-24 18:12:43
1、Rockchip RK3399 Linux4.4 USB DTS配置步驟簡析本文檔提供RK3399 USB DTS的配置方法。RK3399支持兩個(gè)Type-C USB3.0(Type-C PHY
2022-08-10 16:10:16
IGBT的靜態(tài)特性其實(shí)并非難以理解的東西,即便是對于外行人而言。剛接觸那會(huì)兒，看到轉(zhuǎn)移特性、輸出特性之類的就想溜之大吉，加之網(wǎng)上查詢的資料一概籠統(tǒng)簡單，只描述特性曲線所表示的關(guān)系結(jié)果，卻并不解釋曲線
2019-10-17 10:08:57
rtos的核心原理簡析rtos全稱real-time operating system（實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)），我來簡單分析下：我們都知道，c語句中調(diào)用一個(gè)函數(shù)后，該函數(shù)的返回地址都是放在堆棧中的(準(zhǔn)確
2019-07-23 08:00:00
和8英寸的平面型和溝槽型1700V、 2500V和3300V IGBT芯片已進(jìn)入量產(chǎn)２ ＩＧＢＴ的工作原理ＩＧＢＴ的驅(qū)動(dòng)原理與電力ＭＯＳＦＥＴ基本相同，是一種場控器件，其開通和關(guān)斷由柵射極電壓u GE
2021-03-22 19:45:34
畫出了IGBT一個(gè)橋臂的典型結(jié)構(gòu)。在正常運(yùn)行時(shí)，兩個(gè)IGBT將依次開通和關(guān)斷。如果兩個(gè)器件同時(shí)導(dǎo)通，則電流急劇上升，此時(shí)的電流將僅由直流環(huán)路的雜散電感決定。圖1 電壓源逆變器的典型結(jié)構(gòu)當(dāng)然， 沒有誰故意使兩個(gè)
2019-04-23 08:00:00
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-11 14:30 編輯
在使用28335調(diào)試的過程中，當(dāng)暫停程序時(shí)，出現(xiàn)IGBT開通，使IGBT燒壞，換用IPM，仍然出現(xiàn)此問題，所以應(yīng)該不是驅(qū)動(dòng)
2018-06-11 08:01:47
的影響。其中門極正電壓uGS的變化對IGBT的開通特性，負(fù)載短路能力和duGS/dt電流有較大的影響，而門極負(fù)偏壓對關(guān)斷特性的影響較大。同時(shí)，門極電路設(shè)計(jì)中也必須注意開通特性，負(fù)載短路能力和由duGS
2012-06-11 17:24:30
的導(dǎo)通能量損耗，并在電力電子學(xué)的典型模式下擴(kuò)大開關(guān)元件的安全工作區(qū)域。使用硅IGBT可以優(yōu)化器件的成本。這種減少損耗功率的頻率相關(guān)分量的要求突出了改善IGBT頻率特性的必要性，因?yàn)檎沁@種元件限制了
2023-02-22 16:53:33
簡析用電阻設(shè)定增益的單端至差分轉(zhuǎn)換器
2021-02-25 06:53:02
如何移植FreeRTOS最簡源碼？
2021-11-29 08:00:40
柵極電阻RG對IGBT開關(guān)特性有什么影響？
2021-06-08 06:56:22
IGBT的輸入電容較MOSFET大，所以IGBT的驅(qū)動(dòng)偏壓應(yīng)比MOSFET驅(qū)動(dòng)所需偏壓強(qiáng)。圖1是一個(gè)典型的例子。在+20℃情況下，實(shí)測60 A，1200 V以下的IGBT開通電壓閥值為5～6 V，在實(shí)際使用
2016-11-28 23:45:03
簡析電源模塊熱設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
2021-03-01 06:39:03
MOS管的門極開通電壓典型值為多少伏？那么IGBT的門極開通電壓典型值又為多少伏呢？
2019-08-20 04:35:46
的結(jié)果 雜散電感與電流變化率的結(jié)合影響著器件的開通和關(guān)斷電壓特性，可以表示為ΔV=L*di/dt。因此，如果器件關(guān)斷時(shí)電感Lσ較大，電壓尖峰就會(huì)升高。關(guān)斷行為對柵極電阻很不敏感。這是溝槽場截止IGBT
2018-12-07 10:16:11
簡析運(yùn)放并聯(lián)的可行性
2021-03-18 08:06:57
在一些要求高可靠性的應(yīng)用場合，希望功率半導(dǎo)體器件可以穩(wěn)定運(yùn)行30年以上。為了達(dá)到這個(gè)目標(biāo)，三菱電機(jī)開發(fā)了X系列高壓IGBT模塊，特別注重了可靠性方面的設(shè)計(jì)，并在實(shí)際的環(huán)境條件下進(jìn)行了驗(yàn)證，結(jié)果顯示失效率可以得到明顯降低。本文著介紹在IGBT數(shù)據(jù)手冊上看不到的一些特性。
2019-07-30 06:01:40
IGBT開關(guān)等效電路和開通波形電路
2010-02-17 17:22:572966 
IGBT的原理和基本特性
IGBT的原理
絕緣柵雙極晶體
2010-03-05 15:53:4510640 IGBT的靜態(tài)特性包括伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和靜態(tài)開關(guān)特性。IGBT的伏安特性如圖1-33所示，與GTR的伏安特性基本相似，
2010-11-09 17:04:582159 
會(huì)減低；MOS就是MOSFET的簡稱了；IGBT和MOS是全控器件，是電壓型驅(qū)動(dòng)，即通過控制柵極電壓來開通或關(guān)斷器件；可控硅是半控器件，電流型驅(qū)動(dòng)，即給柵極通一定的電流，可以是可控硅開通，但是一旦開通
2017-05-14 10:09:4253166 
在正常情況下IGBT的開通速度越快，損耗越小。但在開通過程中如有續(xù)流二極管的反向恢復(fù)電流和吸收電容的放電電流，則開通的越快，IGBT承受的峰值電流越大，越容易導(dǎo)致IGBT損壞。因此應(yīng)該降低柵極驅(qū)動(dòng)
2017-05-17 14:18:332996 
特性，嚴(yán)重制約了其推廣應(yīng)用。從壓接式IGBT的封裝結(jié)構(gòu)和電氣特性出發(fā)，基于雙脈沖測試原理，設(shè)計(jì)并搭建壓接式IGBT模塊的動(dòng)態(tài)開關(guān)特性測試平臺。采用Ansoft Q3D軟件對測試平臺的雜散參數(shù)進(jìn)行仿真，分析雜散參數(shù)的分布特征、影響與提取方法，
2017-12-26 14:16:01
3 對于壓接式IGBT器件，封裝結(jié)構(gòu)引起的寄生參數(shù)不一致將導(dǎo)致開通瞬態(tài)過程中并聯(lián)IGBT芯片的電流分布不一致，使部分芯片在開關(guān)瞬態(tài)過程中的電流過沖太大，從而降低了開通性能。采用寄生參數(shù)提取、電路建模
2018-01-07 11:04:087 AN-990應(yīng)用筆記之IGBT的特性
2018-04-13 14:04:596 IGBT作為具有開關(guān)速度快，導(dǎo)通損耗低的電壓控制型開關(guān)器件被廣泛應(yīng)用于高壓大容量變頻器和直流輸電等領(lǐng)域。現(xiàn)在IGBT的使用比較關(guān)注的是較低的導(dǎo)通壓降以及低的開關(guān)損耗。作為開關(guān)器件，研究它的開通和關(guān)斷過程當(dāng)然是必不可少的，今天我們就來說說IGBT的開通過程。
2019-01-01 15:04:0048899 
IGBT的驅(qū)動(dòng)條件與IGBT的特性密切相關(guān)。在設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動(dòng)電路時(shí),當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng)電壓大于閾值電壓時(shí)IGBT即可開通,一般情況下閾值電壓Uge(th)=5～6V。這樣即可以使IGBT在開通時(shí)完全飽和
2019-07-26 09:46:2516179 
在IGBT的應(yīng)用中，當(dāng)外部負(fù)載發(fā)生故障，或者柵極驅(qū)動(dòng)信號出現(xiàn)異常，或者某個(gè)IGBT或二極管突然失效，均可能引起IGBT短路，表現(xiàn)為橋臂內(nèi)短路、相同短路及接地短路，由于IGBT在短路狀態(tài)下需要同時(shí)承受
2019-10-07 15:04:0024314 
盡管開關(guān)器件內(nèi)部工作機(jī)理不同，但對于緩沖電路的分析而言，則只需考慮器件的外特性，IGBT關(guān)斷時(shí)模型可以等效為電壓控制的電流源，開通時(shí)可以等效為電壓控制的電壓源。
2020-04-10 10:36:117674 
IGBT器件T1通過雙脈沖信號兩次開通和關(guān)斷。換流的變化率di/dt導(dǎo)通過電阻RGon來調(diào)節(jié)的，VCC是直流母線電壓。
2020-05-02 17:51:003613 
IGBT工作中的特性： IGBT 的靜態(tài)特性， 靜態(tài)數(shù)據(jù)特性關(guān)鍵有光電流特性、遷移特性和電源開關(guān)特性。 （1）光電流特性： IGBT 的光電流特性就是指以柵源電壓Ugs 為參變量時(shí)，漏極電流與柵極
2020-12-15 16:10:315907 ，后級輸出為阻感性負(fù)載，帶有續(xù)流二極管。 由于寄生參數(shù)以及負(fù)載特性的影響，IGBT的實(shí)際開通與關(guān)斷過程比較復(fù)雜，如圖1為IGBT的開通關(guān)斷過程示意圖，圖中柵極驅(qū)動(dòng)波形較為理想化，集電極電流以及集電極-發(fā)射極電壓的波形大致上是實(shí)際波形，只有細(xì)節(jié)被理想化。
2021-02-19 09:31:1215196 
在IGBT開關(guān)過程中通常用開通延遲td（on）、關(guān)斷延遲td（off）、上升時(shí)間tr和下降時(shí)間tf來進(jìn)行描述。
2021-05-06 10:06:016718 
IGBT的開關(guān)過程主要是由柵極電壓VGE控制的，由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮，因此IGBT的開通與關(guān)斷就相當(dāng)于對CGE進(jìn)行充電與放電。假設(shè)IGBT初始狀態(tài)為關(guān)斷狀態(tài)，即VGE為負(fù)壓VGC-
2022-03-26 18:33:364680 這個(gè)時(shí)候IGBT還沒有開通，由于開通瞬態(tài)IGBT輸入電容相當(dāng)于短路，因此門極電流Ig快速上升至峰值電流，隨后門極電容會(huì)逐漸被充電至開啟閾值電壓Vge,th，米勒平臺Vgep，最后到Vcc，門極電流也逐漸減小至0。
2022-04-26 15:14:326085 IGBT是絕緣柵雙極型晶體管的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融合了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)
2023-02-17 16:40:23915 （一）IGBT雙脈沖測試的意義 對比不同IGBT的參數(shù)及性能； 獲取IGBT開通和關(guān)斷過程的參數(shù)； 評估驅(qū)動(dòng)電阻是否合適； 開通和關(guān)斷過程是否有不合適的震蕩； 評估二極管的反向恢復(fù)行為和安全
2023-02-22 15:07:1511 ，即VGE為負(fù)壓VGC-，后級輸出為阻感性負(fù)載，帶有續(xù)流二極管。 由于寄生參數(shù)以及負(fù)載特性的影響，IGBT的實(shí)際開通與關(guān)斷過程比較復(fù)雜，如圖1為IGBT的開通關(guān)斷過程示意圖，圖中柵極驅(qū)動(dòng)波形較為理想化，集
2023-02-22 15:08:431 ? 三相逆變器為什么是六單元模塊？ 兩個(gè)IGBT模塊控制一相 （具體原理如下） 1 ） 柵極驅(qū)動(dòng)電壓IGBT開通時(shí)， 正向柵極電壓的值應(yīng)該足夠令IGBT產(chǎn)生完全飽和， 并使通態(tài)損耗減至最小， 同時(shí)
2023-02-22 14:29:220 IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極晶體管）和FWD（續(xù)流二極管）通過特定的電路橋封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品。封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于逆變器、UPS不間斷電源等設(shè)備。IGBT模塊具有節(jié)能
2023-02-26 10:58:525850 
一開始我們簡單介紹過IGBT的基本結(jié)構(gòu)和工作原理，不同的行業(yè)對使用IGBT時(shí)，對于其深入的程度可能不一樣，但是作為一個(gè)開關(guān)器件，開通和關(guān)斷的過程
2023-05-25 17:16:251262 
IGBT的開關(guān)特性是通過對門極電容進(jìn)行充放電來控制的，實(shí)際應(yīng)用中經(jīng)常使用＋15V的正電壓對IGBT進(jìn)行開通，再由-5V…-8V…-15V的負(fù)電壓進(jìn)行關(guān)斷。
2023-07-04 14:54:051699 
摘要 壓接型 IGBT 芯片在正常的運(yùn)行工況下承受著電-熱-力多物理量的綜合作用，研究電熱-力影響下的 IGBT 芯片動(dòng)態(tài)特性對于指導(dǎo) IGBT 芯片建模以及規(guī)模化 IGBT 并聯(lián)封裝設(shè)計(jì)具有
2023-08-08 09:58:280 IGBT 功率模塊的開關(guān)特性是由它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，內(nèi)部的寄生電容和內(nèi)部和外接的電阻決定的。
2023-09-22 09:06:14432 
igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件 igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件對其特性有什么影響？ IGBT是晶體管的一種，它是一種高壓、高電流的開關(guān)器件，常用于高功率電子應(yīng)用中。IGBT是一種三極管，由一個(gè)PN結(jié)組成的集成電路
2023-10-19 17:08:14622 對比不同IGBT的參數(shù)及性能；
獲取IGBT開通和關(guān)斷過程的參數(shù)；
評估驅(qū)動(dòng)電阻是否合適；
開通和關(guān)斷過程是否有不合適的震蕩；
2023-11-10 09:12:32786 
和性能，動(dòng)態(tài)測試是必不可少的。下面將詳細(xì)介紹IGBT動(dòng)態(tài)測試的參數(shù)。 1. 開通特性測試（Turn-on Characteristics Test）： 開通特性測試是通過控制IGBT的輸入信號，來檢測
2023-11-10 15:33:51885 IGBT的低電磁干擾特性 IGBT是一種在功率電子領(lǐng)域中常用的晶體管器件。它由一個(gè)IGBT芯片和一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路組成，用于控制高電壓和高電流的開關(guān)操作。相比于MOSFET，IGBT具有更低
2024-01-04 14:30:50563 IGBT元件的損耗總和分為：通態(tài)損耗與開關(guān)損耗。開關(guān)損耗分別為開通損耗(EON)和關(guān)斷損耗(EOFF)之和。
2024-01-12 09:07:171028 
由于IGBT高電壓、大電流和高頻特性，IGBT需要一個(gè)專門的驅(qū)動(dòng)電路來控制其開通和關(guān)斷。本文將介紹IGBT驅(qū)動(dòng)電路。 一、IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用 IGBT驅(qū)動(dòng)電路的主要作用是向IGBT提供適當(dāng)?shù)臇艠O
2024-01-17 13:56:55554 
導(dǎo)通時(shí)，當(dāng)柵極電壓高于閾值電壓，電流開始通過IGBT。飽和電壓下降速度表示在IC（集電極電流）上升到特定值時(shí)，VCE（集電極-發(fā)射極電壓）下降的速度。
2024-02-06 10:42:42268 
IGBT開通過程發(fā)生的過流、短路故障 IGBT是一種三端功率半導(dǎo)體器件，常用于電力電子領(lǐng)域。它具有開關(guān)速度快、工作溫度范圍廣、損耗小等優(yōu)點(diǎn)，因此在各種電源、驅(qū)動(dòng)、變換和控制系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用。 然而
2024-02-18 11:14:33309 什么是絕緣柵雙極型晶體管的開通時(shí)間與關(guān)斷時(shí)間？ 絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是一種主要應(yīng)用于功率電子裝置中的半導(dǎo)體器件，其具有低導(dǎo)通壓降和高關(guān)斷速度等優(yōu)點(diǎn)。開通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間是評估IGBT性能
2024-02-20 11:19:16280
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