電子發燒友App
功率MOSFET并聯均流問題研究
對頻率為MHz級情況下功率MOSFET并聯均流問題進行了研究，詳細分析了影響功率MOSFET并聯均流諸因素。通過Q軌跡把器件參數和外圍電路聯系起來，得出較大的Q值和適當的Ls/Lx有利于并聯均流。大量的仿真和小功率實驗結果均表明該方法的正確性。
關鍵詞：功率MOSFETS；多管并聯；高頻；Q軌跡
引言
1 影響功率MOSFET并聯均流的因素
??? 1.1 內部參數對并聯均流的影響
圖2
2 Q值對并聯均流的影響
??? 從圖1中實線可以看出，Q值越大，換向時間越短，開通損耗越低但關斷損耗增大；從圖1中虛線可以看出在線路中引入源極電感，器件的開關軌跡發生很大變化，開通損耗增加而關斷損耗減小。在高頻情況下，器件的開關時間和開關損耗對整個系統效率的提高至關重要。從上面的分析可知器件理想的工作條件應該是在相對較高的Q值下。以下基于不同Q值，通過仿真軟件PSPICE分析外圍線路中各種寄生參數對并聯均流的影響。
圖3
??? 2.2 Q值對雙管并聯均流影響的仿真分析
??? 從圖4可以看出，引入源極電感Ls，并聯不均流得到改善，但Ls越大器件關斷時間越長。在設計中，并聯器件源極電感保持一致是必須的，尋找最優的Ls（即Ls/Lx）使得并聯均流特性最好。表1為閾值電壓Vth相差10％，其它參數均一致情況下，分別取不同Q和Ls/Lx，器件開通和關斷過程中電流不均衡的仿真分析結果。其中Δi=iD1－iD2，為并聯兩管漏電流相差最大處的差值。
表1 內部特性參數不一致下，Q和Ls/Lx不同對器件動態電流分布的影響
3 實驗驗證
??? 2）使Rg=10.0Ω，其它條件不變，漏極電流iD波形如圖6所示。
4 結語
- 功率MOSFET(21639)
相關推薦
MOSFET陣列并聯放置多個功率MOSFET以減輕系統負擔
在強悍的動力系統設計者應該知道所有關于MOSFET和他們的特殊電氣特點，但與MOSFET的陣列工作還可以另有一個獸。您可能會在電源轉換系統中看到的一種布置是并聯放置多個功率MOSFET。這樣可以減輕
2020-12-21 12:09:53
5488
5488
功率場效應管的基本特性，如何提高功率MOSFET的動態性能
。功率MOSFET的漏極之間有一個寄生二極管，當漏極與反向電壓連接時，器件連接。功率MOSFET的導通電阻具有正溫度系數，有利于并聯器件時的均流。
2023-07-04 16:46:37977
977
仿真看世界之SiC MOSFET單管的并聯均流特性
SiC MOSFET并聯的動態均流與IGBT類似，只是SiC MOSFET開關速度更快，對一些并聯參數會更為敏感。
2021-09-06 11:06:233813
3813
MOSFET的門源極并聯電容相關資料下載
MOSFET門 源極并聯電容后，開關可靠性得到提升開關電路如下圖電路解釋開關電路如下圖電路解釋1.該電路用于高邊開關，當MOS_ON 網絡拉低到地時，開關Q1導通；2.電路中D3作用為鉗位Q1門源
2021-12-30 07:40:23
MOSFET高速驅動設計
并不能完全均流。同時， 由于受該震蕩回路的影響， 電磁干擾，門極擊穿同樣是工程師面臨問題。而有效的控制MOSFET并聯時的自激震蕩我們需要注意以下幾點：1．保持各個MOSFET布線一直性。2．MOSFET
2018-12-10 10:04:29
功率MOSFET技術提升系統效率和功率密度
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉換器的功耗機制進行詳細分析，可以界定必須要改進的關鍵金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)參數，進而確保持續提升系統效率和功率密度。分析顯示，在研發功率
2019-07-04 06:22:42
功率MOSFET晶體管學習手冊（應用手冊+驅動電路方案）
本資料主要研究高頻功率MOSFET的驅動電路和在動態開關模式下的并聯均流特性。首先簡要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態及動態特性，然后根據功率MOSFET對驅動電路的要求，對驅動電路進行了
2019-03-01 15:37:55
功率MOSFET的基本知識分享
SiN)及半導體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安)，用于功率輸出級的器件。
2021-04-23 07:04:52
功率MOSFET的正向導通等效電路
和動態均流問題；目前的 Logic-Level的功率 MOSFET，其Vgs只要 5V，便可保證漏源通態電阻很?。黄骷耐秸鞴ぷ鳡顟B已變得愈來愈廣泛，原因是它的通態電阻非常?。壳白钚〉臑?-4
2021-08-29 18:34:54
功率MOSFET的正向導通等效電路
的通態電阻呈正溫度系數，故原理上很容易并聯擴容，但實際并聯時，還要考慮驅動的對稱性和動態均流問題；-- 目前的 Logic-Level的功率 MOSFET，其Vgs只要 5V，便可保證漏源通態電阻很小
2021-09-05 07:00:00
功率MOSFET結構及特點
型區。在功率MOSFET的內部，由許多這樣的單元，也稱“晶胞”，并聯而成。硅片的面積越大，所能加工的單元越多，器件的導通電阻越小，能夠通過的電流就越大；同樣，在單位的面積的硅片上，能夠加工的晶胞越多
2016-10-10 10:58:30
IGBT并聯技術分析
等級，從而提升變流器的功率等級?？紤]到前者功率密度相對較低，從性價比出發，IGBT并聯技術是最好的選擇。1IGBT并聯運行分析1.1 影響并聯IGBT均流的主要因素1)IGBT和反并聯二極管靜態參數
2015-03-11 13:18:21
IGBT并聯設計參考
均流，而不是把重心放在模塊參數偏離所造成的影響。表1為說明哪些因素會引起均流的差異。并聯設計將集中在這些因素上面以優化驅動回路、功率換流回路、模塊布局以及冷卻條件等, 其目的是確保每個并聯支路盡可能
2018-12-03 13:50:08
LTC3779并聯均流問題如何解決？
都只能做到500W，假如先做4路并聯，均流問題有什么好的方案可以推薦嗎？如果后面再采用三個2KW并聯，這個并聯均流問題如何解決，能推薦一下嗎？謝謝！
2024-01-08 07:21:12
MOS、三極管并聯使用時的均流電阻選?。?/a>
MOS管具有正溫度系數，網上很多說不需要均流電阻。三極管是負溫度系數，才需要在發射極串接均流電阻。網上看到有人說，MOS管只在一定的電流范圍內才能起到均流作用，那么大電流下還是要加均流電阻咯?，F在
2021-01-05 18:19:30
MOS管并聯均流技術分析
MOS管并聯均流技術分析IGBT管并聯均流技術分析BJT 管并聯均流技術分析普通的功率MOSFET因為內阻低、耐壓高、電流大、驅動簡易等優良特性而得到了廣泛應用。當單個MOSFET的電流或耗散功率
2015-07-24 14:24:26
MOS管并聯是什么意思
的均流，因此當電路中電流很大時，一般會采用并聯MOS管的方法來進行分流。采用MOS管進行電流的均流時，當其中一路電流大于另一路MOS管中的電流時，電流大的MOS管產生的熱量多，從而引起導通電...
2021-10-29 07:04:37
N溝通和P溝道的功率MOSFET的特征是什么
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統設計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
PRM及VTM并聯應用 應用筆記
PRM及VTM并聯應用 應用筆記 此應用筆記將介紹使用兩組PRM-AL和VTM做出更大功率而且均流的并聯步驟。如果應用需并聯多過兩組PRM，請與應用工程部聯絡。 [/hide]
2009-11-20 08:50:51
RF功率MOSFET產品的特點
RF 功率 MOSFET的最大應用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET。到90年代后期，的出現改變了這一
2019-07-08 08:28:02
[原創]功率MOSFET管
;br/>交流輸入阻抗極高；噪聲也小，最合適制作HI-FI音響；<br/> 5．功率MOSFET可以多個并聯使用，增加輸出電流而無需均流電阻。<
2010-08-12 13:58:43
dcdc電源模塊均流的方法與作用
均流。均流的方法有很多種。例如：1.輸出阻抗法，又叫下垂法、傾斜法、電壓調整率法。是通過調節電源的輸出內阻的方式來實現的。這個方法的特點是簡單。但最大的缺點是電壓調整率差。2.主從設置法，人為的在并聯
2018-07-28 14:13:50
dcdc電源模塊并聯均流
流技術，那么這些技術在實際應用的過程中應該如何進行選擇？下面我們將會通過一個案例進行實例說明，看在實際操作中怎樣選擇最恰當的并聯均流輸出方法。 在本案例中，我們要求設計并制作一個由兩個額定輸出功率
2018-10-23 15:58:49
【TL6748 DSP申請】并聯供電輔助變流系統
申請理由：四臺380V輔助逆變器并聯運行，運行過程中需要高速采集自身的運行狀態數據并共享給其他三臺輔助逆變器，用于四臺逆變器的均流控制以及相關的故障保護，由于C6748具有高達456MHz的主頻
2015-11-06 09:54:12
【原創文章】均流電路的講解
100KW要容易的多。所以就需要應用到并聯，電壓源并聯就需要均流技術，大家想為什么需要均流，比如我們都是5v輸出的電源直接并起來不就好了嗎，理論是可以的，但是我們實際中的開關電源總是有誤差范圍的，比如
2021-08-05 10:11:22
三相全橋逆變器的并聯均流設計方案
的差異，導致IGBT并聯時電流不均衡。本文分析了帶輸出電抗器均流的三相三相全橋逆變器的并聯均流特性，設計了輸出電抗器參數，給出了仿真和試驗結果，試驗結果表明了對并聯特性分析的合理性及有效性。
2023-09-19 07:45:32
兩個開關電源可以并聯使用嗎
兩個開關電源可以并聯使用嗎時間:2018-08-07 08:46 來源:電工之家兩個開關電源可以并聯使用嗎開關電源并聯使用，就是我們常說的開關電源有均流功能，只有開關電源有均流功能的才可以并聯
2021-11-12 08:37:34
升壓大功率LED照明方案
；輸出恒流驅動 LED 的功率從 0.1W~50W 全系列；LED 模組可以串聯，并聯，串并聯結合等多種連接方式；電路拓樸支持降壓，升壓，升降壓等多種結構；可以實現多領域多條件下的 LED恒流
2016-05-26 14:36:49
基于功率MOSFET的電動車磷酸鐵鋰電池保護應用
所示。Q1為放電管，使用N溝道增強型MOSFET,實際的工作中，根據不同的應用，會使用多個功率MOSFET并聯工作，以減小導通電阻，增強散熱性能。RS為電池等效內阻，LP為電池引線電感?！ ≌９ぷ?/div>
2018-09-30 16:14:38
基于AVR單片機的開關電源均流技術
本文首先分析了電源的并聯特性及均流的一般原理,又詳細分析了幾種電源并聯均流的技術,最后提出了基于AVR單片機為控制核心,附帶有RS485通信協議、電壓電流采集和顯示以及調節電源的輸出電壓和實現各路電源的異常工作的聲光報警的計算機均流技術方案,實現了數字均流的智能化控制。
2011-03-09 12:20:43
基于STM32的大功率數字式電鍍電源并聯均流系統設計
"并聯均流系統")，給出了系統主要軟硬件的詳細設計方案。總體設計并聯均流系統由主控模塊和功率模塊組成，如圖1所示。主控模塊和功率模塊間以高效和高可靠性的CAN總線為通信媒介。主控模塊
2018-08-20 10:08:28
基于STM32的大功率數字式電鍍電源并聯均流系統設計
集成度、豐富且性能出眾的片上外設、編程復雜度低等優點。數字式電鍍電源并聯均流系統以數字通信和控制的方式實現多個電源模塊的并聯工作，提供更大的輸出功率，具有組合靈活、可靠性高、人機接口友善、工作模式多樣等
2018-08-30 14:00:49
基于UPS逆變器并聯控制技術分析
的進步，成為未來UPS發展的一個重要方向。實現模塊化的關鍵是逆變模塊之間的并聯均流控制，要求各個模塊同步輸出，即同幅、同頻、同相，否則在逆變器間將會產生很大的環流，對并聯系統造成不良影響甚至崩潰
2018-09-28 16:23:25
基于數字式電鍍電源并聯均流系統設計方案
導讀：本文為了實現大功率數字式電鍍電源,提出了一種基于ARM芯片STM32F103的數字式電鍍電源并聯均流系統設計方案，并完成系統的軟硬件設計。該系統采用STM32F103作為主控芯片，通過
2018-11-29 17:10:58
多路LED如何實現均流
多路LED如何實現均流，比如我恒流總輸出5A，5路每路要1A；總輸出10A，10路，每路1A網上查的方案不是很清楚，精度5%以內吧越高越好方案盡量簡單易于實現
2018-01-04 15:44:05
多顆MOS管的并聯應用研究
某顆MOS管的電流比較大，這顆MOS管會發熱比較嚴重，內阻會升高比較多，電流就會降下來，由此可以分析出MOS管有自動均流的特性而易于并聯?！ ?.MOS管的并聯電路 理論上MOS管可以由N顆并聯
2018-10-12 16:47:54
大功率開關電源并聯均流為什么越來越流行？
在電源的設計開發中，對于大功率電源的使用范圍也是越來越廣泛，此類電源是開關電源的一種，比較廣泛的應用與電力通訊行業。大功率開關電源也同樣在近來幾年中開端盛行并聯均流的供電規劃。如今這樣的并聯均流
2016-04-07 11:40:06
如何實現CV電子負載并聯均流？
并聯的話，多個負載間電流差異可能比較大。在網上也查了些資料，大部分是講恒流負載功率擴展并聯的，但是恒壓負載并聯使用的基本沒找到什么資料？請教高手指點一下，不甚感激?。。?/div>
2018-10-11 17:56:37
如何計算MOSFET的功率耗散
過程詳述于圖1）?！ ⊥秸髌鞯墓摹 〕钶p負載以外，各種情況下同步整流器MOSFET的漏-源電壓在打開和關閉過程中都會被續流二極管鉗位。因此，同步整流器幾乎沒有開關損耗，它的功率消耗很容易計算
2021-01-11 16:14:25
如何選型—功率 MOSFET 的選型？
使用功率 MOSFET 也有兩年多時間了，這方面的技術文章看了不少，但實際應用選型方面的文章不是很多。在此，根據學到的理論知識和實際經驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率 MOSFET 的選型
2019-11-17 08:00:00
開關轉換器并聯系統的均流技術
系統的發展和負載功率的擴大，促使人們研究和應用開關轉換器模塊的并聯冗余技術?！ 〈?b class="flag-6" style="color: red">功率的供電電源系統，需要用若干臺AC/DC或DC/DC轉換器并聯工作以滿足負載功率的要求。例如，通信用輸出為48 V
2011-11-10 11:29:25
橋式拓撲結構功率MOSFET驅動電路設計
摘要：針對橋式拓撲功率MOSFET因柵極驅動信號振蕩產生的橋臂直通問題，給出了計及各寄生參數的驅動電路等效模型，對柵極驅動信號振蕩的機理進行了深入研究，分析了驅動電路各參數與振蕩的關系，并以此為依據
2018-08-27 16:00:08
理解功率MOSFET的RDS(ON)負溫度系數特性
，溫度降低，從而實現自動的均流達到平衡，這也是功率MOSFET相對于晶體管最具有優勢的一個特性。同樣對于一個功率MOSFET器件的內部也是有許多小晶胞并聯而成，晶胞的導通電阻具有正的溫度系數，因此并聯工作
2016-09-26 15:28:01
理解功率MOSFET的開關過程
動態恒流區、一段穩定時間的米勒平臺恒流區，此時MOSFET均工作于放大狀態，這也可以理解：MOSFET在開關過程中，跨越恒流區（放大區），是MOSFET產生開關損耗的直接原因。
2016-11-29 14:36:06
理解功率MOSFET管的電流
MOSFET工作也可以工作在飽和區，即放大區恒流狀態，此時，電流受到溝道內電子數量的限制，改變漏極電壓不能增加流通電流。功率MOSFET從放大區進入穩態工作可變電阻區，此時，VGS驅動電壓對應的的放大恒流狀態
2016-08-15 14:31:59
電源并聯：電源簡化設計
，直接并聯這種電源的效果更糟糕。單象限電源只有負載均流誤差，但雙象限電源的調節會產生競爭性輸出電壓控制。這將導致超過負載電流的大電流在陣列中的電源間循環流動，并可能立即導致一個或多個電源過載。此外
2018-10-19 16:48:21
電源模塊并聯失效的原因和解決方法
技術發展的趨勢之一，是實現組合大功率電源系統的重點。1.不能并聯的根源很多工程師剛接觸電路系統設計時，總會把多個電源模塊并聯一起使用，導致模塊輸出無法均流，使得模塊輸出短路、啟動異常、損壞等現象。要
2015-09-25 09:52:58
自動負載均流法和電流自動均流在電源系統中應用
和可靠運行。均流技術就是對系統中各并聯電源的輸出電流加以控制，盡可能均分系統輸入總電流，確保多臺電源可靠運行的一種特殊措施。圖1所示為多臺開關電源并聯均流實現大功率電源系統的示意圖。本文就自動均流技術
2011-07-13 15:19:57
請教LTC3779電源均流設計問題
都只能做到500W，假如先做4路并聯，均流問題有什么好的方案可以推薦嗎？如果后面再采用三個2KW并聯，這個并聯均流問題如何解決，能推薦一下嗎？謝謝！
2018-07-27 08:56:50
驅動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
請問：驅動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
功率MOSFET并聯應用
從線路布線和參數配置等方面分析了導致MOSFET并聯時電壓和電流不均衡的原因，并聯MOSFET易產生振蕩的原因作了詳細的分析，并輔以仿真說明振蕩產生的原因。
2010-09-30 16:29:30
90
90高頻功率MOSFET驅動電路及并聯特性研究
本文主要研究高頻功率MOSFET的驅動電路和在動態開關模式下的并聯均流特性。首先簡要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態及動態特性，然后根據功率MOSFET對驅動電路的要求，
2010-11-11 15:34:22201
201基于移相控制的大功率并聯軟開關電源的研究
摘要：采用AVR單片機實現了大功率并聯軟開關電源的數字化控制，并設計了主電路系統，研究了移相全橋變換器的工作原理。電源采用模塊并聯技術和主從控制方式，構成了N+1冗
2010-12-14 15:43:0361
61MOSFET管并聯應用時電流分配不均問題探究
MOSFET管并聯應用時電流分配不均問題探究
1 引言 MOSFET管的導通電阻具有正的溫度特性，可自動調節電流，因而易于并聯應用。但由于器件自身參數(柵
2009-11-02 10:04:002009
2009
理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數特性
理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數特性
通常，許多資料和教材都認為，MOSFET的導通電阻具有正的溫度系數，因此可以并聯工作。當其中一個并聯的MOSFET的溫度上升時，具有
2009-11-10 10:53:134381
4381
MOSFET高頻感應加熱電源的研究
以 功率MOSFET 、為開關元件．采用多管井聯的方式研制出1。kw 高頻感應加熱電源．對該電源的逆變電路、控制電路、多管并聯驅動等問題做 研究和實驗實驗結果表明：采用MOSFE]、多管并
2011-08-11 14:18:51278
278基于移相控制的大功率并聯軟開關電源的研究
采用AVR單片機實現了大功率并聯軟開關電源的數字化控制，并設計了主電路系統，研究了移相全橋變換器的工作原理。電源采用模塊并聯技術和主從控制方式，構成了N+1冗余結構，并研
2011-10-21 18:12:4893
93SiC MOSFET單管在并聯條件下的均流特性分析
SiC MOSFET單管在并聯條件下的均流特性。 仿真只是工具，仿真無法替代實驗，仿真只供參考，切勿癡迷迷信。以上寒暄既畢，我們直奔主題： 1、選取仿真研究對象 SiC MOSFET
2021-03-11 09:22:053311
3311功率MOSFET，為什么要在柵極和源極間并聯一個電阻?資料下載
電子發燒友網為你提供功率MOSFET，為什么要在柵極和源極間并聯一個電阻?資料下載的電子資料下載，更有其他相關的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-03-29 16:49:3720
20電容應用：MOSFET的門源極并聯電容
MOSFET門 源極并聯電容后，開關可靠性得到提升開關電路如下圖電路解釋開關電路如下圖電路解釋1.該電路用于高邊開關，當MOS_ON 網絡拉低到地時，開關Q1導通；2.電路中D3作用為鉗位Q1門源
2022-01-10 10:14:0911
11SiC MOSFET單管的并聯均流特性
關于SiC MOSFET的并聯問題，英飛凌已陸續推出了很多技術資料，幫助大家更好的理解與應用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環境，分析SiC MOSFET單管在并聯條件下的均流特性。
2022-08-01 09:51:151687
1687
并聯MOSFET應用中的均流技術
為了實現良好的并聯設計，傳統上選擇 MOSFET——通過篩選——基于它們的閾值電壓相似，以確保它們同時導通。然而，屏蔽 MOSFET 會增加成本和復雜性，并且仍然容易受到溫度不穩定性的影響。因此，考慮到上述問題，專用 MOSFET 技術可以在并聯應用中提供更好的解決方案，而無需額外的篩選過程。
2022-08-04 08:59:513290
3290
熱插拔電路中的LTC4226并聯MOSFET
雖然在熱插拔?電路中使用多個并聯MOSFET通常是可取的，有時甚至是絕對關鍵的，但仔細分析安全工作區（SOA）至關重要。電路中每增加一個并聯MOSFET，就會改善應用的壓降、功率損耗和隨之而來的溫升。
2023-01-09 15:06:47583
583
- 設計技術
- 可編程邏輯
- 電源/新能源
- MEMS/傳感技術
- 測量儀表
- 嵌入式技術
- 制造/封裝
- 模擬技術
- RF/無線
- 接口/總線/驅動
- 處理器/DSP
- EDA/IC設計
- 存儲技術
- 光電顯示
- EMC/EMI設計
- 連接器
- 行業應用
- LEDs
- 汽車電子
- 音視頻及家電
- 通信網絡
- 醫療電子
- 人工智能
- 虛擬現實
- 可穿戴設備
- 機器人
- 安全設備/系統
- 軍用/航空電子
- 移動通信
- 工業控制
- 便攜設備
- 觸控感測
- 物聯網
- 智能電網
- 區塊鏈
- 新科技
- 聯系我們
- 廣告合作
- 王婉珠：wangwanzhu@elecfans.com
- 內容合作
- 黃晶晶：huangjingjing@elecfans.com
- 內容合作（海外）
- 張迎輝：mikezhang@elecfans.com
- 供應鏈服務 PCB/IC/PCBA
- 江良華：lanhu@huaqiu.com
- 投資合作
- 曾海銀：zenghaiyin@huaqiu.com
- 社區合作
- 劉勇：liuyong@huaqiu.com
-
關注我們的微信
-
下載發燒友APP
-
電子發燒友觀察
版權所有 ? 深圳華秋電子有限公司
電子發燒友 （電路圖） 粵公網安備 44030402000349 號 電信與信息服務業務經營許可證：合字B2-20210191
工商網監
湘ICP備 2023018690 號
評論