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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>基于SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉(zhuǎn)換器設(shè)計案例(2)

基于SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉(zhuǎn)換器設(shè)計案例(2)

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溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET與實際產(chǎn)品

采用雙溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET,與正在量產(chǎn)中的第2代平面型(DMOS結(jié)構(gòu))SiC-MOSFET相比,導(dǎo)通電阻降低約50%,輸入電容降低約35%。實際的SiC-MOSFET產(chǎn)品下面是可供
2018-12-05 10:04:41

淺析SiC-MOSFET

SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入,但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國內(nèi)
2019-09-17 09:05:05

用于C2M1000170J SiC MOSFET的輔助電源評估板CRD-060DD17P-2

CRD-060DD17P-2,采用市售1700V碳化硅(SiCMOSFET的單端反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計演示板。該設(shè)計采用1700V SiC MOSFET,采用新型7LD2PAK表面貼裝封裝,占板面
2019-04-29 09:25:59

絕緣反激式轉(zhuǎn)換器的基礎(chǔ):反激式轉(zhuǎn)換器的特征

本設(shè)計事例使用稱為反激式的變壓方式。在這里,將說明反激方式的基本電路和特征。反激式轉(zhuǎn)換器除了一般的PWM控制外,還有自勵的RCC(Ringing Choke ConVerter)、RCC利用
2018-11-27 17:01:04

羅姆成功實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝

本半導(dǎo)體制造商羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)等的逆變器、轉(zhuǎn)換器,開發(fā)出耐壓高達1200V的第2SiC(Silicon carbide:碳化硅)MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗
2019-03-18 23:16:12

設(shè)計中使用的電源IC:專為SiC-MOSFET優(yōu)化

本文將從設(shè)計角度首先對在設(shè)計中使用的電源IC進行介紹。如“前言”中所述,本文中會涉及“諧振轉(zhuǎn)換器”的設(shè)計和功率晶體管使用“SiC-MOSFET”這兩個新課題。因此,設(shè)計中所使用的電源IC,是可將
2018-11-27 16:54:24

設(shè)計基于SiC-MOSFET的6.6kW雙向EV車載充電器

均高于96.5%的原型,其中CCM圖騰柱PFC轉(zhuǎn)換器為67 kHz,CLLC諧振轉(zhuǎn)換器為150-300 kHz。通過將功率半導(dǎo)體和功率磁器件集成在同一工具散熱上,由于650V SiC MOSFET的低功率損耗,因此在雙向高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用(例如EV的OBC)中可以實現(xiàn)高功率密度和高效率。
2019-10-25 10:02:58

采用UCC28610的隔離諧振反激式參考設(shè)計

描述PMP7167 是采用 UCC28610 的隔離諧振反激式參考設(shè)計。低待機電流和快速啟動是其共源共柵架構(gòu)的優(yōu)點。PMP7167 基于 PMP5643 Rev_B PWB 而構(gòu)建。特性滿負載
2022-09-27 07:01:27

采用第3代SiC-MOSFET,不斷擴充產(chǎn)品陣容

%。這非常有望進一步實現(xiàn)應(yīng)用的高效化和小型化。全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容擴充下表為全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容現(xiàn)狀。除BSM180D12P3C007外,采用第2SiC-MOSFET的產(chǎn)品陣容中也增添了
2018-12-04 10:11:50

采用通用諧振隔離式反向的參考設(shè)計PMP4736技術(shù)資料下載

描述此 PMP4736 采用通用諧振隔離式反向,從通用線路開始,提供 9.6V @ 1.3A 電流。轉(zhuǎn)換器得益于“級聯(lián)”拓撲,可進一步減少無負載損失(此處為 80mW @ 230Vac),實現(xiàn)超極啟動時間。
2018-07-13 03:22:47

隔離式的DC-DC轉(zhuǎn)換器解析

  非隔離式的DC-DC轉(zhuǎn)換器都是基于降壓,升壓以及降壓-升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器而衍生出來的,下面就簡單介紹一下這三種DC-DC轉(zhuǎn)換器。  1.降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器  圖1顯示的是降壓DC-DC
2020-12-09 15:28:06

面向SiC MOSFET的STGAP2SICSN隔離式單通道柵極驅(qū)動

單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制,采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝,通過精確的PWM控制提供強大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術(shù)廣泛應(yīng)用于提高功率轉(zhuǎn)換效率,STGAP2SiCSN簡化了設(shè)計、節(jié)省了空間,并增強了節(jié)能動力系統(tǒng)、驅(qū)動和控制的穩(wěn)健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19

驅(qū)動新一代SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器的IC生態(tài)系統(tǒng)

處理(例如ADSP-CM419F)完成。最后,利用高能效隔離式∑-?轉(zhuǎn)換器(例如AD7403)檢測電壓,從而實現(xiàn)設(shè)計的緊湊性。在Si IGBT到SiC MOSFET的過渡階段,必須考慮混合拓撲結(jié)構(gòu)
2018-10-22 17:01:41

高頻諧振轉(zhuǎn)換器設(shè)計注意事項

oss和Q rr也很重要。在如圖1所示的電感-電感-電容器-串聯(lián)諧振轉(zhuǎn)換器(LLC-SRC)之類的諧振轉(zhuǎn)換器中,諧振儲能電路中的電流對FET 的C oss進行充電/放電(圖2中的狀態(tài)1),以便實現(xiàn)零電壓
2022-05-11 10:17:28

SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別進行介紹

MOSFET器件的同時,沒有出現(xiàn)基于SiC的類似器件。 SiC-MOSFET與IGBT有許多不同,但它們到底有什么區(qū)別呢?本文將針對與IGBT的區(qū)別進行介紹。
2017-12-21 09:07:0436485

基于SiC-MOSFET隔離型準諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計案例(1)

當輸入電壓上升時,如果過流限制是恒定的,則容許功率將直接增加。當輸入電壓超過設(shè)置值時,這種校正功能可通過降低電流限制電平來降低損耗功率,從而使過負載時的保護更可靠。
2019-04-24 12:57:29943

關(guān)于SiC-MOSFET隔離型準諧振轉(zhuǎn)換器詳細解析

由于浪涌電壓不僅受變壓器的漏電感影響,還受PCB板薄膜布線的寄生分量影響,因此需要在組裝于實際PCB板中的狀態(tài)下確認Vds,并根據(jù)實際的電壓調(diào)整緩沖電路。
2019-08-22 09:13:292156

關(guān)于SiC-MOSFET隔離型準諧振轉(zhuǎn)換器性能分析介紹

當輸入電壓上升時,如果過流限制是恒定的,則容許功率將直接增加。當輸入電壓超過設(shè)置值時,這種校正功能可通過降低電流限制電平來降低損耗功率,從而使過負載時的保護更可靠。
2019-08-22 10:08:381684

關(guān)于SiC-MOSFET隔離型準諧振轉(zhuǎn)換器設(shè)計和性能分析

為了獲得所需的耐壓,我們采用了串聯(lián)連接電容的手法,但在這種情況下,需要保持施加到所有電容的電壓均衡,因而需要與各電容并聯(lián)連接平衡電阻。從電路圖中可以看出,平衡電阻是串聯(lián)在輸入端和GND之間,因此流經(jīng)平衡電阻的電流只是一種損耗,故建議選擇470kΩ以上的電阻值。
2019-08-22 10:30:251706

中壓SiC-MOSFET轉(zhuǎn)換器中的濾波電感器接地電流建模

,硅基 IGBT 廣泛用于大功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計。表 1 提供了基于 Si 的模塊和基于 SiC-MOSFET 的模塊之間基于其開關(guān)速度的比較。
2022-07-26 08:02:531061

半橋LLC諧振轉(zhuǎn)換器中Si和SiC MOSFET的比較

LLC 諧振轉(zhuǎn)換器可用于各種應(yīng)用,如消費電子產(chǎn)品,以及可再生能源應(yīng)用,如光伏、風(fēng)能、水力和地?zé)岬取1疚奶峁┝嗽?3KW 中建模的 Si 和 SiC MOSFET 的詳細比較具有寬輸入電壓范圍的半橋 LLC 轉(zhuǎn)換器
2022-07-29 09:44:201207

剖析SiC-MOSFET特征及其與Si-MOSFET的區(qū)別 1

功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,為進一步實現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化,一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體有如下優(yōu)勢,如低損耗、高速開關(guān)、高溫工作等,顯而易見這些優(yōu)勢是非常有用的。本章將通過其他功率晶體管的比較,進一步加深對SiC-MOSFET的理解。
2023-02-06 14:39:132874

剖析SiC-MOSFET特征及其與Si-MOSFET的區(qū)別 2

本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容,總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現(xiàn)的新功能。另外,除了SiC-MOSFET,還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應(yīng)用實例。
2023-02-06 14:39:51645

SiC-MOSFET的特征

繼前篇結(jié)束的SiC-SBD之后,本篇進入SiC-MOSFET相關(guān)的內(nèi)容介紹。功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,為進一步實現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化,一直在進行各種改良。
2023-02-08 13:43:19210

SiC-MOSFET和功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較

近年來超級結(jié)(Super Junction)結(jié)構(gòu)的MOSFET(以下簡稱“SJ-MOSFET”)應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET,ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET
2023-02-08 13:43:19525

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別

從本文開始,將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人,與其詳細研究每個參數(shù),不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。
2023-02-08 13:43:20644

SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別

上一章針對與Si-MOSFET的區(qū)別,介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動方法的兩個關(guān)鍵要點。本章將針對與IGBT的區(qū)別進行介紹。與IGBT的區(qū)別:Vd-Id特性,Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:201722

SiC-MOSFET體二極管的特性說明

上一章介紹了與IGBT的區(qū)別。本章將對SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復(fù)特性進行說明。如圖所示,MOSFET(不局限于SiC-MOSFET)在漏極-源極間存在體二極管。
2023-02-08 13:43:20790

第三代雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET介紹

SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中,ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用,在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導(dǎo)通電阻也備受關(guān)注。
2023-02-08 13:43:211381

SiC-MOSFET的應(yīng)用實例

本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容,總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現(xiàn)的新功能。
2023-02-08 13:43:21366

ROHM SiC-MOSFET的可靠性試驗

本文就SiC-MOSFET的可靠性進行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產(chǎn)品相關(guān)的信息和數(shù)據(jù)。另外,包括MOSFET在內(nèi)的SiC功率元器件的開發(fā)與發(fā)展日新月異,如果有不明之處或希望確認現(xiàn)在的產(chǎn)品情況,請點擊這里聯(lián)系我們。
2023-02-08 13:43:21860

搭載了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模塊介紹

ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFETSiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333

采用第3代SiC-MOSFET,不斷擴充產(chǎn)品陣容

ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFETSiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-13 09:30:04331

使用SiC-MOSFET隔離型準諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計案例-設(shè)計案例電路

上一篇文章對設(shè)計中使用的電源IC進行了介紹。本文將介紹設(shè)計案例的電路。準諧振方式:上一篇文章提到,電源IC使用的是SiC-MOSFET驅(qū)動用AC/DC轉(zhuǎn)換器控制IC“BD7682FJ-LB”。
2023-02-17 09:25:06380

使用SiC-MOSFET隔離型準諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計案例-變壓器T1的設(shè)計(1)

從本文開始進入具體的設(shè)計,比如計算相關(guān)電路常數(shù)等。首先是變壓器T1的設(shè)計。計算步驟如下。這與“隔離型反激式轉(zhuǎn)換器電路設(shè)計:變壓器設(shè)計(數(shù)值計算)”中的思路基本相同,可以參考這篇文章中的內(nèi)容。
2023-02-17 09:25:06394

使用SiC-MOSFET隔離型準諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計案例-變壓器T1的設(shè)計(2)

在前面的“變壓器T1的設(shè)計 其1”中,對下述計算步驟①~③進行了說明。本文作為“其2”來計算剩下的④~⑥,并結(jié)束變壓器T1的設(shè)計篇。①反激式電壓VOR的設(shè)定②一次側(cè)繞組電感值Lp、一次側(cè)的最大電流Ippk的計算③變壓器尺寸的決定④一次側(cè)繞組匝數(shù)Np的計算⑤二次側(cè)繞組匝數(shù)Ns的計算⑥VCC繞組匝數(shù)Nd的計算
2023-02-17 09:25:06437

使用SiC-MOSFET隔離型準諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計案例-PCB板布局示例

截至上一篇文章,結(jié)束了部件選型相關(guān)的內(nèi)容,本文將對此前介紹過的PCB電路板布局示例進行總結(jié)。使用SiC-MOSFET隔離型準諧振轉(zhuǎn)換器的PCB布局示例
2023-02-17 09:25:07397

使用SiC-MOSFET隔離型準諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計案例-案例中的電路和部件清單

這之前介紹了示例電路的各部件選型要點、常數(shù)的計算、PCB板布局示例,最后將利用示例電路來確認并評估一下效率和波形。本文將給出整個電路和所有部件清單。部件表中的部件是示例電路中使用的部件清單。
2023-02-17 09:25:07236

使用SiC-MOSFET隔離型準諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計案例 小結(jié)

此前共用19個篇幅介紹了“使用SiC-MOSFET隔離型準諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計案例”,本文將作為該系列的最后一篇進行匯總。該設(shè)計案例中有兩個關(guān)鍵要點。一個是功率開關(guān)中使用了SiC-MOSFET
2023-02-17 09:25:08480

SiC-MOSFET的特征

功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,為進一步實現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化,一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體的優(yōu)勢前面已經(jīng)介紹過,如低損耗、高速開關(guān)、高溫工作等,顯而易見這些優(yōu)勢是非常有用的。本章將通過其他功率晶體管的比較,進一步加深對SiC-MOSFET的理解。
2023-02-23 11:25:47203

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別

本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人,與其詳細研究每個參數(shù),不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動與Si-MOSFET的比較中應(yīng)該注意的兩個關(guān)鍵要點。
2023-02-23 11:27:57736

SiC-MOSFET的體二極管的特性

如圖所示,MOSFET(不局限于SiC-MOSFET)在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET的結(jié)構(gòu)上講,體二極管是由源極-漏極間的pn結(jié)形成的,也被稱為“寄生二極管”或“內(nèi)部二極管”。對于MOSFET來說,體二極管的性能是重要的參數(shù)之一,在應(yīng)用中使用時,其性能發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。
2023-02-24 11:47:402315

溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET與實際產(chǎn)品

SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中,ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET
2023-02-24 11:48:18426

SiC-MOSFET的應(yīng)用實例

本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容,總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現(xiàn)的新功能。
2023-02-24 11:49:19481

SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別是什么

相對于IGBT,SiC-MOSFET降低了開關(guān)關(guān)斷時的損耗,實現(xiàn)了高頻率工作,有助于應(yīng)用的小型化。相對于同等耐壓的SJ-MOSFET,導(dǎo)通電阻較小,可減少相同導(dǎo)通電阻的芯片面積,并顯著降低恢復(fù)損耗。
2023-09-11 10:12:33566

如何避免LLC諧振轉(zhuǎn)換器中的MOSFET出現(xiàn)故障?

如何避免LLC諧振轉(zhuǎn)換器中的MOSFET出現(xiàn)故障? 在LLC諧振轉(zhuǎn)換器中,MOSFET扮演著至關(guān)重要的角色。因為它們在轉(zhuǎn)換器的關(guān)鍵電路中,控制著電流的流動和開關(guān)。但是,由于轉(zhuǎn)換器的工作環(huán)境可能很嚴
2023-10-22 12:52:19369

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