反激開關(guān)電源的連續(xù)模式CCM和不連續(xù)模式DCM的差異，主要體現(xiàn)在變壓器設(shè)計上。這篇文章展開說明DCM將影響反激電源哪些技術(shù)參數(shù)。

如果受空間尺寸、物料成本限制，希望將反激開關(guān)電源設(shè)置在不連續(xù)模式DCM，則要求MOS管驅(qū)動占空比小于50%，通常設(shè)置最大占空比為45%，以減小變壓器的電感值，從而減小變壓器的尺寸。

初級繞組電感

在不連續(xù)模式DCM下，反激電源變壓器的初級繞組電感值計算公式如下：

上圖包含了四個公式，其中Pin指的是最大輸入功率，Po指的是最大輸出功率，Po=Pin×電源轉(zhuǎn)換效率，轉(zhuǎn)換效率可以取0.8，就可以看出前三個公式的本質(zhì)是一樣的，都是根據(jù)MOS管導(dǎo)通時刻電感儲能P=0.5×Lp×Ip2，及伏秒積Uin×ton=L×Ip、D=ton/T推導(dǎo)得到，只是公式寫法不一樣。第四個公式是根據(jù)MOS管導(dǎo)通時刻電感儲能P=0.5×Lp×Ip2，及功率的基本定義（功率是單位時間內(nèi)的能量）推導(dǎo)得到。

對公式進(jìn)行補(bǔ)充說明，Lm指的是反激電源變壓器初級繞組電感值，Vdc min指的是直流輸入電壓最小值，Dmax指的是最大占空比，fs指的是MOS管的開關(guān)頻率。通過以上公式，即可算出變壓器初級繞組的電感值。

當(dāng)確定了變壓器初級繞組的電感值，即可算出初級繞組的峰值電流。

初級繞組峰值電流

設(shè)Ipk是初級繞組的峰值電流，設(shè)Iav是初級繞組的平均電流，則當(dāng)電源設(shè)置為DCM時，Iav=0.5×Ipk×Dmax=Pin/Udc min。

次級繞組峰值電流及電流有效值

設(shè)Irms是初級繞組電流有效值，設(shè)Ispk是次級繞組電流的峰值電流，設(shè)Isrms是次級繞組電流有效值，則當(dāng)電源設(shè)置為DCM時，Ispk=Ipk×匝數(shù)比，Irms=Ipk×√(Dmax/3)，Isrms=Ispk×√((1-Dmax)/3)。

反饋回路

設(shè)置反激電源為不連續(xù)模式DCM，會影響以上幾個參數(shù)的設(shè)計。除此之外，DCM的反饋補(bǔ)償回路比CCM要相對簡單，下圖是實現(xiàn)反激開關(guān)電源系統(tǒng)穩(wěn)定的典型應(yīng)用電路，其中電阻R3和電容C1是頻率補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)，R3的推薦取值范圍為1k20k，C的推薦取值范圍為100nF470nF。