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電子發燒友網>MEMS/傳感技術>ST第三代傳感器的優勢特點與應用領域

ST第三代傳感器的優勢特點與應用領域

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2021-04-12 14:26:292879

ST推出第三代MEMS傳感器 全球首個集成ISP和Occula NPU的ASIC出世

  服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 推出其第三代MEMS傳感器。新一代傳感器助力消費類移動產品、智能工業、智能醫療和智能零售產品實現性能和功能新飛躍。
2022-03-11 15:00:401952

意法半導第三代MEMS傳感器實現性能和功能新飛躍

服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 推出其第三代MEMS傳感器。新一代傳感器助力消費類移動產品、智能工業、智能醫療和智能零售產品實現性能和功能新飛躍。
2022-03-15 09:43:24466

第三代半導體碳化硅器件在應用領域的深度分析

SiC(碳化硅)器件作為第三代半導體,具有禁帶寬度大、熱導率高、電子飽和遷移速率高和擊穿電場高等特性,碳化硅器件在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領域和新能源汽車、光伏、航天、軍工等環境應用領域有著不可替代的優勢...以下針對SiC器件進行深度分析:
2022-12-09 11:31:261087

如何化解第三代半導體的應用痛點

、射頻應用中的顯著 性能優勢第三代半導體逐漸顯露出廣闊的應用前景和市場發展潛力。 所謂第三代半導體,即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導體材料,又稱寬禁帶半導體。常見的第三代半導體材料主要包括碳化 硅(SiC)、氮化鎵
2023-02-27 15:23:542

什么是第三代半導體及寬禁帶半導體

領域的性能方面表現不佳,但還有性價 比助其占據市場。第二代半導體以砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)、磷化銦(InP)為代表,主要應用領域為光電子、微電 子、微波功率器件等。第三代半導體以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金
2023-02-27 15:20:113

如何化解第三代半導體的應用痛點

、射頻應用中的顯著 性能優勢第三代半導體逐漸顯露出廣闊的應用前景和市場發展潛力。 所謂第三代半導體,即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導體材料,又稱寬禁帶半導體。常見的第三代半導體材料主要包括碳化 硅(SiC)、氮化鎵
2023-02-27 14:37:561

霍爾傳感器應用領域

霍爾傳感器是一種能夠檢測和測量磁場的傳感器,其應用領域非常廣泛。隨著技術的發展和創新,霍爾傳感器應用領域也越來越多。本文將介紹一些常見的霍爾傳感器應用領域
2023-04-20 10:11:092332

國星光電第三代半導體看點盡在《GaN的SIP封裝及其應用》

展區,國星光電首次展出了應用于LED電源領域第三代半導體產品及其應用方案,這是公司立足自身優勢,推進第三代半導體應用邁向LED下游應用關鍵的一步。 于LED封裝領域,國星光電經過多年的發展和沉淀,已具備領先的技術優勢和良好的市場
2023-06-14 10:02:14437

第三代功率器件材料,氧化鎵

第三代半導體功率器件的理想材料,可以在溶劑中生長。
2022-01-13 17:39:231522

進入第三代半導體領域,開啟電子技術的新紀元

第三代寬禁帶半導體SiC和GaN在新能源和射頻領域已經開始大規模商用。與第一代和第二代半導體相比,第三代半導體具有許多優勢,這些優勢源于新材料和器件結構的創新。
2023-10-10 16:34:28295

第三代半導體龍頭涌現,全鏈布局從國產化發展到加速出海

第三代半導體以此特有的性能優勢,在半導體照明、新能源汽車、新一代移動通信、新能源并網、高速軌道交通等領域具有廣闊的應用前景。2020年9月,第三代半導體被寫入“十四五”規劃,在技術、市場與政策的三力驅動下,近年來國內涌現出多家第三代半導體領域龍頭公司。
2024-01-04 16:13:36431

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