在發(fā)展雙極型電路（Ｂｉｐｏｌａｒ　ＩＣ）之后，不久也開始研究ＭＯＳ（金屬--氧化物一一半導體）電路（ＭＯＳ　ＩＣ）。 １９６８年研究出ＰＭＯＳ電路，這是上海無線電十四廠首家搞成的。到七十年代初期，永川半導體研究所，即２４所，（它由石家莊１３所十一室搬到四川水川擴大而建的）上無十四廠和北京８７８廠相繼研制成ＮＭＯＳ電路。之后，又研制成ＣＭＯＳ電路。

　　在七十年代初期，由于受國外ＩＣ迅速發(fā)展和國內(nèi)“電子中心論”的影響，加上當時ＩＣ的價格偏高（一塊與非門電路不變價曾哀達５００元，利潤較大ｆ銷售利潤率有的廠高達４０％以上），而貨源又很緊張，因而造成各地ＩＣ廠點大量涌現(xiàn)，曾經(jīng)形成過一股“ＩＣ熱”。不少省市自治區(qū)，以及其他一些工業(yè)部門都興建了自己的ＩＣ工廠，造成--哄而起的局面。 在這期間，全國建設(shè)了四十多家集成電路工廠。四機部直屬廠有７４９廠（永紅器材廠）、 ８７１廠（天光集成電路廠）、 ８７８廠（東光電工廠）、 ４４３３廠（風光電工廠）和４４３５廠（韶光電工廠）等。各省市所建廠中有名的有：上海元件五廠、上無七廠、上無十四廠、上無十九廠、蘇州半導體廠、常州半導體廠、北京市半導體器件二廠、三廠、五廠、六廠、天津半導體（一）廠、航天部西安６９１廠等等。

　　集成電路一經(jīng)出現(xiàn)，隨著設(shè)備和工藝的不斷發(fā)展，集成度迅速提高。從小規(guī)模集成　　（ＳＳＩ），經(jīng)過中規(guī)模集成（ＭＳＬ），很快發(fā)展到大規(guī)模集成（ＬＳＩ），這在美國用８年時間。而中國在初始發(fā)展階段中出僅用７年時間走完這段路，與國外差距還不是很大。

　　１９７２年中國第一塊ＰＭＯＳ型ＬＳＴ電路在四川永川半導體研究所研制成功，為了加速發(fā)展ＬＳＩ，中國接連召開了三次全國性會議，第一次１９７４年在北京召開，第二次　　１９７５年在上海召開；第三次１９７７年在大三線貴州省召開。

　　為了提高工藝設(shè)備的技術(shù)水平，并了解國外ＩＣ發(fā)展的狀況，在１９７３年中日邦交恢復一周年之際，中國組織了由１４人參加的電子工業(yè)考察團赴日本考察ＩＣ產(chǎn)業(yè)，參觀了日本當時八大ＩＣ公司：日立、ＮＥＣ、東芝、三菱、富士通、三洋、沖電氣和夏普，以及不少設(shè)備制造廠。原先想與ＮＥＣ談成全線引進，因政治和資金原因沒有成勻丟失了一次機迂。后來改為由七個單位從國外購買單位臺設(shè)備，期望建成七條工藝線。最后成線的只有北京８７８廠，航天部陜西驪山７７１所和貴州都勻４４３３廠。

　　這一階段１５年，從研制小規(guī)模到大規(guī)模電路，在技術(shù)上中國都依靠自己的力量，只是從國外進口了一些水平較低的工藝設(shè)備，與國外差距逐漸加大。在這期間美國和日本已先后進入ＩＣ規(guī)模生產(chǎn)的階段。