（GaAs）晶圓上實(shí)現(xiàn)的。光電子驅(qū)動(dòng)砷化鎵（GaAs）晶圓市場(chǎng)增長(zhǎng)GaAs晶圓已經(jīng)是激光器和LED技術(shù)領(lǐng)域幾十年的老朋友了，主要應(yīng)用有復(fù)印機(jī)、DVD播放器甚至激光指示器。近年來，LED推動(dòng)了化合物半導(dǎo)體
2019-05-12 23:04:07
、光電子器件（發(fā)光二極管LED、激光器LD、探測(cè)器紫外）、電力電子器件（二極管、MOSFET、JFET、BJT、IGBT、GTO、ETO、SBD、HEMT等）、微波射頻器件（HEMT、MMIC）晶圓制造
2021-12-07 11:04:24
工藝設(shè)計(jì)與優(yōu)化應(yīng)用領(lǐng)域：集成電路（硅柵、鋁柵CMOS、BiCMOS）、分立器件(DIODE、TRANSISTOR、MOS)、功率器件（DMOS、VDMOS、LDMOS、BCD、IGBT）、特種器件、光電子器件、半導(dǎo)體傳感器、MEMS等`
2015-01-07 16:15:47
光電探測(cè)器的主要噪聲源有以下幾種：
散彈噪聲：這是由于光電探測(cè)器中的光電子或載流子隨機(jī)產(chǎn)生造成的，存在于真空發(fā)射管和半導(dǎo)體器件中，屬于白噪聲。
熱噪聲：這是由于暗電流大小與偏壓、溫度及反向飽和電流
2023-09-01 17:05:31
3.125 Gb/s傳輸速率下,分別輸入信號(hào)幅度為10和500 mV,可以得到500 mV恒定輸出擺幅。【關(guān)鍵詞】：集成光學(xué);;金屬-半導(dǎo)體-金屬光探測(cè)器;;電流模跨阻放大器;;限幅放大器【DOI】：CNKI
2010-04-24 10:15:10
概述：MOC3041是早期仙童半導(dǎo)體公司出品的一款光電耦合器，其內(nèi)部包括一只砷化鎵紅外發(fā)光二極管和單片硅探測(cè)器，構(gòu)成雙向可控硅過零觸發(fā)驅(qū)動(dòng)程序，用于邏輯控制電路系統(tǒng)，如固態(tài)繼電器，工業(yè)控制，電機(jī)，電磁鐵和消費(fèi)類等。
2021-04-08 06:08:00
一、半導(dǎo)體光電效應(yīng)傳感器1.半導(dǎo)體光電效應(yīng)傳感器工作原理半導(dǎo)體光電效應(yīng)傳感器的工作原理基于兩個(gè)效應(yīng)：光電導(dǎo)效應(yīng)和光生伏特效應(yīng)。光電導(dǎo)效應(yīng)：當(dāng)光投射在半導(dǎo)體上時(shí)，光子的能量在半導(dǎo)體中激發(fā)出非平衡
2017-12-22 16:29:23
進(jìn)口日本半導(dǎo)體硅材料呆料，硅含量高，其中有些硅圓片，打磨減薄后可以成為硅晶圓芯片的生產(chǎn)材料。聯(lián)系方式：沈女士（***）
2020-01-06 09:59:44
顆粒沾附在制作半導(dǎo)體組件的晶圓上，便有可能影響到其上精密導(dǎo)線布局的樣式，造成電性短路或斷路的嚴(yán)重后果。為此，所有半導(dǎo)體制程設(shè)備，都必須安置在隔絕粉塵進(jìn)入的密閉空間中，這就是潔凈室的來由。潔凈室的潔凈等級(jí)
2011-08-28 11:55:49
在制造半導(dǎo)體器件時(shí)，為什么先將導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的硅或鍺制成本征半導(dǎo)體，使之導(dǎo)電性極差，然后再用擴(kuò)散工藝在本征半導(dǎo)體中摻入雜質(zhì)形成N型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體改善其導(dǎo)電性？
2012-07-11 20:23:15
器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管 第二部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時(shí)：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時(shí)：A-PNP型鍺
2021-05-25 07:46:36
閾值叫死區(qū)電壓，硅管約0.5V，鍺管約0.1V。（硅和鍺是制造晶體管最常用的兩種半導(dǎo)體材料，硅管較多，鍺管較少）也就是我們?cè)诙O管整流得時(shí)候理想是，整個(gè)周期都是導(dǎo)通的，但是由于死區(qū)電壓的存在，實(shí)際上并不是全部導(dǎo)通的，當(dāng)半導(dǎo)體電壓
2021-09-03 07:21:43
方案是把24個(gè)微型聚焦頭固定在 Y軸上，再把X,Y高精度二維平臺(tái)放在生產(chǎn)線的下面，照射方式選擇從下往上照射晶圓基板，通過金屬基板熱傳遞來固化；CCD1和CCD2進(jìn)行自動(dòng)定位；激光器實(shí)時(shí)監(jiān)控，如有報(bào)警信息
2011-12-02 14:03:52
年代，當(dāng)材料的提純技術(shù)改進(jìn)以后，半導(dǎo)體才得到工業(yè)界的重視。常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅則是各種半導(dǎo)體材料中，在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種。芯片芯片(chip)，又稱微芯片
2020-11-17 09:42:00
在庫存回補(bǔ)需求帶動(dòng)下，包括環(huán)球晶、臺(tái)勝科、合晶、嘉晶等硅晶圓廠第二季下旬出貨續(xù)旺，現(xiàn)貨價(jià)出現(xiàn)明顯上漲力道，合約價(jià)亦確認(rèn)止跌回升。 新冠肺炎疫情對(duì)半導(dǎo)體材料的全球物流體系造成延遲影響，包括晶圓
2020-06-30 09:56:29
旋轉(zhuǎn)拉伸的方法做成圓形的晶棒。有兩種不同的生長(zhǎng)方法：直拉法和區(qū)熔法。a)直拉法CZ法（切克勞斯基Czchralski）：把熔化了的半導(dǎo)體級(jí)硅液體變?yōu)橛姓_晶向并且被摻雜成N型或P型的固體單晶硅錠
2019-09-17 09:05:06
應(yīng)該花一點(diǎn)時(shí)間來讓大家了解一下半導(dǎo)體的2個(gè)基本生產(chǎn)參數(shù)—硅晶圓尺寸和蝕刻尺寸。 當(dāng)一個(gè)半導(dǎo)體制造者建造一個(gè)新芯片生產(chǎn)工廠時(shí)，你將通常看到它上在使用相關(guān)資料上使用這2個(gè)數(shù)字：硅晶圓尺寸和特性尺寸。硅晶
2011-12-01 16:16:40
大家都知道臺(tái)積電世界第一名的晶圓代工廠，不過，你知道晶圓和芯片到底是什么，又有多重要嗎？認(rèn)識(shí)晶圓和芯片之前，先認(rèn)識(shí)半導(dǎo)體地球上的各種物質(zhì)和材料具有不同的導(dǎo)電性，導(dǎo)電效果好的稱為“導(dǎo)體”，無法導(dǎo)電
2022-09-06 16:54:23
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅
2011-12-01 14:53:05
蘇州晶淼半導(dǎo)體公司 是集半導(dǎo)體、LED、太陽能電池、MEMS、硅片硅料、集成電路于一體的非標(biāo)化生產(chǎn)相關(guān)清洗腐蝕設(shè)備的公司 目前與多家合作過 現(xiàn)正在找合作伙伴 ！如果有意者 請(qǐng)聯(lián)系我們。
2016-08-17 16:08:23
` 硅是由石英沙所精練出來的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999%），接著是將些純硅制成硅晶棒，成為制造積體電路的石英半導(dǎo)體的材料，經(jīng)過照相制版，研磨，拋光，切片等程序，將多晶硅融解拉出單晶硅晶棒
2011-09-07 10:42:07
`什么是硅晶圓呢，硅晶圓就是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片。晶圓是制造IC的基本原料。硅晶圓和晶圓有區(qū)別嗎？其實(shí)二者是一個(gè)概念。集成電路（IC）是指在一半導(dǎo)體基板上，利用氧化、蝕刻、擴(kuò)散等方法
2011-12-02 14:30:44
光子集成電路(PIC)是一項(xiàng)新興技術(shù)，它基于晶態(tài)半導(dǎo)體晶圓集成有源和無源光子電路與單個(gè)微芯片上的電子元件。硅光子是實(shí)現(xiàn)可擴(kuò)展性、低成本優(yōu)勢(shì)和功能集成性的首選平臺(tái)。采用該技術(shù)，輔以必要的專業(yè)知識(shí)，可
2017-11-02 10:25:07
，通常將光器件集成在同一硅基襯底上。硅光芯片的具有集成度高、成本低、傳輸線更好等特點(diǎn)，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">硅光芯片以硅作為集成芯片的襯底，所有能集成更多的光器件；在光模塊里面，光芯片的成本非常高，但隨著傳輸速率要求，晶
2020-11-04 07:49:15
硅基光電子集成芯片，摩爾定律：摩爾定律是由英特爾（Intel）創(chuàng)始人之一戈登·摩爾（Gordon Moore）提出來的。其內(nèi)容為：當(dāng)價(jià)格不變時(shí)，集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔18-24個(gè)月
2021-07-27 08:18:42
本征半導(dǎo)體 沒有雜質(zhì)的純凈的晶體才算得上本征半導(dǎo)體，比如硅、鍺。 本征半導(dǎo)體是不導(dǎo)電的，為什么這么說呢？ 首先我們需要了解硅原子的最外層結(jié)構(gòu)，硅原子最外層有四個(gè)電子。 經(jīng)過一系列
2021-02-20 14:43:21
所需電路功能的微型結(jié)構(gòu)；其中所有元件在結(jié)構(gòu)上已組成一個(gè)整體，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進(jìn)了一大步。當(dāng)今半導(dǎo)體工業(yè)大多數(shù)應(yīng)用的是基于硅的集成電路，是20世紀(jì)50年代后期到60年代
2021-09-15 06:45:56
非晶態(tài)半導(dǎo)體的閾值開關(guān)機(jī)理介紹閾值開關(guān)的機(jī)理有哪幾種模型？
2021-04-08 06:32:31
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:57 編輯
非晶與超微晶材料的應(yīng)用
2012-08-20 16:22:46
利用semitec獨(dú)特微嵌晶結(jié)構(gòu)的硅元素技術(shù)工藝生產(chǎn)的紅外傳感器，用于耳溫測(cè)量、微波爐、非接觸性溫度測(cè)量?jī)x。日本10TP583T。
2011-07-07 14:37:52
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導(dǎo)體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術(shù)，瞄準(zhǔn)主流消費(fèi)
2018-02-12 15:11:38
概述：MC145012是飛思卡爾半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款光電式煙霧探測(cè)器IC芯片時(shí)間模式喇叭驅(qū)動(dòng)器。它為雙列直插16腳DIP封裝。
2021-05-18 06:22:32
晶振與晶體的區(qū)別是什么？MEMS硅晶振與石英晶振區(qū)別是什么？晶振與晶體的參數(shù)有哪些？
2021-06-08 07:03:42
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors），近日推出業(yè)界領(lǐng)先的QUBIC4 BiCMOS硅技術(shù)，鞏固了其在射頻領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，實(shí)現(xiàn)在高頻率上提供更優(yōu)的性能和更高集成度的同時(shí)，為客戶帶來成本
2019-07-12 08:03:23
增加一個(gè)功率變換電路，將整流器的輸入電流校正成為與電網(wǎng)電壓同相位的正弦波，消除了諧波和無功電流，因而將電網(wǎng)功率因數(shù)提高到近似為。常見PFC電感有鐵硅鋁PFC電感和非晶PFC電感。鐵硅鋁PFC電感磁芯由
2020-05-09 09:09:42
R422C波導(dǎo)探測(cè)器數(shù)據(jù)表
2019-04-23 16:28:50
和工業(yè)上的燃燒裝置的燃料燃燒火焰的監(jiān)測(cè)。IRD 紅外光火焰探測(cè)器IRD 紅外光火焰探測(cè)器上海就瑞機(jī)械設(shè)備有限公司 銷售電話021-56467099*** (微信同號(hào)） 劉小姐，QQ2411315092
2018-04-27 12:28:39
和 102 之間變化Q cm（硅的電阻率在 0.1 到 60 Qcm 之間）。半導(dǎo)體介于絕緣體和導(dǎo)體之間，因?yàn)樗鼈兊膸叮▋r(jià)帶最高能級(jí)與電導(dǎo)帶最低能級(jí)之間的能量差）相對(duì)較小。分子軌道理論指出，當(dāng)原子
2021-07-01 09:38:40
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：CMOS 單元工藝編號(hào)：JFSJ-21-027作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html晶圓生產(chǎn)需要三個(gè)一般過程：硅
2021-07-06 09:32:40
由于集成電路 (IC) 規(guī)模的不斷減小以及對(duì)降低成本 、提高產(chǎn)量和環(huán)境友好性的要求不斷提高，半導(dǎo)體器件制造創(chuàng)新技術(shù)的發(fā)展從未停止過。最近在硅濕法清洗工藝中引入臭氧技術(shù)以取代傳統(tǒng)的 RCA 方法引起了業(yè)界的興趣
2021-07-06 09:36:27
光源。該問題的一種解決方案是硅與 III-V 族半導(dǎo)體的混合集成。在混合集成中，III-V 族半導(dǎo)體鍵合在 SOI 波導(dǎo)電路的頂部。有源光子功能（光發(fā)射、放大）由 III-V 材料執(zhí)行，而無源功能
2021-07-08 13:14:11
`書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：在硅上生長(zhǎng)的 InGaN 基激光二極管的腔鏡的晶圓制造編號(hào)：JFSJ-21-034作者：炬豐科技 摘要：在硅 (Si) 上生長(zhǎng)的直接帶隙 III-V
2021-07-09 10:21:36
`書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：超大規(guī)模集成電路制造技術(shù)簡(jiǎn)介編號(hào)：JFSJ-21-076作者：炬豐科技概括VLSI制造中使用的材料材料根據(jù)其導(dǎo)電特性可分為三大類：絕緣體導(dǎo)體半導(dǎo)體
2021-07-09 10:26:01
元素構(gòu)成的半導(dǎo)體，其中對(duì)硅、錫的研討比擬早。它是由相同元素組成的具有半導(dǎo)體特性的固體資料，容易遭到微量雜質(zhì)和外界條件的影響而發(fā)作變化。目前，只要硅、鍺性能好，運(yùn)用的比擬廣，硒在電子照明和光電范疇中應(yīng)用。硅在
2020-03-26 15:40:25
`晶圓是如何生長(zhǎng)的？又是如何制備的呢？本文的主要內(nèi)容有：沙子轉(zhuǎn)變?yōu)?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體級(jí)硅的制備，再將其轉(zhuǎn)變成晶體和晶圓，以及生產(chǎn)拋光晶圓要求的工藝步驟。這其中包括了用于制造操作晶圓的不同類型的描述。生長(zhǎng)
2018-07-04 16:46:41
、3-三極管 第二部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時(shí)：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時(shí)：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料
2021-05-25 08:01:53
，除了電感器和一些無源元件，大多數(shù)電子器件都可以在單個(gè)硅芯片上制造。硅是用于集成電路(IC)制造的最常見的半導(dǎo)體材料，盡管它不是唯一的一種。讓我們來研究一下集成電路制造中使用的不同的半導(dǎo)體材料，以及
2022-04-04 10:48:17
50多年前硅（Si）集成電路的發(fā)明意義重大，為我們當(dāng)前所享受的現(xiàn)代計(jì)算機(jī)和電子產(chǎn)品時(shí)代鋪平了道路。但是正如俗話所說，天下沒有不散的筵席，現(xiàn)在存在疑問的是，硅在半導(dǎo)體行業(yè)的霸主地位將何時(shí)終結(jié)？據(jù)
2019-07-30 07:27:44
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
半導(dǎo)體晶圓（晶片）的直徑為4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤，在制造過程中可承載非本征半導(dǎo)體。它們是正（P）型半導(dǎo)體或負(fù)（N）型半導(dǎo)體的臨時(shí)形式。硅晶片是非常常見的半導(dǎo)體晶片，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">硅
2021-07-23 08:11:27
基于霍耳效應(yīng)的半導(dǎo)體磁電轉(zhuǎn)換傳感器。在磁場(chǎng)測(cè)量以及利用磁場(chǎng)作為媒介對(duì)位移、速度、加速度、壓力、角度、角速度、流量、電流、電功率等許多非電量測(cè)量中，半導(dǎo)體磁敏元件是一種重要的器件。磁敏元件分霍耳元件
2019-09-10 10:42:32
` 晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅
2011-12-01 11:40:04
低溫多晶硅制程是利用準(zhǔn)分子雷射作為熱源，雷射光經(jīng)過投射系統(tǒng)後，會(huì)產(chǎn)生能量均勻分布的雷射光束，投射于非晶矽結(jié)構(gòu)的玻璃基板上，當(dāng)非晶矽結(jié)構(gòu)玻璃基板吸收準(zhǔn)分子雷射的能量后，會(huì)轉(zhuǎn)變成為多晶硅結(jié)構(gòu)，因整個(gè)處理過程都是在600℃以下完成，所以一般玻璃基板皆可適用。
2019-09-18 09:11:05
低串聯(lián)電阻型硅探測(cè)器 型號(hào)受光面積響應(yīng)波長(zhǎng)實(shí)物芯片封裝尺寸mm面積mm2波峰nm響應(yīng)波段nmPS30-4TO85.4x5.430820400-11001PC100-4U1
2010-10-09 16:29:03
裝置上測(cè)量的PILATUS傳感器的量子效率。可定制，以符合您的要求除了標(biāo)準(zhǔn)的320微米厚的硅傳感器，你可以定制您的PILATUS探測(cè)器450或1000微米厚的硅傳感器以匹配您的X射線光源能量（見表
2014-03-03 19:12:54
重大突破。硅基光電子集成回路是通過將光發(fā)射器 、光波導(dǎo)/調(diào)制器、光電探測(cè)器及驅(qū)動(dòng)電路和接收器電路等模塊制作在同一襯底上而實(shí)現(xiàn)了單片集成。所有器仵 均采用標(biāo)準(zhǔn)集成電路工藝制備，或是僅僅對(duì)工藝進(jìn)行微小的修改
2011-11-15 10:51:27
通過充分利用互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)，并將嵌入式微控制器(MCU)和數(shù)字信號(hào)處理(DSP)以及智能雷達(dá)前端集成在內(nèi)，TI日前推出了橫跨具有完整端到端開發(fā)平臺(tái)的76-81GHz傳感器系列
2019-07-30 07:03:34
18914951168求購廢硅片、碎硅片、廢晶圓、IC藍(lán)膜片、頭尾料 大量收購單晶硅~多晶硅各種廢硅片，頭尾料，邊皮料，IC碎硅片，...
2010-10-31 14:00:00
哪位知道非制冷焦平面紅外探測(cè)器工作原理？？熱成像儀上的用，它可以將被測(cè)物體的紅外熱普?qǐng)D以高清晰度、高靈敏度的偽彩圖像方式呈現(xiàn)？通俗解釋一下，網(wǎng)上查找也沒有查到；
2020-03-16 14:47:19
生產(chǎn)，因而具有廣闊的市場(chǎng)前景。薄膜電池基本上分為：非/微晶硅薄膜電池、CIGS薄膜電池和CdTe薄膜電池三種。其中，GIGS的轉(zhuǎn)換效率最高，約為10%～12%，CdTe的轉(zhuǎn)換效率次之，約為8.5
2016-01-29 15:46:43
面對(duì)半導(dǎo)體硅晶圓市場(chǎng)供給日益吃緊，大廠都紛紛開始大動(dòng)作出手搶貨了。前段時(shí)間存儲(chǔ)器大廠韓國(guó)三星亦到中國(guó)***地區(qū)擴(kuò)充12寸硅晶圓產(chǎn)能，都希望能包下環(huán)球硅晶圓的部分生產(chǎn)線。難道只因半導(dǎo)體硅晶圓大廠環(huán)球晶
2017-06-14 11:34:20
影響光發(fā)射精度的缺陷，因此，采用CFT激光器的硅光子集成電路需經(jīng)過繁瑣的裝配過程，必須采取主動(dòng)方式將激光器對(duì)準(zhǔn)硅芯片：首先將激光器上電，通過物理操作改善光耦合，然后鎖定到位。這一過程既浪費(fèi)時(shí)間，又成
2017-10-17 14:52:31
管更好。1.2 Ge和Si晶體管的區(qū)別主要區(qū)別在于結(jié)壓降不同，鍺管的正向壓降較低約0.3V，硅管較高約0.7V。此外，硅材料豐富，制造工藝適合批量生產(chǎn)，因此被廣泛應(yīng)用，成為電子設(shè)備的主角。鍺半導(dǎo)體材料
2023-02-07 15:59:32
如何提高APD的光電轉(zhuǎn)換效能？噪聲對(duì)光電探測(cè)器電路的影響是什么？如何設(shè)計(jì)一個(gè)高增益的光電探測(cè)器電路？
2021-04-14 06:23:04
選擇：人眼安全性、與大氣的相互作用、可選用的激光器以及可選用的光電探測(cè)器。 最受歡迎的兩種波長(zhǎng)是905 nm和1550 nm，905 nm光波的主要優(yōu)點(diǎn)是硅能吸收此波長(zhǎng)的光子，而硅基光電探測(cè)器通常比
2018-11-08 10:42:36
變化。SiGeBiCMOS工藝技術(shù)幾乎與硅半導(dǎo)體超大規(guī)模集成電路(VLSI)行業(yè)中的所有新技術(shù)兼容，包括絕緣體硅(SOI)技術(shù)和溝道隔離技術(shù)。不過硅鍺要想取代砷化鎵的地位還需要繼續(xù)在擊穿電壓、截止頻率
2016-09-15 11:28:41
）、鈮酸鋰和鉭酸鋰、有機(jī)聚合物、硅和鍺半導(dǎo)體，因此器件的種類也很多。光波導(dǎo)器件能否像集成電路產(chǎn)業(yè)一樣，只采用硅這一種材料呢？由于作為激光器的介質(zhì)要求是直接帶隙才能激射，而硅是間接帶隙。因此自光纖通信
2018-02-22 10:06:53
群“芯”閃耀的半導(dǎo)體行業(yè)行業(yè)全接觸——電子技術(shù)與半導(dǎo)體行業(yè) 半導(dǎo)體半導(dǎo)體是指常溫下導(dǎo)電性介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料。主要的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵、硅鍺復(fù)合材料等。半導(dǎo)體器件可以通過結(jié)構(gòu)和材料上
2008-09-23 15:43:09
;nbsp; 用激光對(duì)晶圓進(jìn)行精密劃片是晶圓-尤其是易碎的單晶半導(dǎo)體晶圓如硅晶圓刀片機(jī)械劃片裂片的替代工藝。激光能對(duì)所有
2010-01-13 17:01:57
；MEMS硅晶振作為振蕩源，需要PLL電路去校準(zhǔn)頻率制造公差和溫度系數(shù)。MEMS振蕩器更適合高振動(dòng)環(huán)境，非關(guān)鍵定時(shí)應(yīng)用以及信號(hào)噪聲比不重要的應(yīng)用。像高速通信，復(fù)雜調(diào)制方案，出色的信噪比之類
2020-05-30 13:25:53
·基爾比（基于鍺（Ge）的集成電路）和羅伯特·諾伊思（基于硅（Si）的集成電路）。當(dāng)今半導(dǎo)體工業(yè)大多數(shù)應(yīng)用的是基于硅的集成電路。集成電路是20世紀(jì)50年代后期一60年代發(fā)展起來的一種新型半導(dǎo)體器件
2020-04-22 11:55:14
其他電子設(shè)備的一部分。芯片（chip）就是半導(dǎo)體元件產(chǎn)品的統(tǒng)稱，是 集成電路（IC， integrated circuit）的載體，由晶圓分割而成。硅片是一塊很小的硅，內(nèi)含集成電路，它是計(jì)算機(jī)或者其他
2020-02-18 13:23:44
蘇州晶淼半導(dǎo)體公司 是集半導(dǎo)體、LED、太陽能電池、MEMS、硅片硅料、集成電路于一體的非標(biāo)化生產(chǎn)相關(guān)清洗腐蝕設(shè)備的公司 目前與多家合作過 現(xiàn)正在找合作伙伴 ！如果有意者 請(qǐng)聯(lián)系我們。
2016-08-17 16:38:15
氣體在加熱基板上反應(yīng)或分解使其生成物淀積到基板上形成薄膜。CVD技術(shù)可以分為常壓、低壓、等離子體增強(qiáng)等不同技術(shù)。采用CVD所能制作的膜有多晶硅、單晶硅、非晶硅等半導(dǎo)體薄膜，氧化硅、氮化硅等絕緣體介質(zhì)
2018-11-05 15:42:42
的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態(tài)半導(dǎo)體外，還有非晶態(tài)的玻璃半導(dǎo)體、有機(jī)半導(dǎo)體等。 半導(dǎo)體的分類，按照其制造技術(shù)可以分為：集成電路器件，分立器件、光電半導(dǎo)體、邏輯IC、模擬IC、儲(chǔ)存器等大類
2016-11-27 22:34:51
非隔離開關(guān)電源方案，怎樣負(fù)壓驅(qū)動(dòng)雙向可控硅啊！
2018-07-30 11:48:27
，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41
高阻硅材料進(jìn)口半導(dǎo)體單晶硅、高阻硅片，有n型、p型、本征硅片，晶向〈111〉、〈100〉、〈110〉，直徑1～8寸的單拋硅片、雙拋硅片、氧化硅片，超平硅片、超薄硅片、超厚硅片，異型硅片，電阻率30000Ω.Cm，詳細(xì)參數(shù)來電咨詢，也可根據(jù)用戶要求生產(chǎn)。歡迎垂詢，***.
2018-01-22 11:49:03
氧化鋯基氧化鋁 - 半導(dǎo)體晶圓研磨粉 (AZ) 系列半導(dǎo)體晶圓研磨粉是一種細(xì)粉磨料，是作為需要高精度的包裹材料而開發(fā)的。原材料粒度分布尖銳，粒度穩(wěn)定，形狀呈塊狀。再以熔融氧化鋁為原料，鋯英
2022-05-31 14:21:38
質(zhì)：Sapphire、LT/LN(含透明和非黑化基板)、Si 、 SiC；? 客戶端OPTM測(cè)量頭，設(shè)備尺寸556(W)×566(D)×618(H)mm，單次檢測(cè)C/T約2
2022-10-27 13:43:41
光電二極管。當(dāng)終端連接到示波器上時(shí)，可以測(cè)量激光的脈沖寬度。當(dāng)終端連接到一個(gè)頻譜分析儀上，可以測(cè)量激光的頻率響應(yīng)。EOT的硅光電探測(cè)器內(nèi)置由長(zhǎng)壽命的鋰電池組成的偏置電
2023-03-15 11:10:46
集成光電智能探測(cè)器SOC研究王旭（北京地太科特電子技術(shù)有限公司，北京 100102）摘要：本文研究了一種新型的硅光電探測(cè)器（即智能探測(cè)器），它使用CMOS兼容工藝，將光電
2009-12-19 08:19:02
11 TC-Wafer是將高精度溫度傳感器鑲嵌在晶圓表面，對(duì)晶圓表面的溫度進(jìn)行實(shí)時(shí)測(cè)量。通過晶圓的測(cè)溫點(diǎn)了解特定位置晶圓的真實(shí)溫度，以及晶圓整體的溫度分布，同還可以監(jiān)控半導(dǎo)體設(shè)備控溫過程中晶圓發(fā)生的溫度
2023-12-21 08:58:53
1 序言
本文所討論的智能探測(cè)器，是一種集成的半導(dǎo)體光電探測(cè)器。它與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體光敏器件相比，
2011-01-07 15:32:20
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光探測(cè)器按照工作原理和結(jié)構(gòu)，通常分為光電探測(cè)器和熱電探測(cè)器，其中光電探測(cè)器包括真空光電器件（光電倍增管等）和固體光電探測(cè)器（光電二極管、光導(dǎo)探測(cè)器、CCD等）。
2017-11-28 09:04:4123502 
半導(dǎo)體探測(cè)器是以半導(dǎo)體材料為探測(cè)介質(zhì)的輻射探測(cè)器。最通用的半導(dǎo)體材料是鍺和硅，其基本原理與氣體電離室相類似，故又稱固體電離室。半導(dǎo)體探測(cè)器的基本原理是帶電粒子在半導(dǎo)體探測(cè)器的靈敏體積內(nèi)產(chǎn)生電子－空穴
2019-12-06 09:47:3914289 工作在零偏壓下的波導(dǎo)光探測(cè)器外電路簡(jiǎn)單，器件具有低功耗、易集成等優(yōu)點(diǎn)，因此設(shè)計(jì)零偏壓下的高速、高響應(yīng)度、具有波長(zhǎng)選擇性的波導(dǎo)光探測(cè)器具有重要意義和更廣闊的應(yīng)用前景。
2023-06-28 09:34:38473 
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