應用領域，富昌電子結合自身的技術積累和項目經驗，落筆于SiC相關設計的系列文章。希望以此給到大家一定的設計參考，并期待與您進一步的交流。 ? 上一篇我們先就SiC MOSFET的驅動電壓做了一定的分析及探討（SiC設計分享（一）：SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討）。本
2022-06-16 07:00:00
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于SiC相關設計的系列文章。希望以此給到大家一定的設計參考，并期待與您進一步的交流。 ? 前兩篇文章我們分別探討了 SiC MOSFET的驅動電壓 ，以及 SiC器件驅動設計中的寄生導通問題 。本文作為系列文章的第三篇，會從SiC MOS寄生電容損耗與傳統Si MOS作比較，給
2022-07-07 09:55:002357 
在很寬的范圍內實現對器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被認為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型（晶體多晶型），并且每種多型顯示不同的物理特性。對于功率器件，4H-SiC被認為是理想的，其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產。
2022-11-22 09:59:261373 富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業的技術服務，為客戶打造個性化的解決方案，進而縮短產品的設計周期、加快行業發展的步伐。在第三代半導體的實際應用領域，富昌電子結合自身
2022-08-30 09:31:001210 
半導體器件具有導通電阻小、阻斷電壓高、耐高溫耐高壓等優點。隨著SiC基半導體工藝的成熟，SiC成為工作于較高環境溫度和較大功率場合下的--寬禁帶半導體材料。近年來隨著電力電子技術在電動汽車、風力發電
2019-10-24 14:25:15
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
SIC438BEVB-B
2023-04-06 23:31:02
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體的新型高效率、超快速功率轉換器已經開始在各種創新市場和應用領域攻城略地——這類應用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
的穩健性、可靠性、高頻應用中的瞬時振蕩以及故障處理等問題。這就需要工程師深入了解SiC MOSFET的工作特征及其對系統設計的影響。如圖1所示，與同類型的Si MOSFET相比，900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
。例如，自六年前Digi-Key首次發布以來，即使SiC MOSFET價格仍然高出2-3倍，TO-247中1200 V，80mΩ器件的價格也下降了80％以上。比類似的硅IGBT。在今天的價格水平上，設計人
2023-02-27 13:48:12
產品系列包括以下SiC MOSFET：1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ，均采用TO247-3L封裝。其他器件很快將在同一封裝中投入生產，加上類似器件將采用TO247-4L
2019-07-30 15:15:17
SiC SBD 晶圓級測試 求助：需要測試的參數和測試方法謝謝
2020-08-24 13:03:34
二極管（FRD:快速恢復二極管），能夠明顯減少恢復損耗。有利于電源的高效率化，并且通過高頻驅動實現電感等無源器件的小型化，而且可以降噪。 廣泛應用于空調、電源、光伏發電系統中的功率調節器、電動汽車
2019-03-14 06:20:14
二極管（FRD:快速恢復二極管），能夠明顯減少恢復損耗。有利于電源的高效率化，并且通過高頻驅動實現電感等無源器件的小型化，而且可以降噪。 廣泛應用于空調、電源、光伏發電系統中的功率調節器、電動汽車
2019-04-22 06:20:22
1. 器件結構和特征 Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。 IGBT
2023-02-07 16:40:49
與Si-MOSFET有怎樣的區別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅動與Si-MOSFET的比較中應該注意的兩個關鍵要點。與Si-MOSFET的區別：驅動電壓SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比，由于漂移層
2018-11-30 11:34:24
1. 器件結構和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-04-09 04:58:00
離子有時會引發半導體器件的單粒子效應，這已成為需要解決的問題。在對SiC-MOSFET（n=15）進行的白色中子照射試驗（能量：1～400MeV，由大阪大學核物理研究中心RCNP實施）中，在Vds
2018-11-30 11:30:41
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現的新功能。另外，除了
2018-11-27 16:38:39
進行半導體元器件的評估時，電氣/機械方面的規格和性能當然是首先要考慮的，而可靠性也是非常重要的因素。尤其是功率元器件是以處理較大功率為前提的，更需要具備充分的可靠性。SiC-SBD的可靠性SiC作為
2018-11-30 11:50:49
-SBD的發展，整理一下當前實際上供應的SiC-SBD。電源IC等通過不同的架構和配置功能比較容易打造出品牌特色，而二極管和晶體管等分立元器件，功能本身是一樣的，因此是直接比較幾乎共通的特性項目來選型的。此時
2018-11-30 11:51:17
繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。SiC肖特基勢壘二極管和Si肖特基勢壘二極管下面從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結構開始
2018-11-29 14:35:50
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉換器SiC/GaN具有的優勢
2021-03-10 08:26:03
SiC46x是什么？SiC46x有哪些優異的設計？SiC46x的主要應用領域有哪些？
2021-07-09 07:11:50
與硅相比，SiC有哪些優勢？SiC器件與硅器件相比有哪些優越的性能？碳化硅器件的缺點有哪些？
2021-07-12 08:07:35
推動電網柔性半導體化進程，SiC器件在新型電力系統中應用前景廣闊。在可預見的未來，電力電子器件將向高頻、高效、高功率密度方向快速發展。 在電力系統領域，隨著對高電壓、大電流SiC器件需求的不斷增長
2023-02-27 14:22:06
1. 器件結構和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-05-07 06:21:55
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應用于工業機器的電源或光伏發電的功率調節器等。2. 電路構成現在量產中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1類型
2019-05-06 09:15:52
，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為合適
2019-07-23 04:20:21
具有成本效益的大功率高溫半導體器件是應用于微電子技術的基本元件。SiC是寬帶隙半導體材料，與Si相比，它在應用中具有諸多優勢。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可高達600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
/電子設備實現包括消減待機功耗在內的節能目標。在這種背景下，削減功率轉換時產生的能耗是當務之急。不用說，必須將超過Si極限的物質應用于功率元器件。例如，利用SiC功率元器件可以比IGBT的開關損耗降低85
2018-11-29 14:35:23
的不是全SiC功率模塊特有的評估事項，而是單個SiC-MOSFET的構成中也同樣需要探討的現象。在分立結構的設計中，該信息也非常有用。“柵極誤導通”是指在高邊SiC-MOSFET＋低邊
2018-11-30 11:31:17
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應用于工業機器的電源或光伏發電的功率調節器等。2. 電路構成現在量產中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1類型
2019-03-25 06:20:09
設計結構有待優化，價格較高，但肯定是未來的方向。 SiC投資陸續開花結果功率器件是電動汽車電力電子系統的“心臟”，承擔著對電能進行轉換和控制的作用，電動汽車對其需求巨大。電動汽車飛速發展，也給了
2022-12-27 15:05:47
眾多電子信息系統的性能。已有文獻報道采用SiC 功率器件制作了寬帶脈沖功率放大器， 并進行了性能測試和環境試驗， 證實了SiC 功率器件可靠性較高、環境適應能力較強等特點。
2019-08-12 06:59:10
在未來幾年投入使用SiC技術來應對汽車電子技術挑戰是ECSEL JU 的WInSiC4AP項目所要達到的目標之一。ECSEL JU和ESI協同為該項目提供資金支持，實現具有重大經濟和社會影響的優勢互補的研發活動。
2019-07-30 06:18:11
通損耗低、效率更高且熱管理系統更簡單。與硅基轉換器相比，由于 SiC 功率系統具有這些優勢，因此能夠在要求高功率密度的應用（如太陽能逆變器、儲能系統(ESS)、不間斷電源 (UPS) 和電動汽車）中
2022-03-24 18:03:24
半導體的關鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導通狀態所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現更高功率，更高開關速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
標準的產品，并與具有高技術標準和高品質要求的供應商合作。在這過程中，ROHM作為ApexMicrotechnology的SiC功率元器件供應商脫穎而出。ROHM的服務和技術支持都非常出色，使得我們能夠
2023-03-29 15:06:13
本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 編輯
親愛的電子發燒友小伙伴們！羅姆作為 SiC 功率元器件的領先企業，自上世紀 90 年代起便著手于 SiC 功率元器件
2018-07-27 17:20:31
項目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計劃：申請理由本人在半導體失效分析領域有多年工作經驗，熟悉MOSET各種性能和應用，掌握各種MOSFET的應用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
項目名稱：特種電源開發試用計劃：在I項目開發中，有一個關鍵電源，需要在有限空間，實現高壓、大電流脈沖輸出。對開關器件的開關特性和導通電阻都有嚴格要求。隨著SIC產品的技術成熟度越來越高，計劃把IGBT開關器件換成SIC器件。
2020-04-24 17:57:09
項目名稱：風電伺服驅動控制器SiC器件試用試用計劃：申請理由本人在工業控制領域有十余年的產品開發經驗，目前正在從事風電機組變槳控制系統伺服驅動器的開發，是一個國產化項目，也是SiC器件應用的領域
2020-04-24 18:03:59
`項目名稱：光伏儲能逆變器開發試用計劃：采用SiC器件替代Si器件，開發逆變器產品`
2020-04-24 18:13:51
項目名稱：全SiC MMC實驗平臺設計——功率子模塊驅動選型試用計劃：申請理由本人在電力電子領域有三年多的學習和開發經驗，曾設計過基于半橋級聯型拓撲的儲能系統，通過電力電子裝置實現電池單元的間接
2020-04-21 16:02:34
的APS系統損耗中，功率器件的損耗大約占50%，而ACL濾波電抗器的損耗大約占30%。圖1APS系統原理圖通過將APS中的傳統功率模塊換成最新的SiC功率模塊，憑借全SiC功率模塊低損耗的特點，可以提高
2017-05-10 11:32:57
器件的溫升
綜上，SiC SBD無反向恢復、能并聯使用等特性使其在替換Si FRD時具有明顯的優勢。沒有反向恢復，減小反向恢復帶來的開關損耗從而提高系統效率，同時避免反向恢復引起的振蕩，改善系統
2023-10-07 10:12:26
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應用領域，如電動汽車快速充電、數據中心電源、可再生能源、能源等存儲系統、工業和電網基礎設施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
要充分認識 SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導通和關斷
2017-12-18 13:58:36
引言：前段時間，Tesla Model3的拆解分析在行業內確實很火，現在我們結合最新的市場進展，針對其中使用的碳化硅SiC器件，來了解一下SiC器件的未來需求。我們從前一段時間的報道了解到：目前
2021-09-15 07:42:00
對市場驅動因素的分析表明，加速WBG設備實現的更有效方法的商業采用需要降低組件的成本。這導致了圍繞用于控制高效系統的廉價WBG晶體管策略的大量研究。提高轉換器工作頻率可以減小儲能元件的尺寸，這
2023-02-21 16:01:16
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
比硅提供實在的優勢，其強固的結構為嚴苛環境中的應用提供可靠的方案。我們的客戶將受益于這些簡化的、性能更佳、尺寸設計更小的新器件。SiC為系統提供顯著好處。SiC更高的開關頻率可以使用更小的磁性元件
2018-10-29 08:51:19
肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同，僅電子移動、電流流動。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合結構，電流通過電子與空穴（孔）流動。SiC
2018-11-29 14:33:47
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
SiC-MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管的相關內容，有許多與Si同等產品比較的文章可以查閱并參考。采用第三代SiC溝槽MOSFET，開關損耗進一步降低ROHM在行業中率先實現了溝槽結構
2018-11-27 16:37:30
SiC-SBD的特征，下面將介紹一些其典型應用。主要是在電源系統應用中，將成為代替以往的Si二極管，解決當今的重要課題——系統效率提高與小型化的關鍵元器件之一。＜應用例＞PFC（功率因數改善）電路電機驅動器電路
2018-12-04 10:26:52
在開關電源轉換器中,如何充分利用SiC器件的性能優勢？
2021-02-22 07:16:36
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導體(SiC、GaN)電力電子技術應用交流會”將于7月16日在浙江大學玉泉校區舉辦。寬禁帶半導體電力電子技術的應用、寬禁帶半導體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子
2017-07-11 14:06:55
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應用于工業機器的電源或光伏發電的功率調節器等。2. 電路構成現在量產中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1類型
2019-03-12 03:43:18
雖然電動和混合動力電動汽車（EV]從作為功率控制器件的標準金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）襯底和工藝技術的FET的轉變代表了提高EV的效率和整體系統級特性的重要步驟
2019-08-11 15:46:45
半導體的低阻值，可以高速工作，高溫工作，能夠大幅度削減從電力傳輸到實際設備的各種功率轉換過程中的能量損耗。SiC功率元器件在節能和小型化方面功效卓著，其產品已經開始實際應用，并且還應用在對品質可靠性
2017-07-22 14:12:43
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應的SiC-MOSFET的相關信息。獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內雖有幾家在持續投入，但還處于開發階段, 且技術尚不完全成熟。從國內
2019-09-17 09:05:05
二極管（FRD:快速恢復二極管），能夠明顯減少恢復損耗。有利于電源的高效率化，并且通過高頻驅動實現電感等無源器件的小型化，而且可以降噪。 廣泛應用于空調、電源、光伏發電系統中的功率調節器、電動汽車
2019-05-07 06:21:51
深愛全系列支持SIC9531DSIC9532DSIC9533DSIC9534DSIC9535DSIC9536DSIC9537DSIC9538DSIC9539DSIC9942B/DSIC9943B
2021-11-13 14:58:25
低功率因素方案SIC953XD系列：TYPESPFMOSFETPackage **范圍SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06
成本方面，采用新技術可以為汽車制造商節省很多金錢。” 他的理由是：當采用SiC時，開關頻率可以設計得更高，這將提高器件的能效，降低無源元件的尺寸和成本，因為無源器件在應用系統總成本中占比很高。此外，當
2023-02-27 14:28:47
。這就使得MOSFET在SiC功率電子器件中具有重要的意義。2000年研制了國內第一個SiCMOSFETt31。器件最大跨導為0.36mS/mm，溝道電子遷移率僅為14cm2/(V·s)。反型層遷移率低
2017-06-16 10:37:22
功率器件提高了應用能效，同時也提高了工作溫度。從項目的角度看，熱動力汽車向混動汽車和最終的電動汽車發展，需要使用高效的先進的電子產品，我們預計碳化矽技術在新車中的應用將會對經濟產生積極的影響。
2019-06-27 04:20:26
100 kW的1500 VDC電站級串式逆變器將占有90%以上的市場份額。它們代表了采用創新多電平拓撲結構的新型高密度SiC/GaN功率開關的測試基準。電動汽車 (EV) 和儲能系統 (ESS) 等顛覆性
2018-10-22 17:01:41
SiC功率器件的封裝技術要點
具有成本效益的大功率高溫半導體器件是應用于微電子技術的基本元件。SiC是寬帶隙半導體材料，與S
2009-11-19 08:48:432355 SiC,SiC是什么意思
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類型。其典型結構可分為兩類：一類是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱為3C
2010-03-04 13:25:266539 分析了SiC半導體材料的結構類型和基本特性， 介紹了SiC 單晶材料的生長技術及器件工藝技術， 簡要討論了SiC 器件的主要應用領域和優勢
2011-11-01 17:23:20
81 據權威媒體分析，SiC和GaN器件將大舉進入電力電子市場，預計到2020年，SiC和GaN功率器件將分別獲得14%和8%市場份額。未來電力電子元器件市場發展將更多地集中到SiC和GaN的技術創新上。
2013-09-18 10:13:112464 使用SiC的新功率元器件技術
2018-06-26 17:56:005775 SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導率是Si的3倍，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 
安森美半導體是功率電子領域的市場領導者之一，在SiC功率器件領域的地位正在迅速攀升。
2019-07-25 08:50:504206 富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業的技術服務，為客戶打造個性化的解決方案，并縮短產品設計周期。在第三代半導體的實際應用領域，富昌電子結合自身的技術積累和項目經驗，落筆于SiC相關設計的系列文章。希望以此給到大家一定的設計參考，并期待與您進一步的交流。
2022-09-28 09:29:09782 寬帶隙半導體是高效功率轉換的助力。有多種器件可供人們選用，包括混合了硅和SiC技術的SiC FET。本文探討了這種器件的特征，并將它與其他方法進行了對比。
2022-10-31 09:03:23666 碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、動態性能和可靠性的顯著優勢電子和電氣系統。回顧了SiC功率器件發展的挑戰和前景
2022-11-11 11:06:141503 近年來，SiC功率器件結構設計和制造工藝日趨完善，已經接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續完善來提高裝置與系統性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導體器件技術發展現狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導體器件的突破。
2022-11-24 10:05:102020 碳化硅（SiC）器件是一種新興的技術，具有傳統硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙，允許更高的電壓阻斷，并使其適用于高功率和高電壓應用。此外，SiC還具有比Si更低的熱阻，這意味著它可以更有效地散熱，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469 基于SiC器件的電力電子變流器研究
2023-06-20 09:36:23410 
一、什么是SiC半導體？1.SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬
2023-08-21 17:14:581145 
了解SiC器件的命名規則
2023-11-27 17:14:49357 
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