1. 字節啟動 Seed Edge,加碼 AGI 研究
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據報道,1 月下旬,字節正式設立代號為“Seed Edge”的研究項目,核心目標是做比預訓練和大模型迭代更長期、更基礎的 AGI 前沿研究,Seed Edge 已擬定 5 大研究方向。據了解,Seed Edge 會先以虛擬項目組的方式運行,探索這些不確定性更強的研究方向。
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字節跳動密集發布了多款 AI 大模型產品。就在昨天,字節跳動還推出了豆包大模型 1.5 Pro,增強了其綜合能力,在知識、代碼、推理、中文等多個測評基準上,據稱綜合得分優于 GPT-4o、Claude 3.5 Sonnet 等模型。
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2. 傳OpenAI計劃本周推出ChatGPT新功能“Operator”
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根據美媒周三 (22 日) 援引知情人士消息報導,OpenAI 計劃于本周推出名為“Operator”的 ChatGPT 新功能,該功能將幫助用戶自動完成原本需要在網頁瀏覽器中手動處理的繁瑣任務,例如餐廳預訂或旅行規劃等。
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這項新功能將提供多種不同類型的任務選擇,包括餐飲、活動安排、送貨、購物及旅行等。在每個任務類型下,用戶還可以看到一些操作建議,這些提示會指引用戶如何進行操作。當用戶輸入相關指令后,ChatGPT 的聊天介面將顯示一個小視窗,顯示瀏覽器及“Operator 代理”正在進行的操作過程。這個代理還會向用戶提出一些問題,譬如餐廳預訂的時間、多少人用餐等。
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3. 傳谷歌計劃向Anthropic投資10億美元
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消息稱,谷歌計劃向人工智能(AI)初創公司Anthropic進行新一輪超過10億美元的投資。Anthropic是OpenAI在AI基礎模型領域的主要競爭對手。
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此前,1月初報道,Anthropic即將完成一輪由Lightspeed Venture Partners領投的20億美元融資,該公司估值定為約600億美元。報道稱,谷歌的新投資與Lightspeed的融資輪次是分開的。
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4. 三星大幅削減2025年晶圓代工投資,下滑超50%
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三星電子宣布大幅削減晶圓代工部門在2025年的設施投資,與上一年相比削減一半以上。三星晶圓代工已將2025年的設施投資預算定為5萬億韓元左右,較2024年投資的10萬億韓元大幅下降。
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這一決定是在2021年至2023年大力投資之后做出的,在此期間,三星晶圓代工花費約20萬億韓元來擴大產能和推進技術。然而,在2024年10月的2024年第三季度財報中,三星電子已經預測將采取保守的設施投資方式,稱“預計2024年的設施投資規模將減少,2025年我們將最大限度地利用現有的生產基礎設施。”
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5. Cadence宣布收購嵌入式IP平臺提供商Secure-IC
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Cadence當時時間1月21日宣布,已達成一項最終協議,收購嵌入式安全IP平臺提供商Secure-IC。
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Cadence高級副總裁兼硅解決方案事業部總經理Boyd Phelps表示,在日益互聯的世界中,每塊半導體、小芯片和電子系統都將需要嵌入式安全,安全都是任何設計的基石。Cadence繼續投資于我們全面的IP和設計服務組合,為客戶提供更完整的系統解決方案。Secure-IC經過驗證的嵌入式安全IP和解決方案的增加,是我們致力于成為客戶SoC設計合作伙伴并交付最優價值的又一例證。
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6. SemiQ推出1700 V SiC MOSFET系列,助力中壓大功率轉換領域
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近日,全球知名碳化硅(SiC)功率半導體制造商SemiQ正式發布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品,專為中壓大功率轉換應用設計。這些產品廣泛適用于光伏和風能逆變器、儲能系統、電動汽車及充電設施、不間斷電源(UPS)以及感應加熱和焊接系統等場景。
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本次推出的QSiC? 1700 V高速平面型D-MOSFET系列具備高功率密度和緊湊的系統設計優勢,顯著降低了整體系統成本。這一系列產品采用了高可靠性設計,內置的體二極管能夠在高達175°C的環境下穩定運行。此外,所有器件均經過超過1900 V的高電壓測試和600 mJ的UIL雪崩測試,確保在長時間使用中的穩定性和安全性。
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今日看點丨字節啟動 Seed Edge,加碼 AGI 研究;SemiQ推出1700 V SiC MOSFET系列
- Agi(10214)
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2023-02-09 10:19:22
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內置1700V SiC MOS的AC/DC轉換器IC BM2SCQ12xT-LBZ介紹
“BM2SCQ12xT-LBZ”是面向大功率通用逆變器、AC伺服、工業用空調及街燈等工業設備開發的內置1700V耐壓SiC MOSFET的AC/DC轉換器IC。
2023-02-09 10:19:23
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SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區別
本文將介紹與Si-MOSFET的區別。尚未使用過SiC-MOSFET的人,與其詳細研究每個參數,不如先弄清楚驅動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅動與Si-MOSFET的比較中應該注意的兩個關鍵要點。
2023-02-23 11:27:57
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1700V!這一國產SiC MOS率先上車
前幾天,三一集團的SiC重卡打破了吉尼斯紀錄(.點這里.),很多人好奇這款車的1700V SiC MOSFET供應商是誰,今天答案正式揭曉!
2023-06-14 18:19:55
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安森美M1 1200 V SiC MOSFET動態特性分析
之間的共性和差異,以便用戶充分利用每種器件。本系列文章將概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關鍵特性及驅動條件對它的影響,作為安森美提供的全方位寬禁帶生態系統的一部分,還將提供
2023-06-16 14:39:39
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碳化硅1700v sic mosfet供應商
ModelName:ASC5N1700MT3Package:TO-247-3LVoltage:1700VRon:1000mohmTemperatureRange:-40~150°CStatus
2022-03-04 10:51:05
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SiC MOSFET器件技術現狀分析
對于SiC功率MOSFET技術,報告指出,650-1700V SiC MOSFET技術快速迭代,單芯片電流可達200A。提升電流密度同時,解決好特有可靠性問題是提高技術成熟度關鍵。
2023-08-08 11:05:57
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芯塔電子發布自主研發1700V/5Ω SiC MOSFET產品
芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應用新能源汽車電池電壓檢測和絕緣監測。該應用場景中,使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能,使之響應速度更快、體積縮小、壽命延長等,對提升車輛電源系統整體效能、可靠性及安全性有著重要意義。
2023-08-16 11:49:31
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東芝開發出業界首款2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊,助力工業設備的高效率和小型化
點擊“東芝半導體”,馬上加入我們哦! 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布, 推出業界首款 [1] 2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊—“ MG250YD2YMS3
2023-08-31 17:40:07
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SemiQ推出一系列采用SOT-227封裝的1,200V MOSFET
為了擴大QSiC SiC模塊的選擇范圍,SemiQ推出了一系列采用SOT-227封裝的1,200V MOSFET,可與或不與1,200V SiC肖特基二極管一起使用。 最近推出的 SemiQ SiC
2023-11-16 17:18:25
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SemiQ推出采用SOT-1封裝的200,227V MOSFET
為了擴大QSiC SiC模塊的選擇范圍,SemiQ推出了一系列采用SOT-1封裝的200,227V MOSFET,可與或不與1,200V SiC肖特基二極管一起使用。 最近推出的 SemiQ SiC
2023-11-26 16:40:46
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瞻芯電子推出1700V SiC MOSFET助力高效輔助電源
11月27日,瞻芯電子開發的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規級可靠性認證(AEC-Q101), 導通電阻標稱1Ω,
2023-11-30 09:39:18
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Power Integrations推出具有快速短路保護功能的門極驅動器
PI近日推出全新系列的即插即用型門極驅動器,新驅動器適配額定耐壓在1700V以內的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊
2023-12-14 15:47:04
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新型溝槽SiC基MOSFET器件研究
SiC具有高效節能、穩定性好、工作頻率高、能量密度高等優勢,SiC溝槽MOSFET(UMOSFET)具有高溫工作能力、低開關損耗、低導通損耗、快速開關速度等特點
2023-12-27 09:34:56
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安建半導體推出1200V-17mΩ SiC MOSFET
安建半導體推出具有完全自主知識產權的1200V-17mΩ SiC MOSFET,通過獨特設計確保產品的卓越性能和可靠性,在國內領先的碳化硅晶圓代工廠流片,產能充裕,供應穩定,性價比高。
2024-01-20 17:54:00
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英飛凌發布新款CoolSiC 2000V SiC MOSFET
英飛凌科技股份公司近日發布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產品采用了先進的TO-247PLUS-4-HCC封裝,規格為12-100mΩ,旨在滿足高壓應用的需求。
2024-02-01 10:51:00
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英飛凌新品—CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列的產品特點
CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,規格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯技術,CoolSiC技術的輸出電流能力強,可靠性提高。
2024-03-22 14:08:35
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納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產品
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產品,該產品RDSon為60mΩ,具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式,可提供車規與工規兩種等級。
2024-04-17 14:02:49
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如何更好地驅動SiC MOSFET器件?
IGBT的驅動電壓一般都是15V,而SiC MOSFET的推薦驅動電壓各品牌并不一致,15V、18V、20V都有廠家在用。更高的門極驅動電壓有助于降低器件導通損耗,SiC MOSFET的導通壓降對門
2024-05-13 16:10:17
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SemiQ 推出高頻、高功率 SiC MOSFET 模塊
SemiQ在其碳化硅(SiC)N溝道MOSFET產品組合中添加了一組全波H橋模塊。這些部件專為需要高電壓、高速和高功率部件的三重威脅應用而設計。它們針對超低開關損耗進行了優化,從而提高了效率并降低
2024-05-13 11:04:54
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納芯微推出首款1200V SiC MOSFET NPC060N120A系列
納芯微近期發布了其首款1200V SiC MOSFET產品——NPC060N120A系列,該系列產品的RDSon值低至60mΩ,展現了出色的性能。這款MOSFET提供了兩種封裝形式,包括通孔式的TO-247-4L和表面貼裝的TO-263-7L,以滿足不同應用場景的需求。
2024-05-13 15:27:39
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SemiQ汽車用SiC MOSFET 介紹
EVDC-DC轉換器SemiQ的SiC產品為汽車應用提供一流的可靠性、質量和性能。我們提供模塊和分立封裝形式的1200VMOSFET,旨在最大限度地提高效率。DC-DC轉換器對于維護電動汽車
2024-05-14 10:48:57
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SemiQ用于電動汽車快速充電的碳化硅
SemiQ的各種碳化硅(SiC)二極管、模塊和MOSFET能夠滿足高效率電動汽車快速充電設計的需求,具有一流的可靠性、質量和性能。SiC模塊和分立封裝中的1200V二極管具有一系列電壓和電流,可為
2024-05-15 11:20:06
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SemiQ 1200V SiC MOSFET Module說明介紹
SiCMOSFET模塊是一種基于碳化硅(SiC)材料的功率半導體器件,它結合了MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)的高效開關特性和SiC材料的優異性能。與傳統的硅基MOSFET相比
2024-05-16 11:16:58
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安世半導體宣布推出業界領先的1200 V碳化硅(SiC)MOSFET
Nexperia(安世半導體)近日宣布,公司現推出業界領先的 1200 V 碳化硅(SiC) MOSFET,采用D2PAK-7 表面貼裝器件(SMD)封裝,有30、40、60和80 mΩ RDson 值可供選擇。
2024-05-22 10:38:31
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SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二極管和雙二極管模塊
近日,半導體器件領域企業SemiQ宣布,其QSiC?產品系列中新增了1700VSiC(碳化硅)肖特基分立二極管和雙二極管模塊。這一創新舉措旨在滿足包括開關電源(SMPS)、不間斷電源(UPS
2024-06-14 11:36:49
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SemiQ將S7封裝添加至其QSiC?高性能功率模塊系列
SemiQ公司在其QSiC?系列SiC功率模塊中新增了一種S7封裝,該系列模塊包括1200V的半橋MOSFET和肖特基二極管模塊。這些組件為電力工程師提供了更大的設計靈活性,能夠為新設計提供緊湊
2024-08-16 11:18:42
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SiC MOSFET和SiC SBD的區別
SiC MOSFET(碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管)和SiC SBD(碳化硅肖特基勢壘二極管)是兩種基于碳化硅(SiC)材料的功率半導體器件,它們在電力電子領域具有廣泛的應用。盡管它們都屬于
2024-09-10 15:19:07
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PI推出業界首款1700V氮化鎵開關IC
深耕于高壓集成電路高能效功率變換領域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號:POWI)今日推出InnoMux-2系列單級、獨立調整多路輸出離線式電源IC的新成員。新器件采用公司專有的PowiGaN技術制造而成,是業界首款1700V氮化鎵開關IC。
2024-11-05 13:40:57
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瞻芯電子推出采用TC3Pak封裝的1200V SiC MOSFET
為了滿足高密度的功率變換的需求,瞻芯電子推出2款新型TC3Pak(Topside Cooling D3Pak)頂部散熱型、表面貼封裝1200V碳化硅(SiC)MOSFET產品,具有低損耗、散熱性強等特點,讓系統設計更緊湊、更高效,組裝時能自動化生產。
2024-11-27 14:58:20
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SemiQ推出1700 V SiC MOSFET系列,助力中壓大功率轉換領域
近日,全球知名碳化硅(SiC)功率半導體制造商SemiQ正式發布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品,專為中壓大功率轉換應用設計。
2025-01-22 11:03:22
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SemiQ發布1700V SiC MOSFET新品
近日,全球碳化硅(SiC)功率半導體領域的知名制造商SemiQ,正式推出了一款專為中壓大功率轉換應用而設計的1700V SiC MOSFET系列新品。此次發布的QSiC? 1700V高速平面
2025-01-23 15:46:58
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為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件?
650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:43
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