電子發(fā)燒友早八點(diǎn)訊：隨著全球移動(dòng)芯片市場(chǎng)的爆發(fā)性增長(zhǎng)，重塑了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局，也給中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了彎道超車的機(jī)會(huì)。自2014年《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》發(fā)布并同期成立國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導(dǎo)小組和國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金以來(lái)，中國(guó)各地政府圍繞集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)行戰(zhàn)略部署，提升中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在設(shè)計(jì)、制造和封測(cè)等技術(shù)上的長(zhǎng)足進(jìn)步，吸引了各路資本的迅猛支持，加大了自主創(chuàng)新的技術(shù)導(dǎo)入，推動(dòng)了集成電路大時(shí)代的到來(lái)。

筆者通過(guò)梳理《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》發(fā)布前后中國(guó)半導(dǎo)體投資案例，發(fā)現(xiàn)近年來(lái)圍繞紫光、武漢新芯、海力士、合肥長(zhǎng)鑫、三星、聯(lián)電、英特爾、福建晉華、臺(tái)積電、中芯國(guó)際等十家半導(dǎo)體廠商發(fā)生的中國(guó)十一大半導(dǎo)體投資案總額已經(jīng)超過(guò)1000億美元。

1、紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目投資案最大

2017年1月份，紫光集團(tuán)宣布紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地及新IT投資與研發(fā)總部項(xiàng)目，在南京正式簽約，總投資2600億元人民幣，其中約300億美元投向紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地。

據(jù)悉，紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目由紫光集團(tuán)投資建設(shè)，主要產(chǎn)品為3D-NAND FLASH、DRAM存儲(chǔ)芯片等，占地面積約1500畝。項(xiàng)目一期投資約100億美元，月產(chǎn)芯片10萬(wàn)片。

紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目位于南京市江北新區(qū)浦口經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)園，以存儲(chǔ)芯片及存儲(chǔ)器尖端制造環(huán)節(jié)為突破口，集存儲(chǔ)產(chǎn)品設(shè)計(jì)、技術(shù)研發(fā)、生產(chǎn)制造、銷售于一體，可帶動(dòng)設(shè)計(jì)、制造、封裝、測(cè)試等集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展。

而除紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目外，紫光集團(tuán)還將投資約300億元圍繞南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地建設(shè)配套IC國(guó)際城，包含科技園、設(shè)計(jì)封裝產(chǎn)業(yè)基地、國(guó)際學(xué)校、商業(yè)設(shè)施、國(guó)際人才公寓等綜合配套設(shè)施，由紫光集團(tuán)旗下紫光云數(shù)科技有限公司為主體。該項(xiàng)目將遵循“國(guó)家戰(zhàn)略推動(dòng)、地方大力支持、企業(yè)市場(chǎng)化運(yùn)作”三合一的新模式。該項(xiàng)目巨額的投資強(qiáng)度居中國(guó)集成電路行業(yè)單體投資前列，將產(chǎn)生巨大的虹吸效應(yīng)，并吸引更多的產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)和科技人才聚集，加快本地高新產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

2、武漢新芯32層3D NAND芯片通過(guò)各項(xiàng)指標(biāo)測(cè)試

2016年3月28日，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目揭牌落戶武漢新芯，項(xiàng)目總投資達(dá)240億美元（約1600億元人民幣）的存儲(chǔ)器基地正式啟動(dòng)，以生產(chǎn)Flash、DRAM等存儲(chǔ)芯片為主，發(fā)展3D NAND技術(shù)。

該項(xiàng)目位于湖北武漢東湖高新區(qū)的光谷智能制造產(chǎn)業(yè)園，建設(shè)內(nèi)容包括芯片制造、產(chǎn)業(yè)鏈配套等，將在5年內(nèi)投資240億美元，預(yù)計(jì)到2020年形成月產(chǎn)能30萬(wàn)片的生產(chǎn)規(guī)模，到2030年建成每月100萬(wàn)片的產(chǎn)能，年產(chǎn)值將超過(guò)100億美元。而這一存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目以芯片制造環(huán)節(jié)為突破口，涵蓋存儲(chǔ)器產(chǎn)品設(shè)計(jì)、技術(shù)研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測(cè)試、銷售等。

2016年7月26日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱長(zhǎng)江存儲(chǔ)）正式成立。公司注冊(cè)資本分兩期出資，一期由國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司、湖北國(guó)芯產(chǎn)業(yè)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）和湖北省科技投資集團(tuán)有限公司共同出資，并在武漢新芯的基礎(chǔ)上建立長(zhǎng)江存儲(chǔ)，趙偉國(guó)任長(zhǎng)江存儲(chǔ)董事長(zhǎng)。武漢新芯將是長(zhǎng)江存儲(chǔ)的全資子公司。二期將由紫光集團(tuán)和國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司共同出資。項(xiàng)目一期計(jì)劃2018年建成投產(chǎn)，將建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑，其核心生產(chǎn)廠房和設(shè)備每平方米的投資強(qiáng)度超過(guò)3萬(wàn)美元。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)將以武漢新芯現(xiàn)有的12英寸先進(jìn)集成電路技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造能力為基礎(chǔ)，繼續(xù)拓展武漢新芯目前的物聯(lián)網(wǎng)業(yè)務(wù)布局，并著力發(fā)展大規(guī)模存儲(chǔ)器。目前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的32層3D NAND芯片順利通過(guò)電學(xué)特性等各項(xiàng)指標(biāo)測(cè)試，達(dá)到預(yù)期要求，預(yù)計(jì)2018年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并于2019年實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能滿載。

3、SK海力士無(wú)錫12吋廠進(jìn)入六期技術(shù)升級(jí)

自2005年以來(lái)，歷經(jīng)5期重大投資建設(shè)，海力士在江蘇無(wú)錫12吋廠累計(jì)投資額達(dá)105億美元，是江蘇省單體投資規(guī)模最大的外商投資項(xiàng)目。

2017年6月，SK海力士12吋集成電路生產(chǎn)線六期技術(shù)升級(jí)項(xiàng)目，利用SK海力士半導(dǎo)體（中國(guó)）有限公司自有存量土地，引進(jìn)新設(shè)備，將半導(dǎo)體生產(chǎn)技術(shù)升級(jí)至1Y納米級(jí)別。項(xiàng)目建設(shè)后，形成每月9萬(wàn)片的生產(chǎn)能力。

據(jù)悉，本次六期工程將現(xiàn)有的20nm級(jí)產(chǎn)品大部分升級(jí)至10nm級(jí)產(chǎn)品的同時(shí)，進(jìn)一步降低10nm級(jí)產(chǎn)品的線寬。本項(xiàng)目建成后，全廠將形成總產(chǎn)量121K片/月12英寸集成電路芯片的生產(chǎn)能力，其中10nm級(jí)產(chǎn)品115K片/月，20nm級(jí)6K片/月。2017年計(jì)劃投資46億元，將于2019年建成投產(chǎn)。

4、合肥長(zhǎng)鑫興建12寸晶圓廠投產(chǎn)DRAM

2017年5月，由合肥市政府支持的合肥長(zhǎng)鑫公司宣布，預(yù)計(jì)由合肥長(zhǎng)鑫投資72億美元的金額，興建12寸晶圓廠以發(fā)展 DRAM 產(chǎn)品，以生產(chǎn) 19nm DRAM 產(chǎn)品為主，預(yù)計(jì)最大月產(chǎn)將能高達(dá) 12.5萬(wàn)片的規(guī)模。

據(jù)悉，這家由合肥長(zhǎng)鑫公司所創(chuàng)立，名稱為 Rui-Li 集成電路公司的12寸晶圓廠，預(yù)計(jì)在 2018 年第 1 季開(kāi)始安裝生產(chǎn)設(shè)備，并且開(kāi)始與晶圓供應(yīng)商進(jìn)行商談，以確保 2018 年內(nèi)獲得穩(wěn)定的晶圓供應(yīng)。在晶圓廠建設(shè)完成之后，月產(chǎn)能預(yù)計(jì)將高達(dá) 12.5 萬(wàn)片，其規(guī)模與韓國(guó)SK Hynix現(xiàn)在的產(chǎn)能差不多。

目前，合肥長(zhǎng)鑫的施工速度要比長(zhǎng)江存儲(chǔ)的速度快一些，廠房正在加速建設(shè)中，預(yù)計(jì)9月完成。從產(chǎn)品的原型設(shè)計(jì)，到試量產(chǎn)仍需要一年多的時(shí)間，加上產(chǎn)能的提升，預(yù)計(jì)2019年2月才能實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，2019年底有望實(shí)現(xiàn)12.5萬(wàn)片的月產(chǎn)能。

5、三星西安廠有望擴(kuò)產(chǎn)，傳9月動(dòng)工

三星電子早在2012年宣布在陜西西安設(shè)立三星半導(dǎo)體西安工廠，工廠建設(shè)初期所投入23億美元資金，并計(jì)劃將在數(shù)年間對(duì)工廠階段性地分批投資70億美元。

根據(jù)計(jì)劃，三星電子計(jì)劃分三期建設(shè)完成，一期投資的12英寸閃存芯片項(xiàng)目在西安高新區(qū)開(kāi)工奠基，到2013年年底達(dá)到設(shè)計(jì)產(chǎn)能后，每月可生產(chǎn)NAND閃存芯片10萬(wàn)片。

2014年首次啟動(dòng)的西安工廠，是三星3D V-NAND的核心生產(chǎn)基地。相關(guān)人士表示，啟動(dòng)不到2年的西安工廠，如以晶圓投入基準(zhǔn)來(lái)看，已逼近每月10萬(wàn)片水準(zhǔn)，產(chǎn)量大大超過(guò)原本預(yù)估的6萬(wàn)~7萬(wàn)片水準(zhǔn)。

2017年5月，三星電子正在考慮擴(kuò)大西安工廠的產(chǎn)能，但具體細(xì)節(jié)還未確定，包括可能的投資規(guī)模以及新增產(chǎn)能將用于生產(chǎn)哪些產(chǎn)品。消息人士透露，三星與西安政府正進(jìn)行協(xié)商最后階段，很可能在9月動(dòng)工。目前，三星西安廠現(xiàn)有第一產(chǎn)線是在2014年興建，月產(chǎn)12萬(wàn)片NAND內(nèi)存晶圓，若加上規(guī)劃中的第二產(chǎn)線，產(chǎn)量將達(dá)20萬(wàn)片。

6、聯(lián)電廈門(mén)12寸晶圓廠切入28納米，Q3量產(chǎn)

2015年3月晶圓代工廠聯(lián)電與廈門(mén)市政府、福建省電子信息集團(tuán)合資成立晶圓廠聯(lián)芯集成電路開(kāi)始動(dòng)工，并在同年11月宣布，廈門(mén)12寸合資晶圓廠聯(lián)芯集成電路制造（廈門(mén)）開(kāi)始營(yíng)運(yùn)，這是首座兩岸合資12寸晶圓廠，投資金額將達(dá)到62億美元。

據(jù)悉，聯(lián)芯集成電路12寸廠于2014年底籌建，2016年12月試生產(chǎn)。初期將投入40/55納米晶圓代工，月產(chǎn)能可達(dá)6000片12寸約當(dāng)晶圓的數(shù)量，后逐步過(guò)渡到最先進(jìn)的28納米，鎖定通訊、信用卡、銀聯(lián)卡等芯片應(yīng)用。

2017年5月，聯(lián)芯在聯(lián)電的協(xié)助下，28納米制成初期投產(chǎn)的良率高達(dá)94%，顯示了聯(lián)電在28納米制程技術(shù)上的穩(wěn)定性。目前，聯(lián)芯有40納米的月產(chǎn)能達(dá)6000片，2017年年底前月產(chǎn)能將拉高至1.6萬(wàn)片。

目前，聯(lián)電的先進(jìn)制程技術(shù)已前進(jìn)至14納米，轉(zhuǎn)投資的廈門(mén)聯(lián)芯也已獲準(zhǔn)切入28納米。聯(lián)電財(cái)務(wù)長(zhǎng)劉啟東表示，聯(lián)芯引進(jìn)28納米制程之后，本季投產(chǎn)5000片，預(yù)計(jì)第3季產(chǎn)出，主要是供應(yīng)大陸客戶通訊應(yīng)用所需，后續(xù)規(guī)劃今年底前再增5000片設(shè)備裝機(jī)，明年初投產(chǎn)后，估計(jì)明年中會(huì)開(kāi)始有產(chǎn)出。后續(xù)聯(lián)芯產(chǎn)能擴(kuò)增到2.5萬(wàn)片的部分，會(huì)以28納米為主，但擴(kuò)產(chǎn)時(shí)程未定。

7、英特爾大連NAND Flash廠今年實(shí)現(xiàn)增資擴(kuò)建

2015年10月20日，英特爾宣布與大連政府配合，將原先以 65 納米制程生產(chǎn)處理器芯片的中國(guó)大連廠，轉(zhuǎn)型為生產(chǎn)最新的 3D NAND Flash 芯片，總投資金額高達(dá) 55 億美元。據(jù)英特爾投資金額與大連廠的產(chǎn)能建置來(lái)評(píng)估，每個(gè)月至少可布建 30，000-40，000 片的 3D-NAND Flash。

英特爾大連工廠2007年奠基，2010年正式投產(chǎn)。2015年決定增加投資55億美元對(duì)英特爾大連工廠進(jìn)行升級(jí)改造，打造世界最先進(jìn)的非易失性存儲(chǔ)設(shè)備制造基地。2016年7月，升級(jí)改造工程實(shí)現(xiàn)提前投產(chǎn)。大連工廠是英特爾在全球首個(gè)使用300毫米晶圓領(lǐng)先生產(chǎn)技術(shù)的NVRAM產(chǎn)品集成電路制造中心。

2017年5月，英特爾公司在英特爾半導(dǎo)體（大連）有限公司正式發(fā)布DC P4500及P4600系列兩款世界領(lǐng)先的采用3D NAND技術(shù)的全新數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤(pán)新產(chǎn)品，并宣布將對(duì)英特爾大連工廠進(jìn)一步增資擴(kuò)建。這兩款產(chǎn)品主要為云存儲(chǔ)解決方案所設(shè)計(jì)，可應(yīng)用于軟件定義存儲(chǔ)及融合式基礎(chǔ)設(shè)施，代表著世界領(lǐng)先水平，標(biāo)志著大連市集成電路產(chǎn)業(yè)躍上新高度，為大連成長(zhǎng)為世界級(jí)的存儲(chǔ)制造中心奠定了基礎(chǔ)。

8、福建晉華12寸DRAM廠，最快明年9月投產(chǎn)

2016年5月，福建晉江與福建省晉華集成電路（集成電路）公司簽約合作的12寸廠，負(fù)責(zé)DRAM的技術(shù)開(kāi)發(fā)與生產(chǎn)的工作，最快2018年9月正式投產(chǎn)。

福建省晉華集成電路有限公司（簡(jiǎn)稱晉華公司）是由福建省電子信息集團(tuán)、晉江能源投資集團(tuán)有限公司等共同出資的集成電路生產(chǎn)企業(yè)，是國(guó)家大基金積極布局的戰(zhàn)略項(xiàng)目。晉華項(xiàng)目總投資 370 億元（約53億美元），已納入國(guó)家十三五集成電路重大項(xiàng)目清單，并得到第一筆 30 億元國(guó)家專項(xiàng)資金支持，將通過(guò)引進(jìn)***和全球技術(shù)、人才、資源，打造中國(guó)第一個(gè)自主技術(shù)的內(nèi)存制造項(xiàng)目及 12 吋晶圓廠，爭(zhēng)取 3-5 年內(nèi)在國(guó)內(nèi)主板上市。

據(jù)悉，福建省晉華12寸新廠初期將導(dǎo)入32納米制程，預(yù)期在2018年9月開(kāi)始試產(chǎn)，規(guī)劃每月 6 萬(wàn)片 12 吋晶圓產(chǎn)能，投入DRAM及相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)生產(chǎn)與銷售，預(yù)計(jì)2019年到2020年期間將月產(chǎn)能擴(kuò)大至3萬(wàn)片。項(xiàng)目投產(chǎn)后，預(yù)計(jì)員工數(shù)將達(dá) 4000 多名。

2017年2月，聯(lián)電資深副總經(jīng)理陳正坤出任福建晉華集成電路總經(jīng)理，聯(lián)電表示，陳正坤將協(xié)助晉華建廠，力爭(zhēng)今年10月底完成FAB廠房主體結(jié)構(gòu)，最快2018年9月正式投產(chǎn)。2017年4月~6月晉華已計(jì)劃推出R＆D迷你產(chǎn)線，以實(shí)現(xiàn)每月5000片的產(chǎn)能。

9、臺(tái)積電南京12寸晶圓廠開(kāi)工，7nm 年內(nèi)tape out

2016年3月28日，臺(tái)積電與南京市政府共同簽訂投資協(xié)議書(shū)，確立將以總投資額30億美元在南京市成立100%持股的臺(tái)積電（南京）有限公司，該公司下設(shè)一座12吋晶圓廠及一個(gè)設(shè)計(jì)服務(wù)中心。

臺(tái)積電在南京市的12吋晶圓廠位于南京市浦口經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)，該廠規(guī)劃月產(chǎn)能為2萬(wàn)片12吋晶圓，預(yù)計(jì)于2018年下半年開(kāi)始生產(chǎn)16納米制程，2019年規(guī)劃產(chǎn)能全部達(dá)產(chǎn)。這是繼聯(lián)電、力晶之后，***赴大陸設(shè)立的第三座12寸晶圓廠，也是臺(tái)積電在大陸第一座12吋晶圓廠。

業(yè)界預(yù)計(jì)，臺(tái)積電南京廠投產(chǎn)后，臺(tái)積電芯片的全球占有率將由55%增至57%；臺(tái)積電的30億美元投資，將帶動(dòng)超過(guò)300億美元的產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

2017年3月，臺(tái)積電南京有限公司總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球表示，臺(tái)積電7納米預(yù)計(jì)2017年下半將為客戶tape-out生產(chǎn)。此外，他透露EUV最新曝光機(jī)臺(tái)在臺(tái)積電已經(jīng)可以達(dá)到連續(xù)3天穩(wěn)定處理超過(guò)1500片12吋晶圓。臺(tái)積電南京廠預(yù)計(jì)2017下半年就要移入生產(chǎn)機(jī)臺(tái)；2018上半年試產(chǎn)，2018下半年正式投入量產(chǎn)。

10、英特爾15億美元入股紫光展銳，持股占比20%

2014年9月26日，英特爾和紫光集團(tuán)今天共同宣布，雙方已簽署一系列協(xié)議，英特爾同時(shí)將向紫光旗下持有展訊通信和銳迪科微電子的控股公司投資人民幣90億元（約15億美元），并獲得20%的股權(quán)。

雙方稱，上述協(xié)議旨在通過(guò)聯(lián)合開(kāi)發(fā)基于英特爾架構(gòu)和通信技術(shù)的手機(jī)解決方案，在中國(guó)和全球市場(chǎng)擴(kuò)展英特爾架構(gòu)移動(dòng)設(shè)備的產(chǎn)品和應(yīng)用。

2017年2月，雙方深度合作的首款芯片SC9861G-IA正式問(wèn)世。展訊推出14nm八核64位LTE SoC芯片平臺(tái)SC9861G-IA，采用英特爾14納米制程工藝，內(nèi)置英特爾Airmont處理器架構(gòu)，具備高效的移動(dòng)運(yùn)算性能和超低功耗管理，將為終端用戶帶來(lái)旗艦級(jí)的用戶體驗(yàn)。英特爾從工藝制程到芯片架構(gòu)給予了大力支持，期待展訊充分利用英特爾在工藝和應(yīng)用上的優(yōu)勢(shì)，在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中抓住機(jī)會(huì)。

11、中芯國(guó)際收購(gòu)意大利8寸晶圓代工廠LFoundry 70%股權(quán)

2016年6月24日，中芯國(guó)際、LFoundry Europe GmbH與Marsica Innovation S.p.A.共同宣布，三方簽訂協(xié)議，中芯國(guó)際將出資4900萬(wàn)歐元（約5680萬(wàn)美元），收購(gòu)由LFE以及MI控股的意大利集成電路晶圓代工廠LFoundry 70%的股份。

此次收購(gòu)使中芯國(guó)際和LFoundry雙方受益，不僅提高了聯(lián)合產(chǎn)能，擴(kuò)大整體技術(shù)組合，更能幫助中芯國(guó)際拓展在汽車電子市場(chǎng)的機(jī)會(huì)。據(jù)悉，2016年中芯國(guó)際12寸月產(chǎn)能達(dá)6.25萬(wàn)片，8寸月產(chǎn)能達(dá)16.2萬(wàn)片，折合8寸晶圓產(chǎn)能每月約30.26萬(wàn)片。LFoundry的8英寸晶圓產(chǎn)能為每月4萬(wàn)片，交易完成后 ，幫助中芯國(guó)際的整體產(chǎn)能提升約 13% ，有助于提高對(duì)客戶產(chǎn)能支援的靈活性，為中芯國(guó)際和 LFoundry帶來(lái)更多的商機(jī) 。

LFoundry致力于汽車電子、安全及工業(yè)應(yīng)用，包括CIS、智能電力、輕觸式顯示屏及嵌入式存儲(chǔ)器等，這是中國(guó)內(nèi)地集成電路晶圓代工業(yè)首次成功布局跨國(guó)生產(chǎn)基點(diǎn)，中芯國(guó)際不僅在政策收緊前完成了此次收購(gòu)，還憑借此項(xiàng)收購(gòu)正式進(jìn)駐全球汽車電子市場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)在技術(shù)、產(chǎn)品、人才和市場(chǎng)方面的優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)。