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三星電子：半導(dǎo)體廠房跳電損失估計不到90億韓圜
三星電子：半導(dǎo)體廠房跳電損失估計不到90億韓圜
道瓊社25日報導(dǎo)，三星電子（Samsung Electronics）表示，截至臺北時間25日下午3時為止，南韓京畿省（Gyeonggi）器興市（Giheung）半導(dǎo)體廠房跳電所造成的損失估計不到90億韓圜（790萬美元）。三星并表示，目前尚未找出跳電的原因。 Meritz Securities分析師Lee Sun-tae指出，三星半導(dǎo)體廠房跳電造成的影響其實不大，主因多數(shù)面臨沖擊者為非內(nèi)存生產(chǎn)線。
Yonhap News于南韓時間24日下午7時48分報導(dǎo)，三星電子器興市半導(dǎo)體廠房24日突然跳電，其K2、K5廠區(qū)在當(dāng)?shù)貢r間下午2時30分左右斷電，并在3時35分、5時38分恢復(fù)電力。三星表示，上述廠房的核心生產(chǎn)運作并未中斷，主因廠房設(shè)有不斷電系統(tǒng)（UPS）。此外，該公司正在調(diào)查斷電原因以及對生產(chǎn)的損害程度。
受到三星電子半導(dǎo)體廠房跳電的影響，DRAM、NAND型閃存現(xiàn)貨報價走勢強勁。根據(jù)集邦科技（DRAMeXchange）報價，截至臺北時間25日下午6時為止，DDR3 1Gb 128Mx8 1333MHz勁揚2.46%,報3.08美元；NAND 64Gb 8Gx8 MLC漲1.12%,報15.26美元
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