IGZO屏幕優勢很多么？

　　相比于傳統非晶硅a-Si材料，IGZO載流子遷移率更高，大約為10cm2/Vs。所以更少的材料就可以滿足要求，使管子尺寸更小，減少像素面積，使設備更輕薄；全透明，對可見光不敏感，能夠大大增加元件的開口率，提高亮度，降低功耗。另外，工藝溫度比a-Si低，而且具有很好的彎曲性能，能夠很好地配合柔性OLED。

　　相比于低溫多晶硅LTPS材料，IGZO 沒有屏幕尺寸的限制，小尺寸也可以做，大尺寸一樣可行，而LTPS難以生產大尺寸高分辨率的面板。另外，在生產方面，原有的非晶硅面板生產線要改造為LTPS生產線，需要較為復雜的過程，需要的資金也很多，而改造成IGZO面板只是對現有的非晶硅面板生產線進行改良，要容易很多，且不限制生產線的世代數。

　　（1）由于漏電流小，畫無更新時可以切斷電流，可以進一步提高省電效果。（2）分辨率更高了，與使用a-Si的傳統液晶屏幕相比，可在保證透過光量的同時提高單位面積的像素數，根本原因還是IGZO的遷移率率更高，可以縮小體積，這樣分辨率就提升了。（3）使觸摸屏更靈敏。可采用間歇驅動方式，降低液晶顯示器驅動電路產生的噪聲對觸摸屏檢測電路造成的影響，從而實現了更高的觸摸靈敏度。

　　不同半導體材料特性對比

　　IGZO工作原理和結構模型都有哪些？

　　非晶金屬氧化物IGZO由In2O3、Ga2O3和ZnO構成，禁帶寬度在3.5eV左右，是一種N型半導體材料。In2O3中的In3+可以形成5S電子軌道，有力于載流子的高速傳輸，電子的遷移率在875px2/V·s；Ga2O3有很強的離子鍵，可以抑制O空位的產生；ZnO中的Zn2+可以形成穩定西面體結構，可以使金屬氧化物IGZO形成穩定的非晶結構。因此，金屬氧化物IGZO適用于制作高遷移率薄膜晶體管。材料特性總結為4點：高遷移率；易于低溫濺射工藝；同質（沒有晶界）；光學透明。

　　金屬氧化物晶相與元素比例對于遷移率的影響

　　目前金屬氧化物IGZO-TFT的結構主要有刻蝕阻擋型（Etch Stop Type）、背溝道刻蝕型（Back Channel Etch Type）和共面型（Coplanar Type）三種類型。按制作工藝可分為5Mask、6Mask、7Mask。下表簡列了不同Mask數結構的比較。

　　常見IGZOTFT結構