目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器(NVM)技術(shù)有望成為未來幾年的參考技術(shù)。但是,閃存本身固有的技術(shù)和物理局限性使其很難再縮小技術(shù)節(jié)點(diǎn)。在這種環(huán)境下,業(yè)界試圖利用新材料和新概念發(fā)明一種更好
2017-12-18 10:02:21
4925 
存儲(chǔ)器可分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器兩類,前者在掉電后會(huì)失去記憶的數(shù)據(jù),后者即使在切斷電源也可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。易失性存儲(chǔ)器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02
668 
這幾種存儲(chǔ)器的共同特點(diǎn)其實(shí)是掉電后,所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失,所以可以歸類為非易失性存儲(chǔ)器(即Non-Volatile Memory)。SRAM、DRAM的共同特點(diǎn)是掉電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失,所以也可稱為易失性
2012-01-06 22:58:43
1. 存儲(chǔ)器理解存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)的重要組成部分,存儲(chǔ)器是用來存儲(chǔ)程序代碼和數(shù)據(jù)的部件,有了存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī)才具有記憶功能。按照存儲(chǔ)介質(zhì)的特性,可以分“易失性存儲(chǔ)器”和“非易失性存儲(chǔ)器”兩類,易失和非易
2021-07-16 07:55:26
存儲(chǔ)器的分類存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來存放程序和數(shù)據(jù),從不同的角度對(duì)存儲(chǔ)器可以做不同的分類。1、按存儲(chǔ)介質(zhì)分半導(dǎo)體存儲(chǔ)器(又稱易失性存儲(chǔ)器):體積小,功耗低,存取時(shí)間短,電源消失的時(shí)候,所存的信息也隨之消失。磁表面存儲(chǔ)器(...
2021-07-26 08:30:22
內(nèi)部程序,其特點(diǎn)是價(jià)格便宜。 2、可編程的只讀存儲(chǔ)器(PROM): 它的內(nèi)容可由用戶根據(jù)自已所編程序一次性寫入,一旦寫入,只能讀出,而不能再進(jìn)行更改,這類存儲(chǔ)器現(xiàn)在也稱為OTP(Only Time
2017-10-24 14:31:49
更改內(nèi)部程序,其特點(diǎn)是價(jià)格便宜。 2、可編程的只讀存儲(chǔ)器(PROM): 它的內(nèi)容可由用戶根據(jù)自已所編程序一次性寫入,一旦寫入,只能讀出,而不能再進(jìn)行更改,這類存儲(chǔ)器現(xiàn)在也稱為OTP(Only
2017-12-21 17:10:53
所謂的寄存器、內(nèi)存等用于存儲(chǔ)信息的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。存儲(chǔ)器的分類存儲(chǔ)器分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器;所謂易失性存儲(chǔ)器是指設(shè)備掉電,存儲(chǔ)的信息自動(dòng)清除,而非易失性存儲(chǔ)器具有存儲(chǔ)時(shí)間長的功能。易失性存儲(chǔ)器主要指
2021-12-10 06:54:11
本篇文章介紹的是非易失性存儲(chǔ)器EEPROM與內(nèi)存Flash消耗能量計(jì)算。
2020-12-31 06:11:04
的RAM或常規(guī)的非易失性存儲(chǔ)。該存儲(chǔ)器真正是非易失性的,而不是由電池供電的。引腳配置特征高集成度設(shè)備替代了多個(gè)零件?串行非易失性存儲(chǔ)器?帶鬧鐘的實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)?低VDD檢測驅(qū)動(dòng)復(fù)位?看門狗窗口定時(shí)器
2023-04-07 16:23:11
存儲(chǔ)設(shè)備,包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無需持續(xù)供電,即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
非易失性存儲(chǔ)器平衡方法
2021-01-07 07:26:13
非易失性存儲(chǔ)器的特點(diǎn)及應(yīng)用介紹
2012-08-20 12:54:28
每個(gè)RDAC寄存器對(duì)應(yīng)于特定的EEMEM存儲(chǔ)器位置,該位置提供非易失性雨刮器存儲(chǔ)功能。地址如表7所示。單次和連續(xù)寫操作也適用于EEMEM寫操作。有12個(gè)非易失性存儲(chǔ)器位置,EEMEM4到EEMEM15
2020-10-10 17:29:14
DMA配置流程三、DMA應(yīng)用簡單實(shí)例1. 存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器(M2M)2. 存儲(chǔ)器到USART串口(M2P)一、DMA簡介可參考STM32中文參考手冊(cè)第10章DMA控制器。直接存儲(chǔ)器存取(Direct Memory Access,DMA) 用來提供在外設(shè)和存儲(chǔ)器之間或者存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)器之間的高速數(shù)據(jù)傳輸。無須C
2022-01-26 07:54:39
EVERSPIN非易失性存儲(chǔ)器嵌入式技術(shù)
2020-12-21 07:04:49
Flash存儲(chǔ)器是一種基于浮柵技術(shù)的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,一般有NOR、NAND、 DINOR和AND 等幾種類型。作為一類非易失性存儲(chǔ)器 ,Flash存儲(chǔ)器具有自己獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn):不需要特殊的外部高
2020-11-16 14:33:15
(最初宣布推出的器件為 512KB 或 1MB)。此外,該存儲(chǔ)器也可配置為全高速緩存、全存儲(chǔ)器映射 SRAM(默認(rèn)),或是 32、64、128、256 或 512KB 四路集關(guān)聯(lián)高速緩存選項(xiàng)的組合。 至
2011-08-13 15:45:42
該板上檢測到NLP。我嘗試在重置線上電后重置PHY,但這沒有用。顯然,我的PHY配置有問題,但由于Ido沒有PHY的數(shù)據(jù)表,我不知道如何重新配置??它甚至測試其當(dāng)前配置。 PHY是否將配置數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器中?寄存器中有一點(diǎn)需要改變嗎?部件是否完全壞了?
2019-08-27 07:45:17
SST26VF064B存儲(chǔ)器IoT設(shè)備設(shè)計(jì)需要考慮哪些問題?非易失性存儲(chǔ)器怎么選擇?
2021-06-15 07:57:36
)都是獨(dú)立和軟件可配置的 每個(gè)通道都有3個(gè)事件標(biāo)志位DMA半傳輸DMA傳輸完成和DMA傳輸出錯(cuò) 支持存儲(chǔ)器->存儲(chǔ)器外設(shè)->存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器->外設(shè)和外設(shè)-&
2023-09-13 08:06:16
你好,作為NVSRAM的一部分,非易失性存儲(chǔ)器的耐力E/P周期是多少?最好的問候,井上 以上來自于百度翻譯 以下為原文Hi, How much are endurance E/P cycles
2018-10-19 15:57:30
非易失性存儲(chǔ)器(NVM)在半導(dǎo)體市場占有重要的一席之地,特別是主要用于手機(jī)和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統(tǒng)對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的要求更高,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用需要寫入速度極快的高密度存儲(chǔ)器,而
2019-06-26 07:11:05
EVAL-AD5232SDZ,用于AD5232雙通道,256位,非易失性存儲(chǔ)器數(shù)字電位器的評(píng)估板。 AD5232具有多種可編程性,允許多種工作模式,包括RDAC和EEMEM寄存器中的讀/寫訪問,電阻的遞增/遞減
2020-04-01 09:01:26
的載體。因此各種IC卡的應(yīng)用特 點(diǎn)主要體現(xiàn)在IC卡存儲(chǔ)器的類型,存儲(chǔ)器容量的大小和卡片電路的附加控制功能等幾個(gè)方面。 在IC卡中使用的存儲(chǔ)器類型主要分為兩大類:易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器。 易失
2020-12-25 14:50:34
你好,我在應(yīng)用中使用了PIC24FJ128GC06。我想用一頁的閃存(512字,1536字節(jié))作為非易失性存儲(chǔ)區(qū)來存儲(chǔ)設(shè)置、配置和校準(zhǔn)數(shù)據(jù)。我知道如何使用TBLPTRS讀取和寫入訪問內(nèi)存,以及
2018-10-19 16:08:12
Efuse是什么?Efuse的作用有哪些?如何去使用Efuse一次性可編程存儲(chǔ)器呢?
2021-11-02 06:55:41
,并且它還表示在BTXXTALYSTRAP0SP0和BTXXTALYSTRAPHL1上的1的值使得CYW20706/07能夠讀取來自非易失性存儲(chǔ)器。問題:你能幫助我理解如何將XTAL頻率信息存儲(chǔ)到
2018-11-15 15:55:17
我需要把一個(gè)數(shù)組保存到非易失性存儲(chǔ)器中,這樣我就可以通過電源周期來維護(hù)數(shù)據(jù)。我已經(jīng)看到EEPROM模塊,并考慮使用這一點(diǎn),但我不確定這個(gè)模塊的操作。我試圖做到以下幾點(diǎn):我想保存到非易失性存儲(chǔ)器陣列
2019-07-24 13:39:00
隨著集成電路制造工藝水平的提高,半導(dǎo)體芯片上可以集成更多的功能,為了讓產(chǎn)品有別于競爭對(duì)手的產(chǎn)品特性,在ASIC上集成存儲(chǔ)器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級(jí)芯片的可靠性。隨著對(duì)嵌入式存儲(chǔ)器需求的持續(xù)增長,其復(fù)雜性、密度和速度也日益增加,從而需要提出一種專用存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)方法。
2019-11-01 07:01:17
常用存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器的種類RAM存儲(chǔ)器非易失性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器的種類易失性存儲(chǔ)器: 掉電數(shù)據(jù)會(huì)丟失讀寫速度較快內(nèi)存非易失性存儲(chǔ)器:掉電數(shù)據(jù)不會(huì)丟失讀寫速度較慢機(jī)械硬盤RAM存儲(chǔ)器RAM是“Random
2021-12-10 07:09:20
您好,我在MCU上使用程序內(nèi)存的一部分作為NVM(非易失性存儲(chǔ)器)。我已經(jīng)設(shè)法寫和讀,但是現(xiàn)在我面臨的問題是,我想避免編譯器覆蓋我用于NVM的程序內(nèi)存空間。MCU是PIC32 MX230F064 D。程序存儲(chǔ)器的最后一頁是NVM的一頁。謝謝,問候,
2019-09-18 10:31:51
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別?特點(diǎn)?小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分,片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
汽車系統(tǒng)的設(shè)計(jì)變得越來越復(fù)雜,因?yàn)橐粩嗟募尤胄碌墓δ埽绺呒?jí)駕駛輔助,圖形儀表,車身控制和車輛信息娛樂系統(tǒng)。為了確保可靠、安全的操作,每個(gè)子系統(tǒng)均需要使用特定的非易失性存儲(chǔ)器,以便在復(fù)位操作和電源
2019-07-23 06:15:10
設(shè)計(jì)需求相變存儲(chǔ)器技術(shù)直接解決了當(dāng)今電子系統(tǒng)的需求:密度隨著消費(fèi)者,電腦和通訊電子系統(tǒng)的融合,所有電子系統(tǒng)中代碼均出現(xiàn)指數(shù)性增長,數(shù)據(jù)的增長速度甚至更快.為了滿足這種增長的需要,存儲(chǔ)器密度范圍不僅要
2018-05-17 09:45:35
具有記憶功能。按照存儲(chǔ)介質(zhì)的特性,可以分“易失性存儲(chǔ)器”和“非易失性存儲(chǔ)器”兩類。易失性存儲(chǔ)器斷電后,里面存儲(chǔ)
2022-02-11 07:51:30
電池,而且與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比,具有優(yōu)越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。
2020-05-07 15:56:37
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)能兼容RAM的一切功能,并且和ROM技術(shù)一樣,是一種非易失性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類存儲(chǔ)類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對(duì)于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-19 11:53:09
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)能兼容RAM的一切功能,并且和ROM技術(shù)一樣,是一種非易失性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類存儲(chǔ)類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對(duì)于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-21 10:49:57
系統(tǒng),在系統(tǒng)掉電的同時(shí)能存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)置信息也是非常重要。GIS和信息娛樂系統(tǒng)都有高清圖形顯示不僅需要存儲(chǔ)與讀取啟動(dòng)程序還需要存儲(chǔ)與讀取非常大的配置從外部的非易失性存儲(chǔ)器。 除了滿足應(yīng)用的需求
2018-05-21 15:53:37
S25FS128SDSNFI100,MirrorBit?閃存非易失性存儲(chǔ)器 1.8 V帶CMOS I/O的單電源 具有多I/O的串行外圍接口 
2023-02-07 14:23:17
不同的應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)有不同的需求:在運(yùn)行控制任務(wù)時(shí),需要Cache 匹配速度差異;在處理數(shù)據(jù)流時(shí),需要片內(nèi)存儲(chǔ)器提高訪問帶寬。本文設(shè)計(jì)了一種基于SRAM 的可配置Cache/SRAM
2010-01-25 11:53:55
24 摘 要: 本文簡單介紹了鐵電存儲(chǔ)器、磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器和相變存儲(chǔ)器這三種比較有發(fā)展?jié)摿?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器的原理、研究進(jìn)展及存在的問題等。引言 更高密度、更大帶寬、更
2006-03-24 13:32:18
2412 
鐵電存儲(chǔ)器工作原理和器件結(jié)構(gòu)
?
1 鐵電存儲(chǔ)器簡介
隨著IT技術(shù)的不斷發(fā)展,對(duì)于非易失性存儲(chǔ)器的需求越來越大,讀寫速度
2009-10-25 09:59:50
9100 
面向納電子時(shí)代的非易失性存儲(chǔ)器
摘要
目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器(NVM)技術(shù)有望成為未來幾年的參考技術(shù)。但是,閃存本身固有的
2009-12-25 09:37:28
636 本文對(duì)目前幾種比較有競爭力和發(fā)展?jié)摿Φ男滦?b class="flag-6" style="color: red">非易失性存儲(chǔ)器做了一個(gè)簡單的介紹。
鐵電存儲(chǔ)器(FeRAM)
鐵電存儲(chǔ)器是一種在斷電時(shí)不會(huì)丟失內(nèi)容的非易
2010-08-31 10:50:59
1942 
Synopsys, Inc.宣布:即日起推出面向多種180納米工藝技術(shù)的DesignWare? AEON?非易失性存儲(chǔ)器(NVM)知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)。
2011-06-29 09:04:28
983 介紹μPSD的存儲(chǔ)器系統(tǒng)內(nèi)部結(jié)構(gòu)和配置方法,討論了相關(guān)PSDSOFT軟件的使用方法。
2011-09-14 18:01:24
987 
“非易失性存儲(chǔ)器”作為新一代國際公認(rèn)存儲(chǔ)技術(shù),越來越受到世界各國高度重視。從7日在滬召開的第十一屆非易失性存儲(chǔ)器國際研討會(huì)上獲悉,上海在這一領(lǐng)域的研究已躋身國際先進(jìn)
2011-11-08 09:16:59
746 Ramtron宣布推出世界上最低功耗的非易失性存儲(chǔ)器。該16 kb器件的型號(hào)為FM25P16,是業(yè)界功耗最低的非易失性存儲(chǔ)器,為對(duì)功耗敏感的系統(tǒng)設(shè)計(jì)開創(chuàng)了全新的機(jī)遇.
2012-02-07 09:00:55
1190 汽車系統(tǒng)的設(shè)計(jì)變得越來越復(fù)雜,因?yàn)橐粩嗟募尤胄碌墓δ埽绺呒?jí)駕駛輔助,圖形儀表,車身控制和車輛信息娛樂系統(tǒng)。為了確保可靠、安全的操作,每個(gè)子系統(tǒng)均需要使用特定的非易失性存儲(chǔ)器,以便在復(fù)位操作和電源切換期間存儲(chǔ)信息。
2018-04-29 11:02:00
7701 
非易失性存儲(chǔ)器是指當(dāng)電流關(guān)掉后,所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失者的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中,依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn),可分為二大類產(chǎn)品,即ROM和Flash memory。
2018-12-23 13:31:00
10224 非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)是在關(guān)閉計(jì)算機(jī)或者突然性、意外性關(guān)閉計(jì)算機(jī)的時(shí)候數(shù)據(jù)不會(huì)丟失的技術(shù)。非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)得到了快速發(fā)展,非易失性存儲(chǔ)器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類。
2019-01-23 11:33:41
17003 非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)是在關(guān)閉計(jì)算機(jī)或者突然性、意外性關(guān)閉計(jì)算機(jī)的時(shí)候數(shù)據(jù)不會(huì)丟失的技術(shù)。非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)得到了快速發(fā)展,非易失性存儲(chǔ)器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類。
2019-04-07 14:33:00
8357 SLG46620-A為常用的混合信號(hào)功能提供小巧且低功耗的元件。用戶通過配置一次非易失性存儲(chǔ)器(NVM)來創(chuàng)建其電路設(shè)計(jì),以配置SLG46620-A的互連邏輯、I/O引腳和宏單元。
2019-12-13 15:13:40
2935 新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)主要有五種類型:閃存(Flash),鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FeRAM),磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM),相變存儲(chǔ)器(PCM)和RRAM。
2020-05-21 16:34:31
1840 良好的設(shè)計(jì)是成功制造非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品的重要關(guān)鍵,包括測試和驗(yàn)證設(shè)備性能以及在制造后一次在晶圓和設(shè)備級(jí)別進(jìn)行質(zhì)量控制測試。新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的制造和測試,這些技術(shù)將支持物聯(lián)網(wǎng),人工智能以及先進(jìn)
2020-06-09 13:46:16
847 
經(jīng)常有人將MRAM稱作是非易失性存儲(chǔ)器(NVRAM)未來的關(guān)鍵性技術(shù)。作為一項(xiàng)非易失性存儲(chǔ)器技術(shù),MRAM存儲(chǔ)芯片是可以在掉電時(shí)保留數(shù)據(jù)并且不需要定期刷新。MRAM存儲(chǔ)芯片利用磁性材料和傳統(tǒng)的硅電路
2020-09-24 16:19:43
1266 SRAM為數(shù)據(jù)訪問和存儲(chǔ)提供了一個(gè)快速且可靠的手段。由系統(tǒng)電源或其他備用電源(如電池)供電時(shí),他們就具有非易失性。表1給出了幾種給定的非易失性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)。 表1非易失性存儲(chǔ)器比較
2020-10-23 14:36:12
1516 
MKW Ventures的Mark Webb表示,在接下來的十年中,兩種新興的非易失性存儲(chǔ)器類型(相變存儲(chǔ)器和磁RAM)將在獨(dú)立存儲(chǔ)器中處于領(lǐng)先地位。
2020-11-24 15:29:16
2516 溫度條件下運(yùn)行,并且可以防篡改。這使得MRAM適用于汽車,工業(yè),軍事和太空應(yīng)用,這些對(duì)于MRAM開發(fā)人員來說是重要的部分。 那么MRAM的優(yōu)勢究竟有哪些呢?下面我們分幾點(diǎn)一起來看看: 首先,MRAM是非易失性存儲(chǔ)器,也就是斷電后MRAM依舊可以保存數(shù)據(jù)。這一
2021-03-03 16:40:05
955 AN-729: AD5254四通道256位I2C兼容型非易失性存儲(chǔ)器數(shù)字電位計(jì)評(píng)估套件
2021-03-21 08:03:23
4 串行接口存儲(chǔ)器廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類、汽車、電信、醫(yī)療、工業(yè)和 PC 相關(guān)市場。串行存儲(chǔ)器主要用于存儲(chǔ)個(gè)人偏好數(shù)據(jù)和配置/設(shè)置數(shù)據(jù),是當(dāng)今使用的最為靈活的非易失性存儲(chǔ)器(Nonvolatile
2021-03-31 11:14:47
7 非易失性存儲(chǔ)器X24C44中文數(shù)據(jù)手冊(cè)分享。
2021-04-14 10:20:48
6 非易失性存儲(chǔ)器X24C45中文數(shù)據(jù)手冊(cè)分享。
2021-04-14 10:30:09
15 AD5235:非易失性存儲(chǔ)器,雙1024位數(shù)字電位器數(shù)據(jù)表
2021-04-14 10:42:53
17 ADN2860:帶非易失性存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)表的3通道數(shù)字電位器
2021-04-19 13:28:38
4 AN-579:使用帶非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)字電位器的多功能可編程放大器
2021-04-25 20:34:37
12 AD5233:非易失性存儲(chǔ)器,四位64位電位器數(shù)據(jù)表
2021-04-25 20:46:31
6 AD5232:非易失性存儲(chǔ)器,雙256位數(shù)字電位器數(shù)據(jù)表
2021-04-26 20:14:47
1 ADN2850:非易失性存儲(chǔ)器,雙1024位數(shù)字電阻器數(shù)據(jù)表
2021-04-30 21:13:24
2 AD5232非易失性存儲(chǔ)器數(shù)字電位器評(píng)估板用戶手冊(cè)
2021-05-17 13:58:37
6 FM33256B-G器件將FRAM存儲(chǔ)器與基于處理器的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起,主要功能包括非易失性存儲(chǔ)器,實(shí)時(shí)時(shí)鐘,低VDD復(fù)位,看門狗定時(shí)器,非易失性事件計(jì)數(shù)器,可鎖定的64位序列號(hào)區(qū)域以及可用于斷電(NMI)中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。
2021-05-17 16:43:53
912 
AD5231:非易失性存儲(chǔ)器,1024位數(shù)字電位器數(shù)據(jù)表
2021-05-18 17:02:05
5 AD5255:帶非易失性存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)表的3通道數(shù)字電位器
2021-05-18 19:29:46
8 FM25V10-GTR是采用先進(jìn)鐵電工藝的1Mbit非易失性存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器或FRAM是非易失性的,并且執(zhí)行類似于RAM的讀取和寫入操作。它提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留,同時(shí)消除了由串行閃存
2021-06-08 16:39:52
1134 非易失性存儲(chǔ)器S25FL512S手冊(cè)免費(fèi)下載。
2021-06-10 09:46:24
2 FM25V02A是使用高級(jí)鐵電工藝的256Kbit非易失性存儲(chǔ)器。FRAM是非易失性的;與RAM相同,它能夠執(zhí)行讀和寫操作。它提供151年的可靠數(shù)據(jù)保留時(shí)間,并解決了由串行閃存、EEPROM和其他非易失性存儲(chǔ)器造成的復(fù)雜性、開銷和系統(tǒng)級(jí)可靠性的問題。賽普拉斯代理英尚微電子提供技術(shù)相關(guān)支持。
2021-07-27 15:23:08
2426 所謂的寄存器、內(nèi)存等用于存儲(chǔ)信息的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。存儲(chǔ)器的分類存儲(chǔ)器分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器;所謂易失性存儲(chǔ)器是指設(shè)備掉電,存儲(chǔ)的信息自動(dòng)清除,而非易失性存儲(chǔ)器具有存儲(chǔ)時(shí)間長的功能。易失性存儲(chǔ)器主要指RAM,而RAM分為動(dòng)態(tài)RAM(
2021-11-26 19:36:04
37 什么是FRAM? FRAM(鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)是一種非易失性存儲(chǔ)器,它使用鐵電薄膜作為電容器來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。FRAM兼具ROM(只讀存儲(chǔ)器)和RAM(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的特性,具有寫入速度更快
2022-03-02 17:18:36
766 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MCU片內(nèi)非易失性存儲(chǔ)器操作應(yīng)用筆記.zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-22 10:00:54
0 DRAM屬于易失性存儲(chǔ)器,也就是大家常說的內(nèi)存。今天,我們?cè)賮砜纯窗雽?dǎo)體存儲(chǔ)的另一個(gè)重要領(lǐng)域,也就是非易失性存儲(chǔ)器(也就是大家熟悉的閃存卡、U盤、SSD硬盤等)。
2022-10-13 09:24:13
1347 的哈佛機(jī)器。MAXQ器件包含實(shí)現(xiàn)偽馮諾依曼架構(gòu)的硬件,允許方便地訪問代碼空間作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。這種額外的多功能性,結(jié)合MAXQ提供存儲(chǔ)器寫和擦除服務(wù)的實(shí)用功能,為完整的讀寫、非易失性存儲(chǔ)器子系統(tǒng)提供了背景。
2023-03-03 14:48:48
454 
存儲(chǔ)器按存儲(chǔ)介質(zhì)特性來說,可以分為兩類,一類就是易失性存儲(chǔ)器,一類是非易失性存儲(chǔ)器。從計(jì)算機(jī)角度上看,易失性存儲(chǔ)器可以理解為內(nèi)存,而非易性存儲(chǔ)器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:43
1551 
FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器,因?yàn)樗Y(jié)合了ram和非易失性存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)。相對(duì)于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。
2021-07-15 16:46:56
696 
易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲(chǔ)器的發(fā)展回顧,上期我們回顧了非易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展史,本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程。易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)開機(jī)時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),但在關(guān)閉時(shí)將其擦除,但是
2023-06-28 09:05:28
877 Flash存儲(chǔ)器是一種非易失性存儲(chǔ)器,即使在供電電源關(guān)閉后仍能保持片內(nèi)信息。
2023-09-09 16:22:28
2619 如何充分利用單片機(jī)(MCU)的非易失性存儲(chǔ)器 單片機(jī)(MCU)的非易失性存儲(chǔ)器(NVM)是存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和程序的重要組成部分。它可以保留數(shù)據(jù),即使在斷電或復(fù)位后也不會(huì)丟失。為了充分利用MCU的NVM,我們
2023-12-15 10:10:49
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評(píng)論