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電子發燒友網>存儲技術>三星率先將HBM存儲芯片容量提至24GB

三星率先將HBM存儲芯片容量提至24GB

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2021-10-20 16:22:142055

SK首次提供24Gb DDR5樣品 美光推出全新20代PCI SSD

  SK海力士宣布提供業界內DRAM單一芯片容量最大的24Gb DDR5樣品。24Gb DDR5產品采用了EUV工藝的第四代10納米級(1a)技術,相較第二代10納米級(1y)DDR5產品單一芯片容量從16Gb提升至24Gb,從而改善了生產效率,其速度提升高達33%。
2022-03-29 17:20:521533

介紹HBM3標準的一些關鍵功能

HBM2E標準的每個裸片的最大容量為2GB,每個堆棧可以放置12層裸片,從而可實現24GB的最大容量。雖然標準是允許的,但我們尚未看到市場上出現任何 12 層的 HBM2E 堆棧。
2022-08-17 14:20:343376

24GB內存手機并不是驍龍8 Gen2的極限?

,16GB對于絕大多數人來說已經夠用了,不過你要是上24GB加量不怎么加價,那我還是資瓷的” 按照其中提到的信息來看,目前爆料中提到的24GB內存手機似乎并不是驍龍8 Gen2的極限,其最大可以搭載32GB的物理內存。
2023-06-30 11:37:52618

AI加速存儲芯片反轉 HBM芯片崛起

HBM(High Bandwidth Memory)是一種創新的CPU/GPU內存芯片,它通過堆疊多個DDR芯片并與GPU封裝在一起,實現了高容量和高位寬的DDR組合陣列。
2023-07-13 14:53:051111

美光推出業界首款8層堆疊的24GB容量第二代HBM3內存

Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:MU)今日宣布,公司已開始出樣業界首款 8 層堆疊的 24GB 容量第二代 HBM3 內存,其帶寬超過
2023-07-28 11:36:40535

美光推出性能更出色的大容量高帶寬內存 (HBM) 助力生成式人工智能創新

業界首款8層堆疊的24GB容量第二代HBM3,帶寬超過1.2TB/s,先進的1β制程節點提供卓越能效。 2023年7月27日,中國上海?——?Micron Technology Inc.
2023-08-01 15:38:21489

業界最快、容量最高的HBM

來源:半導體芯科技編譯 業內率先推出8層垂直堆疊的24GB容量HBM3 Gen2,帶寬超過1.2TB/s,并通過先進的1β工藝節點實現“卓越功效”。 美光科技已開始提供業界首款8層垂直堆疊的24GB
2023-08-07 17:38:07587

全球首發 24GB 超級內存 一加 Ace 2 Pro 再造流暢新巔峰

8 月 10 日,一加正式宣布,一加 Ace 2 Pro 將搭載至高 24GB 超級內存,結合獨家自研「內存基因重組」技術,進一步刷新安卓流暢體驗認知。一加 Ace 2 Pro 是行業首款實現大規模
2023-08-10 14:17:06499

三星或將從第四季度開始向英偉達供應HBM3

有分析師爆料稱三星將成為英偉達的HBM3存儲芯片關鍵供應商,三星或將從第四季度開始向英偉達供應HBM3。
2023-09-01 09:46:5140553

存儲芯片減產,AI芯片暴增!

、去庫存,但市場行情是否筑底眾說紛紜,整體產業回暖的跡象亦不明顯。 然而,在生成式AI對算力需求的帶動下,2023年初以來高帶寬內存(HBM)在整個存儲芯片產業中可謂“這邊風景獨好”。目前,三星、SK海力士、美光等存儲芯片大廠均在布
2023-09-08 10:36:16442

三星存儲芯片需求回暖!

美國消費者新聞與商業頻道分析,這意味存儲芯片市場可能觸底回升。按這家媒體說法,三星電子是全球最大的動態隨機存取存儲芯片制造商。這家企業生產的存儲芯片廣泛應用于智能手機和電腦等設備。
2023-11-02 16:57:57530

一加12R與一加12全球上市,國行版獨享24GB內存

對于容量24GB的款式,由于曝光消息僅限于中國地區國行版本,因此暫無海外版相關報道。全球范圍內出售的一加12預計仍沿用印度版本設定。
2024-01-02 10:09:30364

三星開創性研發出12層堆疊HBM3E 12H高帶寬存儲芯片存儲容量高達36

三星在技術上采用了最新的熱壓力傳導性膜(TC NCF)技術,成功維持了12層產品的高度與其前身8層HBM芯片保持一致,滿足了現有的HBM封裝要求。
2024-02-27 16:37:45384

三星電子發布業界最大容量HBM

三星電子近日宣布,公司成功研發并發布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM,即HBM3E 12H,該產品在帶寬和容量上均實現了顯著的提升,這也意味著三星已開發出業界迄今為止容量最大的新型高帶寬存儲器(HBM)。
2024-03-08 10:10:51158

集邦咨詢:明年HBM TSV產能預計250K/m,占DRAM總產能14%

集邦咨詢的報告進一步強調,HBM和DDR5之間的區別主要在于Die Size上。在同等制程及容量(如24GB)下,HBM Die尺寸大于DDR5的基礎版35%-45%。
2024-03-19 10:39:4678

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