MRAM，即磁阻式隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)稱(chēng)，兼?zhèn)銼RAM的高速讀寫(xiě)性能與閃存存儲(chǔ)器的非易失性。STT-MRAM是通過(guò)自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫(xiě)入的一種新型MARM，屬于MRAM的二代產(chǎn)品，解決了MRAM寫(xiě)入信息
2021-07-26 08:30:00
8872 
引人注目的新存儲(chǔ)器包括：相變存儲(chǔ)器（PCM）、鐵電存儲(chǔ)器（FeRAM）、磁阻RAM（MRAM）、電阻RAM（RRAM或 ReRAM）、自旋轉(zhuǎn)移力矩RAM（STT-RAM）、導(dǎo)電橋RAM（CBRAM
2017-02-21 11:05:472282 
真雙口RAM給設(shè)計(jì)帶來(lái)很多便利。在高速存儲(chǔ)中，需要對(duì)連續(xù)的數(shù)據(jù)同時(shí)處理，使用簡(jiǎn)單雙口RAM只能讀取一個(gè)數(shù)據(jù)，而使用真雙口RAM可以同時(shí)讀取兩個(gè)數(shù)據(jù)，這樣明顯提高讀取速度以及處理速度。
2018-06-29 08:54:0732478 
隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM是指存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入。
2022-10-18 17:12:013180 
ram在計(jì)算機(jī)和數(shù)字系統(tǒng)中用來(lái)暫時(shí)存儲(chǔ)程序、數(shù)據(jù)和中間結(jié)果。隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（ram）既可向指定單元存入信息又可從指定單元讀出信息。
2024-02-19 11:23:31570 
到目前為止，新興的非易失性存儲(chǔ)器(eNVM)，如自旋轉(zhuǎn)矩磁阻RAM(STT-MRAM)、可變電阻式存儲(chǔ)器(ReRAM) 和相變存儲(chǔ)器(PCM)，由于可擴(kuò)展性差、成本高以及缺乏主要內(nèi)存制造商的支持
2019-04-28 11:22:062950 ，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進(jìn)一步擴(kuò)展其EXCELON? F-RAM存儲(chǔ)器產(chǎn)品，推出兩款分別具有1Mbit和4Mbit存儲(chǔ)密度的新型F-RAM存儲(chǔ)器。全新
2023-08-09 14:32:40399 
目前的鐵路和電力及航空航天等多個(gè)行業(yè)已紛紛推行系統(tǒng)可靠性分析RAM技術(shù)，研發(fā)最佳的設(shè)備運(yùn)行維護(hù)方案，從而消除設(shè)備隱患，避免設(shè)備事故發(fā)生，降低裝置非計(jì)劃停工次數(shù)和設(shè)備運(yùn)行維護(hù)費(fèi)用，促進(jìn)裝置安全長(zhǎng)周期運(yùn)行，具有重要的現(xiàn)實(shí)意義。本文主要概括介紹RAM技術(shù)的基本概念。
2020-12-16 07:04:29
器]，主存儲(chǔ)器簡(jiǎn)稱(chēng)內(nèi)存。內(nèi)存在電腦中起著舉足輕重的作用。內(nèi)存一般采用半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元。因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">RAM是內(nèi)存其中最重要的存儲(chǔ)器，所以通常我們直接稱(chēng)之為內(nèi)存。內(nèi)存就是存儲(chǔ)程序以及數(shù)據(jù)的地方，比如當(dāng)我們?cè)谑褂肳PS
2009-10-13 17:04:10
求大神詳細(xì)介紹一下STT-MRAM的存儲(chǔ)技術(shù)
2021-04-20 06:49:29
STT-MRAM技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)
2020-12-16 06:17:44
STT-MRAM萬(wàn)能存儲(chǔ)器芯片
2021-01-06 06:31:10
MRAM，即磁阻式隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)稱(chēng)，兼?zhèn)銼RAM的高速讀寫(xiě)性能與閃存存儲(chǔ)器的非易失性。STT-MRAM是通過(guò)自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫(xiě)入的一種新型MARM，屬于MRAM的二代產(chǎn)品，解決了MRAM寫(xiě)入信息
2021-12-10 07:06:51
存儲(chǔ)器ram的特點(diǎn)
2021-01-05 06:57:06
之前對(duì)各種存儲(chǔ)器一直不太清楚，今天總結(jié)一下。存儲(chǔ)器分為兩大類(lèi)：ram和rom。ram就不講了，今天主要討論rom。rom最初不能編程，出廠(chǎng)什么內(nèi)容就永遠(yuǎn)什么內(nèi)容，不靈活。后來(lái)出現(xiàn)了prom，可以自己
2022-01-26 08:29:42
Eversipn STT-MRAM的MJT細(xì)胞
2021-02-24 07:28:54
的？Everspin代理下面將解析關(guān)于MRAM內(nèi)存技術(shù)工作原理。 Everspin MRAM與標(biāo)準(zhǔn)CMOS處理集成 Everspin MRAM基于與CMOS處理集成的磁存儲(chǔ)元件。每個(gè)存儲(chǔ)元件都將一個(gè)磁性隧道結(jié)
2020-08-31 13:59:46
F-RAM存儲(chǔ)技術(shù)是怎樣進(jìn)入汽車(chē)核心應(yīng)用領(lǐng)域的？
2021-05-13 06:29:08
IDDR與ODDR的簡(jiǎn)述RGMII時(shí)序簡(jiǎn)述千兆網(wǎng)輸入與輸出模塊的設(shè)計(jì)測(cè)試模塊的設(shè)計(jì)仿真測(cè)試結(jié)果總結(jié)
2021-01-22 06:09:37
ROM存儲(chǔ)和RAM存儲(chǔ)在物理結(jié)構(gòu)上有什么區(qū)別，如何才能實(shí)現(xiàn)只讀存儲(chǔ)和隨機(jī)存儲(chǔ)？
2023-10-30 07:09:38
自旋轉(zhuǎn)移扭矩磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（STT-MRAM）是一種持久性存儲(chǔ)技術(shù)，可利用各種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)接口提供性能，持久性和耐用性。 Everspin推出了STT-MRAM產(chǎn)品，該產(chǎn)品利用稱(chēng)為JE-DDR4
2021-01-15 06:08:20
光存儲(chǔ)技術(shù)是用激光照射介質(zhì)，通過(guò)激光與介質(zhì)的相互作用使介質(zhì)發(fā)生物理、化學(xué)變化，將信息存儲(chǔ)下來(lái)的技術(shù)。其基本物理原理是：存儲(chǔ)介質(zhì)受到激光照射后，介質(zhì)的某種性質(zhì)(如反射率、反射光極化方向等)發(fā)生改變，介質(zhì)性質(zhì)的不同狀態(tài)映射為不同的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的讀出則通過(guò)識(shí)別存儲(chǔ)單元性質(zhì)的變化來(lái)實(shí)現(xiàn)。
2019-10-11 09:11:06
本文主要向大家介紹了內(nèi)存(RAM或ROM)和FLASH存儲(chǔ)的真正區(qū)別，通過(guò)具體的分析，讓大家能夠了解它們，希望對(duì)大家學(xué)習(xí)內(nèi)存(RAM或ROM)和FLASH存儲(chǔ)有所幫助。1.什么是內(nèi)存什么是內(nèi)存呢？在
2021-07-30 07:51:04
什么是內(nèi)存呢？?jī)?nèi)存的工作原理是什么？?jī)?nèi)存（RAM或ROM）和FLASH存儲(chǔ)有哪些區(qū)別呢？
2021-11-09 06:11:02
單片機(jī)中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器ram
2020-12-29 07:15:44
大家好，我有FPGA virtext -5 ML510板，我想將圖像存儲(chǔ)在DD RAM中，我聲明一個(gè)數(shù)組，并希望存儲(chǔ)在DD RAM的基地址中，如果有人可以幫助我，那么使用Xilinx SDK 11從RAM寫(xiě)入和讀取圖像數(shù)據(jù)的過(guò)程是什么。
2020-06-03 12:03:38
作者 MahendraPakala半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在迎來(lái)下一代存儲(chǔ)器技術(shù)的新紀(jì)元，幾大主要變化趨勢(shì)正在成形。這其中包括磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM) 的出現(xiàn)。我將在幾篇相關(guān)文章中介紹推動(dòng)MRAM 得以采用的背景，重點(diǎn)說(shuō)明初始階段面臨的一些挑戰(zhàn)，并探討實(shí)現(xiàn) STT MRAM 商業(yè)可行性的進(jìn)展。
2019-07-16 08:46:10
1.嵌入式技術(shù)簡(jiǎn)述（1）概念： 在已有的硬件上移植操作系統(tǒng)，在操作系統(tǒng)上做層應(yīng)用開(kāi)發(fā)以及在操作系統(tǒng)之下做底層開(kāi)發(fā)；（2）操作系統(tǒng)：管理資源（包括軟件資源和硬件資源），降低耦合，起到“管家”的作用
2021-10-27 06:49:22
怎么隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ram中的存儲(chǔ)單元
2023-09-28 06:17:04
嗨， 我想知道是否可以累積存儲(chǔ)在RAM中的數(shù)據(jù)。假設(shè)我有64個(gè)數(shù)據(jù)樣本存儲(chǔ)在RAM中。我想總結(jié)所有64個(gè)樣本并將輸出作為單個(gè)樣本。有什么障礙嗎？我努力了累加器塊，但它顯示64個(gè)樣本。
2020-03-10 10:06:09
嗨，我正在使用STM8L052R8進(jìn)行溫度測(cè)量，因此使用ADC通道，然后在LCD上顯示溫度。能夠清除LCD Ram存儲(chǔ)器而不是寫(xiě)入所使用的每個(gè)LCD Ram寄存器將非常方便。是否有一個(gè)通用命令將為我
2019-02-25 11:24:49
請(qǐng)問(wèn)一下8086與RAM存儲(chǔ)電路該如何去設(shè)計(jì)呢？8086與RAM存儲(chǔ)電路又是如何工作的？
2021-11-05 09:11:19
請(qǐng)問(wèn)大佬單片機(jī)的RAM和ROM存儲(chǔ)了哪些東西？
2022-02-16 07:17:42
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類(lèi)存儲(chǔ)類(lèi)型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對(duì)于其它類(lèi)型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-19 11:53:09
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類(lèi)存儲(chǔ)類(lèi)型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對(duì)于其它類(lèi)型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-21 10:49:57
能夠?yàn)橛脩?hù)在快速以太網(wǎng)網(wǎng)絡(luò)上的計(jì)算機(jī)提供可靠的光纖連接 1.產(chǎn)品介紹 HK-ATTO SiliconDisk? 是一種可擴(kuò)展的、最先進(jìn)的基于 RAM 的存儲(chǔ)設(shè)備，它
2021-12-08 17:10:51
RAM,RAM工作原理是什么?
RAM (Random Access Memory隨機(jī)存貯器)是指通過(guò)指令可以隨機(jī)地、個(gè)別地對(duì)每個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行訪(fǎng)問(wèn)、訪(fǎng)問(wèn)所需時(shí)間基本固定、且與存
2010-03-24 16:03:0210297 名稱(chēng) RAM（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） RAM -random access memory 隨機(jī)存儲(chǔ)器 定義 存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲(chǔ)單元的位置無(wú)
2010-06-29 18:16:592215 電子發(fā)燒友網(wǎng)核心提示 ：什么是F-RAM？F-RAM：鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器。 相對(duì)于其它類(lèi)型的半導(dǎo)體技術(shù)而言，鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（F-RAM）具有一些獨(dú)一無(wú)二的特性。已經(jīng)確定的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分
2012-10-19 11:25:353151 
什么是F-RAM？ F-RAM：鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器。相對(duì)于其它類(lèi)型的半導(dǎo)體技術(shù)而言，鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（F-RAM）具有一些獨(dú)一無(wú)二的特性。已經(jīng)確定的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類(lèi)：易失性和非易失性
2012-10-19 17:16:334704 目前具有突破性的存儲(chǔ)技術(shù)有鐵電RAM（FRAM）、磁性RAM（MRAM）、相變RAM（PRAM）或其他相變技術(shù)。本文將分別介紹這些技術(shù)的特點(diǎn)、比較和研發(fā)進(jìn)展。
2016-04-22 11:10:491372 簡(jiǎn)述繼電保護(hù)技術(shù)監(jiān)督_張擁剛
2017-03-15 08:00:00
0 據(jù)下的存儲(chǔ)問(wèn)題及數(shù)據(jù)安全問(wèn)題，逐漸成為視頻網(wǎng)路監(jiān)控領(lǐng)域里新的課題。 安放數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)伴隨著安防技術(shù)和存儲(chǔ)技術(shù)共同發(fā)展。先后經(jīng)歷里模擬前端+DVR存儲(chǔ)、模擬前端+DVS/DVR+網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)、網(wǎng)絡(luò)前端+NVR、網(wǎng)絡(luò)前端+網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)等階段。現(xiàn)
2017-11-08 15:14:160 顯示區(qū)域B、C、D分別按照A的數(shù)據(jù)組織方式去組織顯示數(shù)據(jù)。組織后的顯示數(shù)據(jù)塊按A、B、C、D的順序存儲(chǔ)在RAM0里，然后將RAM0中的顯示數(shù)據(jù)塊A、B、C、D按B、C、D、A的順序拷貝到RAMl
2018-07-26 07:45:00531 
ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，ROM是Read Only Memory的縮寫(xiě)，RAM是Random Access Memory的縮寫(xiě)。ROM在系統(tǒng)停止供電的時(shí)候仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計(jì)算機(jī)的內(nèi)存。
2018-01-19 11:13:4910542 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在迎來(lái)下一代存儲(chǔ)器技術(shù)的新紀(jì)元，幾大主要變化趨勢(shì)正在成形。這其中包括磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器 （MRAM） 的出現(xiàn)。我將在幾篇相關(guān)文章中介紹推動(dòng)MRAM 得以采用的背景，重點(diǎn)說(shuō)明初始階段面臨的一些挑戰(zhàn)，并探討實(shí)現(xiàn) STT MRAM 商業(yè)可行性的進(jìn)展。
2018-05-29 15:42:002282 
RAM英文名random access memory，隨機(jī)存儲(chǔ)器，之所以叫隨機(jī)存儲(chǔ)器是因?yàn)椋寒?dāng)對(duì)RAM進(jìn)行數(shù)據(jù)讀取或?qū)懭氲臅r(shí)候，花費(fèi)的時(shí)間和這段信息所在的位置或?qū)懭氲奈恢脽o(wú)關(guān)。
2018-10-14 09:16:0036732 在此演示中，Everspin演示了基于STT-MRAM的NVMe存儲(chǔ)加速器提供了卓越的延遲確定性，可為Apache Log4J等應(yīng)用程序啟用低延遲寫(xiě)入緩沖區(qū)。
2018-11-23 05:55:003220 本指南是描述所有Spartan-6 FPGA中可用的Spartan?6 FPGA塊RAM的技術(shù)參考。塊RAM用于高效的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)或緩沖，用于高性能狀態(tài)機(jī)或FIFO緩沖，用于大移位寄存器、大查找表或ROM。
2019-02-15 16:38:5913 RAM是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器芯片。它可以隨時(shí)讀寫(xiě)（刷新時(shí)除外），而且它的速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)。RAM工作時(shí)可以隨時(shí)
2020-05-10 09:44:597848 。 ROM和RAM都是一種存儲(chǔ)技術(shù)，只是兩者原理不同，RAM為隨機(jī)存儲(chǔ)，掉電不會(huì)保存數(shù)據(jù)，而ROM可以在掉電的情況下，依然保存原有的數(shù)據(jù)。抄ROM是Read Only Memory的意思，也就是說(shuō)這種存儲(chǔ)器只能讀，不能寫(xiě)。而RAM是Random Access Memory的縮寫(xiě)。RAM則可
2020-05-10 10:28:222798 器是用來(lái)存儲(chǔ)程序和各種數(shù)據(jù)信息的記憶部件。 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器ram 這是個(gè)可以隨時(shí)存取數(shù)據(jù)的一塊存儲(chǔ)器，也就是可以讀（取）也可以寫(xiě)（存）的存儲(chǔ)器，簡(jiǎn)稱(chēng)為RAM存儲(chǔ)。 現(xiàn)在單片機(jī)里面所使用的RAM存儲(chǔ)器，屬于靜態(tài)RAM或SRAM存儲(chǔ)芯片，這個(gè)和電
2020-05-13 14:03:352737 雙口RAM是常見(jiàn)的共享式多端口存儲(chǔ)器，以圖1所示通用雙口靜態(tài)RAM為例來(lái)說(shuō)明雙口RAM的工作原理和仲裁邏輯控制。雙口RAM最大的特點(diǎn)是存儲(chǔ)數(shù)據(jù)共享。圖1中，一個(gè)存儲(chǔ)器配備兩套獨(dú)立的地址、數(shù)據(jù)和控制線(xiàn)
2020-05-18 10:26:482585 
的領(lǐng)先趨勢(shì)來(lái)增強(qiáng)動(dòng)力。 什么是STT-MRAM？ 嵌入式存儲(chǔ)器IP選項(xiàng)包括STT-MRAM，相變存儲(chǔ)器（PCM），電阻RAM（ReRAM）和鐵電RAM（FRAM）。每種新興的內(nèi)存技術(shù)都不同，適合特定的應(yīng)用，但STT-MRAM似乎已成為主流。 STT-MRAM是一種電阻存儲(chǔ)技術(shù)，其中材料中電子的磁性自旋變
2020-08-04 17:24:263389 MRAM（磁性RAM）是一種使用電子自旋來(lái)存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)（MRAM設(shè)備是Spintronics設(shè)備）。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力，能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起，同時(shí)
2020-08-07 17:06:122003 但以目前的容量而言，STT－MRAM容量仍小，離取代一般存儲(chǔ)器還有一段路要走，另一種比較可行的應(yīng)用，是把STT－MRAM嵌入其他系統(tǒng)芯片，目前已有SRAM嵌入邏輯芯片的技術(shù)，而STT－MRAM記憶密度比SRAM更高，有助于提高邏輯芯片內(nèi)的記憶容量。
2020-08-21 14:18:00593 自旋轉(zhuǎn)移扭矩隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（STT-RAM）技術(shù)希望用其下一代MRAM取代DRAM，最終取代NAND。它結(jié)合了DRAM的成本優(yōu)勢(shì)，SRAM的快速讀寫(xiě)性能以及閃存的非易失性。據(jù)說(shuō)STT-RAM
2020-08-10 15:30:20832 Ramtron International公司近日宣布推出采用精簡(jiǎn)的FBGA封裝的4M F-RAM存儲(chǔ)器FM22LD16。FM22LD16是一個(gè)容量為4M，3V工作電壓，并行非易失性RAM，48
2020-08-30 10:09:01677 相信有很多人都對(duì)計(jì)算機(jī)里的各種存儲(chǔ)器（ROM、RAM、FLASH 等等）傻傻分不清，就會(huì)存在，內(nèi)存條是 dram 還是 nand？nand flash 和 nor flash 的區(qū)別又是什么？程序
2020-12-17 14:56:3810522 來(lái)極化電流的技術(shù)。通過(guò)使用自旋極化電流來(lái)改變磁取向來(lái)執(zhí)行數(shù)據(jù)寫(xiě)入MTJelement中信息存儲(chǔ)層的位置。MTJ元件的合成電阻差用于信息讀取。 STT-MRAM是一種適用于未來(lái)使用超精細(xì)工藝生產(chǎn)的MRAM的技術(shù)，可以有效地嵌入到隨后的諸如FPGA和微處理器，微控制器和片上
2020-11-20 15:23:46791 按照數(shù)據(jù)存取的方式不同，ram中的存儲(chǔ)單元分為兩種：靜態(tài)存儲(chǔ)單元一靜態(tài)RAM（SRAM）;動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元?jiǎng)討B(tài)RAM（DRAM）。 1.靜態(tài)存儲(chǔ)單元（SRAM）：它由電源來(lái)維持信息，如觸發(fā)器，寄存器
2020-12-02 14:31:302182 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是FPGA的RAM存儲(chǔ)資源詳細(xì)資料說(shuō)明包括了：1、 FPGA存儲(chǔ)資源簡(jiǎn)介，2、 不同廠(chǎng)家的 Block RAM 布局，3、 塊 RAM 和分布式 RAM 資源，4、 Xilinx Block RAM 架構(gòu)及應(yīng)用
2020-12-09 15:31:0010 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是FPGA硬件基礎(chǔ)之FPGA的RAM存儲(chǔ)課件和工程文件。
2020-12-10 15:27:0030 在ISSCC 2020上臺(tái)積電呈現(xiàn)了其基于ULL 22nm CMOS工藝的32Mb嵌入式STT－MRAM。該MRAM具有10ns的讀取速度，1M個(gè)循環(huán)的寫(xiě)入耐久性，在150度下10年以上的數(shù)據(jù)保持能力和高抗磁場(chǎng)干擾能力。
2020-12-24 15:51:14614 存儲(chǔ)器類(lèi)型有很多，常見(jiàn)的有ROM（Read-onlymemory只讀的），RAM（Random-accessmemory可讀可寫(xiě)的），還有一類(lèi)被大家忽略的CAM（可以自行百度）。 網(wǎng)上另一種
2021-04-12 10:18:473844 
51 系列單片機(jī)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器分片內(nèi) RAM 和片外 RAM 兩部分。通常片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器有 128B，對(duì)應(yīng)的地址范圍是 00H～7FH；增強(qiáng)型片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器有 256B，對(duì)應(yīng)的地址范圍是 00H
2021-11-23 17:06:278 一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康模?．了解半導(dǎo)體靜態(tài)隨機(jī)讀寫(xiě)存儲(chǔ)器SRAM的工作原理及其使用方法2．掌握半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的字、位擴(kuò)展技術(shù)3．用proteus設(shè)計(jì)、仿真基于AT89C51單片機(jī)的RAM擴(kuò)展實(shí)驗(yàn)二、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容
2021-11-25 15:36:1114 仍讓它無(wú)法滿(mǎn)足高速RAM應(yīng)用必須兼具高速寫(xiě)入、無(wú)限耐久性，以及可接受的數(shù)據(jù)保存能力之需求。 ? STT-MRAM（也稱(chēng)為STT-RAM或有時(shí)稱(chēng)為ST-MRAM和ST-RAM）是一種高級(jí)類(lèi)型的MRAM設(shè)備。與常規(guī)設(shè)備相比，STT-MRAM可實(shí)現(xiàn)更高的密度、低功耗和更低的成本。 STT-MRAM 相對(duì)于
2021-12-11 14:47:44519 本文由everspin代理宇芯電子介紹關(guān)于新型的芯片架構(gòu),將嵌入式磁存儲(chǔ)芯片STT-MRAM應(yīng)用于芯片架構(gòu)設(shè)計(jì)中,與傳統(tǒng)芯片架構(gòu)相比較,能夠降低芯...
2022-01-25 20:15:003 自旋轉(zhuǎn)移扭矩隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（STT-RAM）技術(shù)希望用其下一代MRAM取代DRAM，最終取代NAND。它結(jié)合了DRAM的成本優(yōu)勢(shì)，SRAM的快速讀寫(xiě)性能以...
2022-01-26 18:32:390 STT-MRAM是通過(guò)自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫(xiě)入的一種新型非易失性磁隨機(jī)存儲(chǔ)器，是磁性存儲(chǔ)器MRAM的二代產(chǎn)品。STT-MRAM存儲(chǔ)的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，它省略了...
2022-02-07 12:36:256 ./oschina_soft/STT.zip
2022-06-20 09:32:121 STT-MRAM非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節(jié)訪(fǎng)問(wèn)的工作，也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性，保留時(shí)間長(zhǎng)的存儲(chǔ)。MRAM供應(yīng)商英尚微支持提供相關(guān)技術(shù)支持。
2022-11-29 15:57:581325 ROM和RAM的區(qū)別是什么？ROM和RAM都是一種存儲(chǔ)技術(shù)，只是兩者原理不同，RAM為隨機(jī)存儲(chǔ)，掉電不會(huì)保存數(shù)據(jù)，而ROM可以在掉電的情況下，依然保存原有的數(shù)據(jù)。ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)
2023-03-30 14:53:271941 RAM ：隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（random access memory，RAM）又稱(chēng)作“隨機(jī)存儲(chǔ)器”。
2023-04-25 15:58:205064 
計(jì)算機(jī)關(guān)閉時(shí)，RAM 中存儲(chǔ)的信息會(huì)丟失，而長(zhǎng)期存儲(chǔ)設(shè)備（SSD 或HDD）中的數(shù)據(jù)會(huì)保留。
2023-05-05 15:35:541740 其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無(wú)限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設(shè)計(jì)中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲(chǔ)器和工作存儲(chǔ)器。
2023-05-12 16:31:39268 ROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)在斷電后依然存在，不會(huì)丟失，因此也被稱(chēng)為非易失性存儲(chǔ)器。而RAM是易失性存儲(chǔ)器，當(dāng)斷電時(shí)，其中的數(shù)據(jù)將會(huì)丟失。
2023-06-20 16:38:442025 一個(gè)可隨時(shí)存取數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器，即可讀(取)或?qū)?存)的存儲(chǔ)器，簡(jiǎn)稱(chēng)ram。
2023-07-25 15:28:37641 RAM中的一部分通常被用作緩存，用于存儲(chǔ)CPU經(jīng)常訪(fǎng)問(wèn)的數(shù)據(jù)和指令，以提高計(jì)算機(jī)的性能。緩存能夠以較高的速度提供對(duì)這些數(shù)據(jù)的訪(fǎng)問(wèn)，減少了對(duì)較慢的主存儲(chǔ)器（如硬盤(pán)）的訪(fǎng)問(wèn)次數(shù)，從而加快了計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的響應(yīng)速度。
2023-09-21 15:35:032400 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展，可以說(shuō)是一段漫長(zhǎng)而又充滿(mǎn)神奇色彩的歷程，承載著人類(lèi)智慧與技術(shù)創(chuàng)新。從最早的打孔卡開(kāi)始，它逐漸經(jīng)歷了磁存儲(chǔ)、硬盤(pán)、閃存，以及現(xiàn)在的云存儲(chǔ)；這一路的發(fā)展不僅見(jiàn)證了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)的飛速進(jìn)步，也反映了人類(lèi)對(duì)信息記載與保存的不斷追求。
2023-09-22 11:00:561051 
隨著人們對(duì)計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備的需求不斷增長(zhǎng)，存儲(chǔ)器的種類(lèi)也越來(lái)越多。其中，RAM（Random Access Memory，隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器）是計(jì)算機(jī)中最常用的一種存儲(chǔ)器。RAM可以分為兩種類(lèi)型，一種
2024-01-12 17:27:15523 當(dāng)電源斷開(kāi)時(shí)，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）中的數(shù)據(jù)通常會(huì)丟失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">RAM是一種易失性存儲(chǔ)器，它必須以恒定的電源供應(yīng)來(lái)維持存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。在斷電時(shí)，RAM中的電荷會(huì)逐漸耗盡，導(dǎo)致其中的數(shù)據(jù)丟失。在這
2024-01-16 16:30:19865 在計(jì)算機(jī)中，CPU需要定期地從 RAM 存儲(chǔ)器中讀取數(shù)據(jù)和指令。隨著計(jì)算機(jī)應(yīng)用程序的不斷發(fā)展，RAM 存儲(chǔ)器的容量和速度不斷提高，以適應(yīng)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的需要。
2024-03-04 17:30:07524 
FPGA雙口RAM的使用主要涉及配置和使用雙端口RAM模塊。雙端口RAM的特點(diǎn)是有兩組獨(dú)立的端口，可以對(duì)同一存儲(chǔ)塊進(jìn)行讀寫(xiě)操作，從而實(shí)現(xiàn)并行訪(fǎng)問(wèn)。
2024-03-15 13:58:1481
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