2016年下半年開始了新一輪存儲(chǔ)芯片的旺季，DRAM內(nèi)存及NAND閃存的價(jià)格從那時(shí)候開始瘋漲，今年已經(jīng)進(jìn)入第三個(gè)年頭了，不過(guò)情況也不一樣了DRAM內(nèi)存顆粒今年的漲價(jià)速度放緩到個(gè)位數(shù)，不過(guò)今年并沒(méi)有
2018-10-31 09:49:01
2076 減少資本支出。該公司計(jì)劃在服務(wù)器、NAND閃存及DRAM需求和價(jià)格下降的情況下靈活應(yīng)對(duì)市場(chǎng)狀況。 DRAM價(jià)格下降11%，NAND價(jià)格下降21% 隨著2018下半年內(nèi)存需求放緩，供應(yīng)短缺得到解決，內(nèi)存市場(chǎng)環(huán)境迅速變化。因此，SK海力士第四季度合并收入環(huán)比下降13％至9.94萬(wàn)
2019-01-27 00:35:008617 DRAMeXchange數(shù)據(jù)顯示，第二季度全球DRAM存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值連續(xù)下降9％，而NAND閃存業(yè)則持平。 DRAMeXchange表示，第二季度DRAM比特出貨量連續(xù)增長(zhǎng)，但芯片價(jià)格下跌拖累
2019-08-21 09:24:005149 市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技預(yù)期，今年儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash）整年都將維持供應(yīng)吃緊的情況，NAND Flash廠商業(yè)績(jī)可望逐季攀高。
2017-03-08 10:11:39580 NAND閃存是一種電壓原件，靠其內(nèi)存電壓來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
2023-07-12 09:43:211446 
的五個(gè)最大細(xì)分市場(chǎng)。 DRAM和NAND閃存在2019年保持相同的地位后，有望在2020年再次成為兩個(gè)最大的IC領(lǐng)域。今年的銷售額預(yù)計(jì)增長(zhǎng)3.2％，預(yù)計(jì)DRAM市場(chǎng)將達(dá)到近646億美元，比去年增長(zhǎng)15
2020-08-05 09:29:065235 Semiconductor。 ? X-NAND ? 相信去年的閃存峰會(huì)上，除了鎧俠、SK海力士、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、三星等大廠所做的技術(shù)分享外，大家也都注意到了這家名為NEO Semiconductor的初創(chuàng)企業(yè)。這是一家專為NAND閃存和DRAM內(nèi)存開發(fā)創(chuàng)新架構(gòu)的廠商，其去年推出的X-NAND第二代技術(shù)，允許3D NAND閃存
2023-05-08 07:09:001984 
一般在2M左右，比較適合頻繁隨機(jī)讀寫的場(chǎng)合，通常用于存儲(chǔ)程序代碼并直接在閃存內(nèi)運(yùn)行，手機(jī)就是使用NOR型閃存的大戶，所以手機(jī)的“內(nèi)存”容量通常不大。另外用在代碼量小的嵌入式產(chǎn)品方面，可以把LINUX
2012-08-15 17:11:45
DRAM內(nèi)存原理 不管你信不信，RDRAM (Rambus)、DDR SDRAM甚至是EDO RAM它們在本質(zhì)上講是一樣的。RDRAM、DDR RAM
2009-10-21 18:27:06
的市況，蘇治源說(shuō)，目前看來(lái)，下游庫(kù)存低，農(nóng)歷年前的拉貨力道強(qiáng)勁，預(yù)估本月底前不會(huì)跌價(jià)，2月農(nóng)歷年后價(jià)格才會(huì)緩步下跌，到5月后價(jià)格才會(huì)再回升。在沒(méi)有新產(chǎn)能加入，市場(chǎng)溫和成長(zhǎng)下，NAND Flash今年將是
2022-02-10 12:26:44
KF432C16BBAK2/64金士頓內(nèi)存條KF432C16BBAK4/128訴求缺貨的存儲(chǔ)器族群，今年以來(lái)漲勢(shì)凌厲，存儲(chǔ)器模塊龍頭金士頓(Kingston)的DRAM及NAND Flash模塊更是
2022-02-11 14:02:48
受惠背光市場(chǎng)的備貨效應(yīng)，以及商業(yè)照明訂單大量釋出，LED訂單需求能見度可望延續(xù)至第2季，由于旺季效應(yīng)加溫，晶電、隆達(dá)、東貝等可望受惠。晶電副總張世賢表示，第2季為L(zhǎng)ED傳統(tǒng)旺季，晶電訂單大幅增加
2013-04-22 17:48:33
記憶體(NAND Flash)在傳統(tǒng)淡季時(shí)節(jié)報(bào)價(jià)則維持穩(wěn)定。Mosesmann并表示，PC廠商預(yù)期今(2010)年每臺(tái)PC的DRAM平均容量將達(dá)3.3GB，高于目前的2.8GB與2009年的2.3GB
2022-01-22 07:59:46
MT29F512G08CUCABH3-10ITZ:A閃存MT29F1T08CUCBBH8-6R:B美系內(nèi)存大廠美光(Micron)在購(gòu)并NOR Flash龍頭大廠恒憶(Numonyx)之后，加入2項(xiàng)
2022-01-22 08:14:06
：DRAM庫(kù)存緊張，因行業(yè)資本支出增加反而擔(dān)憂NAND對(duì)于美光而言，由于在2020年和2021年有限的資本支出，再加上需求增加的雙重影響，截止到2021財(cái)年Q2財(cái)季，美光庫(kù)存天數(shù)減少至99天，庫(kù)存
2021-12-27 16:04:03
MX25L25645GZ2I-08GMX25L25645GZNI-08G閃存芯片陳立白表示，整體而言，去年DRAM價(jià)格從3月開始一路跌到年底，今年全年的狀況會(huì)比去年來(lái)的好，DRAM模塊廠只要好好經(jīng)營(yíng)
2022-02-17 08:59:47
和其它產(chǎn)品占營(yíng)收比重則下滑至52.38%。以威剛2012年上半年?duì)I收來(lái)看，DRAM產(chǎn)品線營(yíng)收比重明顯提升達(dá)44.78%，NAND Flash產(chǎn)品線和其它產(chǎn)品占營(yíng)收約55.22%。威剛表示，第2季市況觸底后
2022-02-19 11:55:37
，威剛第2季營(yíng)收會(huì)較第1季少一點(diǎn)，第2季會(huì)是全年?duì)I收的谷底，第3季將逐步升溫，如果庫(kù)存水位控制得宜，內(nèi)存模塊廠仍是可以賺到穩(wěn)定的獲利。在DRAM供需方面，PC OEM買氣仍是持續(xù)，但現(xiàn)貨市場(chǎng)需求卻相當(dāng)
2022-02-17 08:51:45
HDI的需求成長(zhǎng)。展望第三季的營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)，曾子章認(rèn)為將呈現(xiàn)溫和成長(zhǎng)，而吳健也說(shuō)，下半年還是會(huì)有傳統(tǒng)旺季效應(yīng)，并且在第四季達(dá)到高峰。 耀華也表示，盡管客戶端出現(xiàn)下修第三季平板計(jì)算機(jī)的出貨量，但預(yù)估第三季
2011-07-05 14:46:22
得數(shù)據(jù)傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的內(nèi)存，而且它有著成本優(yōu)勢(shì)，事實(shí)上擊敗了Intel的另外一種內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)-Rambus DRAM。在很多高端的顯卡上，也配備了高速DDR RAM來(lái)提高帶寬，這可
2015-11-04 10:09:56
客戶轉(zhuǎn)單的效應(yīng)，威剛上半年財(cái)報(bào)交出每股稅后4元的好成績(jī)，第3季營(yíng)收和獲利可望持續(xù)攀升。?威剛(3260)因預(yù)期DRAM、NAND Flash價(jià)格可望緩步增溫，讓第三季業(yè)績(jī)加溫，威剛股價(jià)再創(chuàng)今年新高
2022-02-14 11:55:25
%；美光2019第二財(cái)季營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率保持在36.2%，NAND Flash營(yíng)收占比為30%。由于缺少DRAM的盈利支撐，西部數(shù)據(jù)營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率僅為5%，將處于不利地位。現(xiàn)在NAND Flash仍在持續(xù)跌價(jià)，Q2
2022-01-31 12:29:27
大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我對(duì)內(nèi)存使用有一些疑問(wèn)： XIP 是否通過(guò) QSPI 支持 NAND 閃存？如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動(dòng)，則加載程序必須將應(yīng)用程序復(fù)制到
2023-03-29 07:06:44
認(rèn)為每個(gè)組件都有自己的閃存。您如何看待，我應(yīng)該只使用一個(gè)NAND閃存進(jìn)行FPGA和處理器訪問(wèn)，這意味著FPGA配置文件（.mcs）也存儲(chǔ)在非易失性閃存中，在加電時(shí)，ARM處理器會(huì)自動(dòng)配置FPGA
2019-05-21 06:43:17
目前，針對(duì)NOR Flash設(shè)計(jì)的文件系統(tǒng)JFFS/JFFS2在嵌入式系統(tǒng)中已得到廣泛的應(yīng)用;隨著NAND作為大容量存儲(chǔ)介質(zhì)的普及，基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS(Yet Another Flash File SySTem)正逐漸被應(yīng)用到嵌入式系統(tǒng)中。
2019-10-28 06:39:19
[資訊] DRAM挺過(guò)7月 有望旺到后年動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）價(jià)格年初以來(lái)維持強(qiáng)勢(shì)，但封測(cè)廠強(qiáng)調(diào)，7月爾必達(dá)新增產(chǎn)能是否可以去化是重要觀察期，一旦能順利消化，DRAM產(chǎn)業(yè)榮景將能持續(xù)到明、后年
2010-05-10 10:51:03
來(lái)源：電子工程專輯根據(jù)內(nèi)存市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新出爐的報(bào)告，2006年第二季全球DRAM銷售額較第一季成長(zhǎng)15.5%。主要原因來(lái)自于***地區(qū)廠商產(chǎn)能持續(xù)開出以及第二季DDR
2008-05-26 14:43:30
對(duì)DRAM芯片的強(qiáng)勁需求將繼續(xù)超過(guò)供應(yīng)，因三星和第二大記憶體芯片廠商SK海力士的新廠料在2019年前不會(huì)投產(chǎn)；此外，截至9月NAND閃存的需求則連續(xù)第六季超過(guò)供應(yīng)。供蘋果新手機(jī)使用的有機(jī)發(fā)光二極體（OLED）面板的銷售增長(zhǎng)，也支撐了第四季獲利創(chuàng)紀(jì)錄新高的預(yù)期。
2017-10-13 16:56:04
的情況下，預(yù)計(jì)2019的NAND Flash及DRAM都會(huì)有一波大降價(jià)的情況。其中，NAND Flash的價(jià)格會(huì)跌45％，DRAM價(jià)格會(huì)下跌30％。而且，這樣的價(jià)價(jià)幅度在2019年第2季之前是看不到
2021-07-13 06:38:27
我正在嘗試啟動(dòng) IMX6ULL NAND 閃存。供您參考，我使用 buildroot 2018_11_4 成功啟動(dòng)了 IMX6ULL NAND 閃存。（uboot 4.15 和 linux 4.15
2023-04-20 07:55:17
閃存被廣泛用于移動(dòng)存儲(chǔ)、數(shù)碼相機(jī)、 MP3 播放器、掌上電腦等新興數(shù)字設(shè)備中。由于受到數(shù)碼設(shè)備強(qiáng)勁發(fā)展的帶動(dòng)， NAND 閃存一直呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)的超高速增長(zhǎng)， NAND 可望在近期超過(guò) NOR 成為閃存技術(shù)的主導(dǎo)。
2018-06-14 14:34:31
存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）取代NAND閃存的可能性分析
2021-01-05 06:23:08
11%達(dá)27~27.5美元，晶片合約價(jià)調(diào)漲12%左右達(dá)3.1美元。5月合約價(jià)雖持平，但6月價(jià)格可望再調(diào)漲5%，等于第二季合約價(jià)將再漲1~2成。在PC DRAM合約價(jià)持續(xù)漲情況下，智能型手機(jī)用
2017-06-13 15:03:01
求DM3730用的NAND+DRAM 的線路和layout
2015-07-17 14:56:53
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Dynamic RAM），“動(dòng)態(tài)”二字指沒(méi)隔一段時(shí)間就會(huì)刷新充電一次，不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會(huì)消失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
15.8%。虹揚(yáng)指出，預(yù)估下半年前端原材料缺料問(wèn)題獲得緩解后，可望在獲利面回歸平穩(wěn)成長(zhǎng)。法人表示，虹揚(yáng)在漲價(jià)效應(yīng)在5月起浮現(xiàn)后，第2季毛利率將改善，加上匯率干擾因素可能降低，使獲利有機(jī)會(huì)提升。2017年
2018-05-22 16:23:43
Micron美光公司因其DRAM和NAND快閃存儲(chǔ)器技術(shù)創(chuàng)新獲得半導(dǎo)體Insight獎(jiǎng)
美光科技股份有限公司近日宣布，Semiconductor Insights選擇美光公司兩項(xiàng)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的D
2009-05-08 10:39:06909 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)
閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對(duì)NAND類型的
2010-05-20 09:26:23770 
主攻個(gè)人計(jì)算機(jī)市場(chǎng)的標(biāo)準(zhǔn)型動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）近期呈現(xiàn)強(qiáng)勁的拉貨力道，本月價(jià)格可望強(qiáng)彈；應(yīng)用行動(dòng)裝置的儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash）因補(bǔ)貨需求落空，價(jià)格看跌。
2012-05-07 10:47:51689 
內(nèi)存市場(chǎng)日益擴(kuò)大，研調(diào)機(jī)構(gòu) IC Insights 最新報(bào)告預(yù)測(cè)，DRAM 與 NAND 閃存等，未來(lái) 5 年年均復(fù)合增長(zhǎng)率（CAGR）可達(dá) 7.3%，產(chǎn)值將從去年的 773 億美元擴(kuò)增至 1，099 億美元。
2017-01-10 11:28:23599 2016年全球PC市場(chǎng)繼續(xù)下滑，除了游戲相關(guān)的硬件之外，活得最滋潤(rùn)的就是DRAM內(nèi)存、NAND閃存了，2016下半年開始的缺貨、漲價(jià)使得相關(guān)廠商的營(yíng)收看漲。作為全球最大的DRAM內(nèi)存及NAND閃存
2017-01-16 10:40:24638 半導(dǎo)體廠第1季營(yíng)運(yùn)展望不同調(diào)，聯(lián)發(fā)科與創(chuàng)意第1季展望保守，業(yè)績(jī)恐將季減2位數(shù)百分點(diǎn)，瑞昱、聯(lián)詠與譜瑞-KY則可望有淡季不淡表現(xiàn)，業(yè)績(jī)有機(jī)會(huì)較去年第4季持平。 半導(dǎo)體廠第1季營(yíng)運(yùn)展望不同調(diào)
2017-02-14 01:06:40127 三星電子、NAND型快閃存儲(chǔ)器商今(2018)年紛紛延遲投產(chǎn)，分析師擔(dān)憂這恐怕會(huì)沖擊明年的半導(dǎo)體設(shè)備市況。
2018-07-20 12:55:00927 旺宏去年第四季營(yíng)收維持逆勢(shì)成長(zhǎng)的表現(xiàn)，整體Nor flash仍是報(bào)價(jià)上漲，展望今年的Nor flash市況，整體市場(chǎng)需求仍是成長(zhǎng)，而供給端則主要觀察大陸業(yè)者的產(chǎn)能開出狀況，但整體來(lái)看，Nor
2018-01-11 01:47:00699 2017年，整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè)不論DRAM或NAND Flash，都度過(guò)了一個(gè)黃金好年，那么2018年可否持續(xù)榮景呢？ 綜合目前業(yè)界的看法，DRAM熱度可望延續(xù)，供不應(yīng)求態(tài)勢(shì)依舊，但NAND部分，恐怕
2018-01-22 11:30:02536 
綜合目前業(yè)界的看法，DRAM 熱度可望延續(xù)，供不應(yīng)求態(tài)勢(shì)依舊，但NAND 部分，恐怕就不會(huì)那么樂(lè)觀了，由于大廠3D NAND 良率大躍進(jìn)，供給過(guò)剩問(wèn)題已經(jīng)提前在2017 年第四季引爆，至少2018 年上半年恐怕都不會(huì)太理想，最快2018 年第二季供需平衡，第三季再度供給吃緊，屆時(shí)產(chǎn)業(yè)由悲轉(zhuǎn)喜。
2018-01-22 14:33:334440 
NAND閃存芯片是智能手機(jī)、SSD硬盤等行業(yè)中的基礎(chǔ)，也是僅次于DRAM內(nèi)存的第二大存儲(chǔ)芯片，國(guó)內(nèi)的存儲(chǔ)芯片幾乎100%依賴進(jìn)口。好在國(guó)產(chǎn)NAND閃存目前已經(jīng)露出了曙光，紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在
2018-05-16 10:06:003750 2017年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了一場(chǎng)大動(dòng)亂，2018年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)風(fēng)向也會(huì)有所變化，據(jù)悉，DRAM熱度可望延續(xù)依然存在，但是2018年DRAM并無(wú)新增產(chǎn)能，同時(shí)服務(wù)器內(nèi)存合約價(jià)續(xù)漲。
2018-01-25 16:09:371324 隨著移動(dòng)設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的興起，對(duì)于節(jié)能的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存與內(nèi)存技術(shù)需求日益增加。 目前的內(nèi)存技術(shù)以DRAM與NAND閃存為主流，但DRAM的讀寫速度快無(wú)法長(zhǎng)時(shí)間儲(chǔ)存數(shù)據(jù)；NAND Flash能保存數(shù)據(jù)， 但讀寫速度不佳。
2018-06-22 11:40:0011380 目前存儲(chǔ)器市況呈現(xiàn)兩樣情，DRAM持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展，價(jià)格平穩(wěn)或小漲；NAND Flash則因供過(guò)于求，價(jià)格緩跌。外界預(yù)期DRAM市場(chǎng)第3季將可喜迎旺季，而NAND Flash市場(chǎng)價(jià)格也可稍有反彈。
2018-06-22 15:48:00733 存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息就流失了，例如 DRAM，主要用來(lái)做PC機(jī)內(nèi)存(如DDR)和手機(jī)內(nèi)存(如LPDDR)，兩者各占三成。非易失性：斷電以后
2018-04-09 15:45:33109972 新興內(nèi)存可望在嵌入式應(yīng)用中找到大量市場(chǎng)，取代在微控制器(MCU)與ASIC中儲(chǔ)存程序代碼的NOR閃存(flash)。
2018-06-22 14:08:023280 
DRAM就是我們一般在用的內(nèi)存，而NAND Flash 閃存，它在做的事情其實(shí)是硬盤。
2018-07-17 17:43:3918789 
今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價(jià)救了美光公司，他們本周一正式收購(gòu)了華亞科公司，內(nèi)存業(yè)務(wù)如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個(gè)好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過(guò)2D NAND閃存
2018-08-03 16:15:031188 2017年經(jīng)歷市況樂(lè)觀的一年后，NAND閃存（flash）市場(chǎng)在2018年將繼續(xù)明顯降溫。根據(jù)分析師表示，去年持續(xù)一整年的NAND組件短缺現(xiàn)象已經(jīng)轉(zhuǎn)為供過(guò)于求了，從而導(dǎo)致價(jià)格持續(xù)走低。
2018-08-07 11:44:063570 
威剛科技董事長(zhǎng)陳立白表示，從DRAM市況來(lái)看，未來(lái)1~2年的市況將是樂(lè)觀且健康的，供應(yīng)商都沒(méi)有太大的擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作，至于NAND Flash價(jià)格將緩步下跌，明年就看QLC NAND Flash投入市場(chǎng)的狀況，可望帶來(lái)新一波的需求。
2018-08-21 15:04:041021 DRAM大廠南亞科總經(jīng)理李培瑛昨（17）日表示，第二季DRAM市場(chǎng)仍明顯供不應(yīng)求，且預(yù)期第三季旺季需求將持續(xù)成長(zhǎng)、維持供不應(yīng)求的市況，而第四季有可能受韓廠開出新產(chǎn)能影響，預(yù)期屆時(shí)價(jià)格可望維持穩(wěn)定，整體而言，今年DRAM市況相當(dāng)健康穩(wěn)健。
2018-08-23 16:18:28430 日前DRAMeXchange發(fā)表報(bào)告稱Q3季度DRAM內(nèi)存價(jià)格微幅上漲2%，但Q4季度DRAM內(nèi)存價(jià)格下降幾成定局，這也意味著漲了三年的DRAM內(nèi)存價(jià)格終于要下跌了。與內(nèi)存相比，NAND閃存價(jià)格
2018-09-10 16:26:321827 你如果問(wèn)當(dāng)前內(nèi)存市場(chǎng)是誰(shuí)的天下？那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash，三者牢牢控制著內(nèi)存市場(chǎng)，當(dāng)前都處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。不過(guò)，在內(nèi)存天下三分的大背景下，新一代存儲(chǔ)技術(shù)3D
2018-09-29 16:05:515499 日媒報(bào)道稱三星明年的資本支出將下滑8%，其中DRAM內(nèi)存投資大砍20%，三星針對(duì)DRAM產(chǎn)品不會(huì)考慮拼占有率而降價(jià)，砍投資的目標(biāo)是維持內(nèi)存高價(jià)位。
2018-10-09 10:46:393673 報(bào)導(dǎo)進(jìn)一步指出，雖然針對(duì)存儲(chǔ)器的投資總體會(huì)減少。但是，在DRAM及NAND Flash快閃存儲(chǔ)器上還是有區(qū)別的。分析師認(rèn)為，三星在2019年的半導(dǎo)體投資將減少8%，但NAND Flash快閃存
2018-10-10 15:38:114022 據(jù)日媒指出，三星2019年針對(duì)存儲(chǔ)器的投資總體會(huì)減少，但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中，在DRAM部分，三星將大減20%資本支出；而在NAND Flash部分，三星的投資仍將持續(xù)增加。
2018-10-10 16:13:443278 就算3D NAND的每位元成本與平面NAND相比較還不夠低，NAND快閃存儲(chǔ)已經(jīng)成功地由平面轉(zhuǎn)為3D，而DRAM還是維持2D架構(gòu);在此同時(shí)，DRAM制程的微縮也變得越來(lái)越困難，主要是因?yàn)閮?chǔ)存電容的深寬比（aspect ratio）隨著元件制程微縮而呈倍數(shù)增加。
2018-10-28 10:17:134781 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：?jiǎn)螌訂卧?SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義，在相同
2019-04-17 16:32:345462 
美光總裁、CEO Sanjay Mehrotra在財(cái)報(bào)電話會(huì)議上表示，為了適應(yīng)當(dāng)前市場(chǎng)的狀況，美光將減少DRAM內(nèi)存及NAND閃存芯片的產(chǎn)量。根據(jù)美光的數(shù)據(jù)，2019年他們預(yù)測(cè)DRAM內(nèi)存產(chǎn)量增加15%，低于此前預(yù)測(cè)的20%增長(zhǎng)，而NAND閃存預(yù)計(jì)增長(zhǎng)35%，也低于之前預(yù)計(jì)的35-40%增長(zhǎng)率。
2018-12-21 11:15:053511 存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）這種RAM能夠像NAND閃存那樣保保存其內(nèi)容，但兼具DRAM的速度，最終將會(huì)取代閃存成為首選的高速存儲(chǔ)介質(zhì)。
2019-01-28 14:23:18641 存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）克服了NAND閃存的局限性，因而勢(shì)必會(huì)取而代之。 存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）這種RAM能夠像NAND閃存那樣保保存其內(nèi)容，但兼具DRAM的速度，最終將會(huì)取代閃存成為首選的高速存儲(chǔ)介質(zhì)。
2019-05-11 10:47:434471 存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）這種RAM能夠像NAND閃存那樣保保存其內(nèi)容，但兼具DRAM的速度，最終將會(huì)取代閃存成為首選的高速存儲(chǔ)介質(zhì)。
2019-02-11 09:02:314112 近日，HPE 3PAR存儲(chǔ)單元副總裁兼總經(jīng)理Ivan Iannaccone進(jìn)行了一次大膽預(yù)測(cè)，在他看來(lái)，存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）或?qū)⒃?0年內(nèi)取代NAND閃存，成為企業(yè)首選的高速存儲(chǔ)介質(zhì)。
2019-02-19 14:06:365827 2月27日，南亞科總經(jīng)理李培瑛表示，去年大幅成長(zhǎng)的服務(wù)器存儲(chǔ)器市場(chǎng)經(jīng)過(guò)兩季的調(diào)整，3月起市況開始好轉(zhuǎn)，第二季DRAM 市況可望較第一季略為回溫。
2019-02-28 17:36:58690 2019年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)從牛市進(jìn)入了熊市，領(lǐng)跌的就是DRAM內(nèi)存及NAND閃存兩大存儲(chǔ)芯片，其中NAND閃存芯片從2018年初就開始跌價(jià)，迄今已經(jīng)連跌了6個(gè)季度。
2019-05-12 09:37:222630 紫光集團(tuán)日前宣布，組建紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群，委任刁石京為紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群的董事長(zhǎng)，委任高啟全為紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群的CEO，這表明紫光集團(tuán)的DRAM戰(zhàn)略正式起航。
2019-07-04 17:53:063697 紫光集團(tuán)將委任刁石京為紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群董事長(zhǎng)，委任高啟全為紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群CEO。
2019-07-05 16:25:203115 DRAM與NAND Flash持續(xù)維持下降走勢(shì)。
2019-07-06 11:38:563485 存儲(chǔ)器模組廠威剛看好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）與儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash）合約價(jià)，可望于 7 月落底，并樂(lè)觀預(yù)期第 3 季營(yíng)收與獲利可展現(xiàn)旺季水準(zhǔn)。
2019-07-24 14:20:302152 NAND閃存與機(jī)械存儲(chǔ)設(shè)備一樣，默認(rèn)情況下是不可靠的 - 這是電子世界中不尋常的情況。它的不可靠性通過(guò)使用專用控制器來(lái)處理。另一方面，DRAM被認(rèn)為是“非常”可靠的。服務(wù)器通常具有錯(cuò)誤檢測(cè)（并且可能是校正）電路，但消費(fèi)者和商業(yè)機(jī)器很少這樣做。我將專注于DRAM。
2019-08-07 10:02:579805 
近日，半導(dǎo)體綜合性企業(yè)紫光集團(tuán)在其官網(wǎng)宣布，公司已經(jīng)成立一個(gè)新的事業(yè)群，專注于內(nèi)存芯片動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）。DRAM是一種最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存，廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、筆記本電腦、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器等設(shè)備中。
2019-08-07 10:59:171196 紫光集團(tuán)發(fā)展公告，公告顯示，經(jīng)研究決定，決定組建紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群，委任刁石京為紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群董事長(zhǎng)，委任高啟全為紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群CEO。
2019-08-08 17:54:473173 新興的內(nèi)存技術(shù)可望在嵌入式應(yīng)用中找到大量市場(chǎng)，從而取代NOR閃存（flash），用于在微控制器（MCU）與ASIC中儲(chǔ)存程序代碼。
2019-09-18 09:13:03380 據(jù)韓媒BusinessKorea報(bào)道，市場(chǎng)研究公司預(yù)測(cè)，基于固態(tài)硬盤（SSD）密度和性能提升，明年全球NAND閃存需求將增加，5G通信、人工智能、深度學(xué)習(xí)和虛擬現(xiàn)實(shí)將引領(lǐng)明年全球DRAM和NAND閃存市場(chǎng)的增長(zhǎng)。
2019-12-20 15:18:463156 12 月 22 日訊，據(jù)韓媒報(bào)道，市場(chǎng)研究公司預(yù)測(cè)，基于固態(tài)硬盤密度和性能提升，明年全球 NAND 閃存需求將增加，5G 通信、人工智能、深度學(xué)習(xí)和虛擬現(xiàn)實(shí)將引領(lǐng)明年全球 DRAM 和 NAND 閃存市場(chǎng)的增長(zhǎng)。
2019-12-23 14:13:44647 3月13日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，此前外媒曾預(yù)計(jì)NAND閃存和DRAM內(nèi)存的合約價(jià)格，在今年二季度的漲幅將達(dá)到兩位數(shù)，現(xiàn)在外媒也逐步給出了具體的預(yù)測(cè)。
2020-03-14 10:18:501780 我們都知道，構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營(yíng)和英特爾與美光為首的ONFI陣營(yíng)，今天小編就來(lái)你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052 美國(guó)記憶體大廠美光（Micron Technology Inc.）股價(jià)大漲4.53%再攀新高，自第一季開始，DRAM合約價(jià)預(yù)期將開始止跌回升，南亞科(2408)可望受惠，今股價(jià)續(xù)攻上90
2021-01-06 17:43:452247 DRAM是目前常見的存儲(chǔ)之一，但DRAM并非唯一存儲(chǔ)器件，NAND也是存儲(chǔ)設(shè)備。那么DRAM和NAND之間有什么區(qū)別呢？DRAM和NAND的工作原理分別是什么呢？如果你對(duì)DRAM和NAND具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-10-31 11:51:2547036 
市場(chǎng)跟蹤數(shù)據(jù)顯示，DRAM和NAND閃存相關(guān)產(chǎn)品在10月份的價(jià)格暴跌，韓國(guó)科技媒體THE ELEC指出，出現(xiàn)這一現(xiàn)象的原因可能在于美國(guó)對(duì)華為的制裁生效。
2020-11-02 17:26:252140 日前，DRAMeXchange集邦科技公布了11月結(jié)束后DRAM內(nèi)存芯片和NAND閃存芯片的價(jià)格情況。
2020-12-02 09:51:261705 
存儲(chǔ)廠旺宏總經(jīng)理盧志遠(yuǎn)表示，2020年表現(xiàn)不錯(cuò)，展望2021年，第1季度可望淡季不淡并維持全線全產(chǎn)能生產(chǎn)，且ROM、NOR Flash、NAND Flash及代工產(chǎn)品線均正向看待
2021-01-29 09:50:391662 內(nèi)存控制器的未來(lái)與它們控制的內(nèi)存有著不可逆轉(zhuǎn)的聯(lián)系。同樣，它們受摩爾定律的約束。雖然存儲(chǔ)類存儲(chǔ)器 (SCM) 可能會(huì)因新架構(gòu)而獲得關(guān)注，但存儲(chǔ)器控制器市場(chǎng)仍然很大程度上受 NAND 閃存的支配
2022-07-20 10:35:27694 
在NAND閃存的應(yīng)用中，程序/擦除周期存在一個(gè)限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí)，這些塊將變得不可工作，需要一個(gè)備用塊來(lái)替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí)，此NAND閃存將無(wú)法再使用。
2022-10-24 14:30:111230 
在NAND閃存的應(yīng)用中，編程/擦除周期存在限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí)，這些塊變得不可工作，需要一個(gè)備用塊來(lái)替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí)，此NAND閃存將無(wú)法再使用。
2022-11-30 15:00:431519 
我們之前見過(guò)的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來(lái)了，理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 全行業(yè)正在努力將 3D 引入 DRAM。采用 3D X-DRAM 僅涉及利用當(dāng)前成熟的 3D NAND 工藝，這與學(xué)術(shù)論文提出和內(nèi)存行業(yè)研究的許多將 DRAM 遷移到 3D 的替代方案不同。
2023-05-30 11:13:46324 
業(yè)內(nèi)人士說(shuō)：“nand閃存價(jià)格將比dram快反彈”，“nand閃存供應(yīng)商們的赤字繼續(xù)擴(kuò)大，因此銷售價(jià)格正在接近生產(chǎn)成本，供應(yīng)商們?yōu)榱?b class="flag-6" style="color: red">維持運(yùn)營(yíng)，擴(kuò)大減產(chǎn)，價(jià)格停止下跌，反彈率領(lǐng)的”。
2023-09-11 14:56:17509 
從2024年第四季度開始，DRAM和NAND閃存的價(jià)格將全面上漲，這已經(jīng)導(dǎo)致國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器下游企業(yè)的閃存采購(gòu)成本上漲了近20%，而內(nèi)存采購(gòu)成本上漲了約30%。
2023-10-17 17:13:49793 dram和nand的區(qū)別? DRAM和NAND是兩種不同類型的存儲(chǔ)器。DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，而NAND（Not AND）是一種邏輯
2023-12-08 10:32:003921
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