器件模型是一個大類，有其多樣性的特征，分散在各個地方的器件模型團(tuán)隊(duì)，都有自己的強(qiáng)項(xiàng)，MOS-AK會議提供了讓大家聚集在一起討論針對各種電路，各種應(yīng)用的器件模型對策的舞臺。 前段時(shí)間，朋友問到MRAM 內(nèi)存類器件的模型需求，也有問關(guān)于硅光電這塊的模型，可謂層出不窮。這次我們在報(bào)告中也有幾篇針對工業(yè)界實(shí)際應(yīng)用，有著非常迫切需求和探索的模型報(bào)告和大家分享：

1. Compact models for Giga scale memory system ：

電路仿真是預(yù)測大規(guī)模系統(tǒng)行為的重要工具。電路仿真中的關(guān)鍵元件的器件模型，允許許多互連元器件快速仿真。當(dāng)我們正在使用內(nèi)存設(shè)備來進(jìn)行豐富的數(shù)據(jù)計(jì)算應(yīng)用時(shí)候，我們發(fā)現(xiàn)存儲類器件的緊湊模型的發(fā)展還比較落后，實(shí)際上也沒有可用的標(biāo)準(zhǔn)存儲器件模型。缺少緊湊模型的原因部分是因?yàn)殡娐?a href="http://www.tjjbhg.com/analog/" target="_blank">模擬器主要是為邏輯和模擬電路而不是存儲器件設(shè)計(jì)的。在此篇報(bào)告中，主要介紹開發(fā)緊湊型模型的一般方法和發(fā)展先進(jìn)存儲器件模型所面臨的挑戰(zhàn)。看到這篇報(bào)告，不由想起以前了解到的SONOS就是一個典型的存儲器件，其中各個器件的閾值電壓受外加電壓大小，工作狀態(tài)，可靠性等各方面影響就已經(jīng)比較復(fù)雜。當(dāng)存儲器件和其他器件組成一個小的Macro Module，那么牽涉到的是更多的工作狀態(tài)，對模型又是一種挑戰(zhàn)，更何況許許多多存儲器件鏈接在一起，考慮的情況就更多。如何減少仿真時(shí)間而不遺漏各種工作狀態(tài)，確實(shí)是不小的挑戰(zhàn)。

2. ASM & Angelov

對于III-V族器件， 模型的問題一直困擾者很多電路設(shè)計(jì)者，由于模型準(zhǔn)確度的局限性，很多時(shí)候，需要靠經(jīng)驗(yàn)去設(shè)計(jì)電路，造成研發(fā)周期長，重復(fù)性差。此次的邀請報(bào)告中，一篇是基于物理原理基礎(chǔ)的表面勢（surface potential )模型，對GaN器件在RF，POWER應(yīng)用中的測試結(jié)果和模型仿真作了驗(yàn)證，作為目前非常熱門的模型，大家也有大的期待。另外一篇是基于傳統(tǒng)的Angelov 模型，對于當(dāng)前熱門的GaAs HEMT器件， 提出了針對電路設(shè)計(jì)，非常實(shí)用的大信號模型，以及模型抽出的一系列方案。這兩篇報(bào)告，相信，也會給國內(nèi)模型的研究人員帶來不同角度的實(shí)戰(zhàn)體驗(yàn)，找出合適自己電路設(shè)計(jì)的模型方案。

3. A Full Design Flow Solution for OLED Flat Panel Display

新型器件，對于模型的需求一直是第一位的。 OLED顯示技術(shù)是近年來平板顯示（FPD）行業(yè)的熱點(diǎn)。作為FPD產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，F(xiàn)PD的設(shè)計(jì)流程不斷發(fā)展，以應(yīng)對OLED顯示技術(shù)的各種挑戰(zhàn)，比如從OLED／TFT SPICE器件建模開始，設(shè)計(jì)、電路仿真、版圖設(shè)計(jì)、版圖驗(yàn)證、全面板布局RC寄生提取，功能驗(yàn)證，功率和可靠性分析等，整個流程非常繁瑣和具有挑戰(zhàn)性。報(bào)告介紹一個完整的OLED FPD流程設(shè)計(jì)方案，一些OLED特定的部分將被強(qiáng)調(diào)。例如，LTPS或IGZO TFT將被用于OLED FPD，而不是廣泛用于LCD的a-Si TFT。由于OLED是一種電流控制器件，對OLED電路仿真的精度要求遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于LCD電路。此外，IR DROP分析變得必不可少。由于OLED電路的尺寸比LCD電路大得多，對電路仿真的容量要求也越來越高。當(dāng)然，另一個有趣的話題是通常使用OLED技術(shù)的柔性顯示器。作為一個網(wǎng)格，而不是一整片金屬正在被用于柔性顯示，用以模擬手指觸摸效果的觸摸面板RC參數(shù)的提取將是一個更大的挑戰(zhàn)。

通過MOS-AK 會議，讓擁有在某個方面有優(yōu)勢的模型團(tuán)隊(duì)，為國內(nèi)半導(dǎo)體廠，設(shè)計(jì)公司獲得附加價(jià)值的服務(wù)，那么良好的IDM虛擬平臺也會應(yīng)運(yùn)而生，成為良性循環(huán)。MOS-AK北京器件模型會議將在清華大學(xué)6月14-16日舉辦，如果還想報(bào)名參加的，可以點(diǎn)擊閱讀原文，抓緊最后的機(jī)會。目前安排20篇演講報(bào)告，其中防輻射，高可靠性模型這塊的報(bào)告有4篇， III-V族高頻微波有7篇， 先進(jìn)節(jié)點(diǎn)有3篇，器件基礎(chǔ)原理有2 篇，電路產(chǎn)品應(yīng)用有2篇，模型，測試平臺相關(guān)的2篇。

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