近日，國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織（ISO）正式發(fā)布了微束分析領(lǐng)域中的一項(xiàng)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)“基于測(cè)長(zhǎng)掃描電鏡的關(guān)鍵尺寸評(píng)測(cè)方法”。

據(jù)悉，該標(biāo)準(zhǔn)是半導(dǎo)體線寬測(cè)量方面的首個(gè)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，也是半導(dǎo)體檢測(cè)領(lǐng)域由中國(guó)主導(dǎo)制定的首個(gè)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。由中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理學(xué)院和微尺度物質(zhì)科學(xué)國(guó)家研究中心的丁澤軍團(tuán)隊(duì)主導(dǎo)制定。

芯片上的物理尺寸特征被稱為特征尺寸，其中最小的特征尺寸稱為關(guān)鍵尺寸（CD），其大小代表了半導(dǎo)體制造工藝的復(fù)雜性水平。對(duì)CD測(cè)量也可稱為納米尺度線寬測(cè)量，目前半導(dǎo)體的刻蝕線寬已經(jīng)降到10 nm以下，其測(cè)量的精準(zhǔn)性直接決定著器件的性能。

測(cè)長(zhǎng)掃描電鏡（CD-SEM）是半導(dǎo)體工業(yè)生產(chǎn)中進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控與線寬測(cè)量的最為簡(jiǎn)便和高效的方法。然而，由于掃描電鏡的二次電子信號(hào)發(fā)射在線寬邊沿處的加強(qiáng)效應(yīng)，納米級(jí)線寬的CD-SEM圖像的解析需要建立高精準(zhǔn)算法。

據(jù)中國(guó)科大官方消息，與傳統(tǒng)的經(jīng)驗(yàn)閾值方法相比，丁澤軍團(tuán)隊(duì)的測(cè)量方法能夠給出準(zhǔn)確的CD值，并且把線寬測(cè)量從單一參數(shù)擴(kuò)展到包含結(jié)構(gòu)形貌特征的信息，適用于如晶圓上的柵極、光掩模、尺寸小至10 nm的單個(gè)孤立的或密集的線條特征圖案，這不僅為半導(dǎo)體刻蝕線寬的CD-SEM準(zhǔn)確評(píng)測(cè)確定了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，也為一般性納米級(jí)尺寸的其它測(cè)量法提供了參考。