據(jù)外媒wccftech報(bào)道,三星被傳出正在研發(fā)Exynos 1000芯片,有可能用于即將推出的Windows PC。這款處理器預(yù)計(jì)采用5nm工藝制造。雖然Exynos 1000最初可能是為了即將推出的Galaxy S21系列智能手機(jī)而開發(fā),但有爆料者認(rèn)為,三星可能也會(huì)將其用于即將推出的Windows PC。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
芯片
+關(guān)注
關(guān)注
459文章
52308瀏覽量
437998 -
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15885瀏覽量
182205
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
外媒稱三星與英飛凌/恩智浦達(dá)成合作,共同研發(fā)下一代汽車芯片
據(jù)外媒 SAMMobile 報(bào)道,三星已與英飛凌(Infineon)和恩智浦(NXP)達(dá)成合作,共同研發(fā)下一代汽車芯片解決方案。 據(jù)悉, 此次合作將基于三星的
回收三星S21指紋排線 適用于三星系列指紋模組
深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線,收購適用于三星S21指紋模組。回收三星指紋排線,收購三星指紋排線,全國高價(jià)回收三星指紋排線,專業(yè)求購指紋
發(fā)表于 05-19 10:05
三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測試良率
較為激進(jìn)的技術(shù)路線,以挽回局面。
4 月 18 日消息,據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 16 日報(bào)道,三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測試生產(chǎn)中取得了40% 的良率,這高于
發(fā)表于 04-18 10:52
千億美元打水漂,傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝
次公開了?SF1.4(1.4nm?級別)工藝,原預(yù)計(jì)?2027?年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。按照三星當(dāng)時(shí)的說法,SF1.4?將納米片的數(shù)量從?3?個(gè)增加到?
千億美元打水漂,傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝?
次公開了 SF1.4(1.4nm 級別)工藝,原預(yù)計(jì) 2027 年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。按照三星當(dāng)時(shí)的說法,SF1.4 將納米片的數(shù)量從 3 個(gè)增加到
曝三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片
據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報(bào)道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來,每年都
三星美國得州半導(dǎo)體廠獲47.4億美元激勵(lì)
億元人民幣)的激勵(lì)資金。 該工廠預(yù)計(jì)將于2026年全面投入大規(guī)模芯片生產(chǎn),主要生產(chǎn)2納米和3納米工藝
英偉達(dá)、高通或轉(zhuǎn)單三星2納米工藝
近日,據(jù)SamMobile的最新消息,英偉達(dá)和高通兩大芯片巨頭正在考慮對其2納米工藝芯片的生產(chǎn)策略進(jìn)行調(diào)整。具體來說,這兩家公司正在評估將部分原計(jì)劃在臺(tái)積電生產(chǎn)的2
現(xiàn)代汽車與三星電子洽談自動(dòng)駕駛芯片制造合作
對三星電子的5納米“SF5A”工藝生產(chǎn)線表現(xiàn)出濃厚興趣,希望借助該生產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)自動(dòng)駕駛芯片的高效生
三星三折疊手機(jī)預(yù)計(jì)2026年初面世
近日,屏幕供應(yīng)鏈咨詢公司DSCC的CEO羅斯·楊近日在社交平臺(tái)上透露了三星三折疊手機(jī)項(xiàng)目的最新進(jìn)展。據(jù)悉,盡管三星多年前就已涉足這一領(lǐng)域的研究,但直到近期才加速推進(jìn)該項(xiàng)目。 據(jù)預(yù)計(jì),
三星電子發(fā)布最新固態(tài)硬盤產(chǎn)品990 EVO Plus
9月26日,三星電子震撼發(fā)布了其旗艦級固態(tài)硬盤新品——990 EVO Plus,該產(chǎn)品標(biāo)志著存儲(chǔ)技術(shù)的新里程碑。融合了三星自研的第8代V-NAND尖端技術(shù)與突破性的5
三星電子內(nèi)部或自研XR設(shè)備專用芯片
8月14日最新消息,韓國權(quán)威媒體《首爾經(jīng)濟(jì)日報(bào)》(Sedaily)于本月8日披露,三星電子正積極自研針對擴(kuò)展現(xiàn)實(shí)(XR)設(shè)備的專用芯片,該項(xiàng)目由去年從英特爾引進(jìn)的資深
三星開始量產(chǎn)其最薄LPDDR5X內(nèi)存產(chǎn)品,助力端側(cè)AI應(yīng)用
三星輕薄型LPDDR5X DRAM的封裝厚度僅0.65mm,散熱控制能力更強(qiáng),適合端側(cè)AI在移動(dòng)端的應(yīng)用 LPDDR封裝采用12納米級工藝,四層堆疊,在提升Die密度的同時(shí),減少厚度,
三星Exynos 2500芯片研發(fā)取得顯著進(jìn)展
在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天,三星再次以其卓越的創(chuàng)新能力吸引了全球科技界的目光。據(jù)最新媒體報(bào)道,三星自主研發(fā)的Exynos 2500芯片在3nm工藝
三星電子發(fā)布為可穿戴設(shè)備設(shè)計(jì)的首款3納米工藝芯片
近日,三星電子震撼發(fā)布了其專為可穿戴設(shè)備設(shè)計(jì)的首款3納米工藝芯片——Exynos W1000,標(biāo)志著該公司在微型芯片技術(shù)領(lǐng)域的又一重大突破。
評論