11月2日消息,近日,兆易創新在業績電話會議中表示,其Flash產品在TWS耳機當中的導入容量確實在上升,目前256MB的產品正在導入中。此外,兆易創新還透露,其自研DRAM正按照原計劃進行,目前研發進度跟預期基本一樣,預期明年上半年會有產品出來。自研第一個產品會是DDR3 4Gb容量,面向利基市場。
雖然此前在DRAM內存芯片布局上,兆易創新主要是通過其與合肥市產業投資控股集團合作的長鑫存儲來進行布局。但是,兆易創新的自研DRAM項目也早已開始。
在今年5月,兆易創新宣布與Rambus就RRAM (電阻式隨機存取存儲器) 技術簽署專利授權協議。同時,兆易創新還與其同Rambus 以及幾家戰略投資伙伴的合資企業——合肥睿科微(Reliance Memory)簽署了授權協議 。
根據協議內容,兆易創新從Rambus和睿科微獲得180多項RRAM技術相關專利和應用,這將有助于兆易創新在新型存儲器RRAM 領域的前瞻性技術布局,從而為嵌入式產品提供更豐富的存儲解決方案。
責任編輯:pj
-
芯片
+關注
關注
459文章
52420瀏覽量
439557 -
嵌入式
+關注
關注
5148文章
19631瀏覽量
316784 -
存儲
+關注
關注
13文章
4525瀏覽量
87339 -
RRAM
+關注
關注
0文章
29瀏覽量
21527 -
兆易創新
+關注
關注
23文章
645瀏覽量
81673
發布評論請先 登錄
兆易創新攜全系產品及解決方案亮相2025上海慕展

AMEYA360:兆易創新推出GD25NE系列SPI NOR Flash
飛凌嵌入式FET527N-C核心板現已適配Android 13

從客戶需求視角去認識ZLG | 為用戶提供工業自動化及嵌入式領域生態產品

兆易創新嵌入式系統師資培訓武漢站成功舉辦
七大嵌入式GUI盤點
研華嵌入式工控機EPC 系列:創新驅動的工業控制解決方案

兆易創新80余款創新方案亮相2024慕尼黑上海電子展

評論