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中科院回應5nm光刻技術突破ASML壟斷:誤讀

工程師鄧生 ? 來源:快科技 ? 作者:雪花 ? 2020-12-02 11:57 ? 次閱讀
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近日,中國科學院官網(wǎng)上發(fā)布的一則研究進展顯示,該團隊研發(fā)的新型5nm超高精度激光光刻加工方法,隨后這被外界解讀為,已經(jīng)5nm ASML的壟斷,對此相關人士也是進行了回應。

據(jù)《財經(jīng)》報道稱,該論文的通訊作者、中科院研究員、博士生導師劉前公開回應稱,這是一個誤讀,這一技術與極紫外光刻技術是兩回事。

按照劉前的說法,如果超高精度激光光刻加工技術能夠用于高精度掩模版的制造,則有望提高我國掩模版的制造水平,對現(xiàn)有光刻機的芯片的線寬縮小也是十分有益的。這一技術在知識產(chǎn)權(quán)上是完全自主的,成本可能比現(xiàn)在的還低,具有產(chǎn)業(yè)化的前景。

但是,即便這一技術實現(xiàn)商用化,要突破荷蘭ASML(阿斯麥)在光刻機上的壟斷,還有很多核心技術需要突破,例如鏡頭的數(shù)值孔徑、光源的波長等。

據(jù)悉,高端掩模版在國內(nèi)還是一項“卡脖子”技術。在半導體領域,除了英特爾三星、臺積電三家能自主制造外,高端掩模版主要被美國的Photronics、大日本印刷株式會社(DNP)以及日本凸版印刷株式會社(Toppan)三家公司壟斷,根據(jù)第三方市場研究機構(gòu)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院的數(shù)據(jù),這三家公司的市場份額占到全球的82%。

一直以來,業(yè)界都在嘗試另一條技術路線,例如華裔科學家、普林斯頓大學周郁在1995年首先提出納米壓印技術,目前仍無法突破商用化的困境

目前的現(xiàn)狀是,沒有一個國家能夠獨立自主完成光刻機的制造,中國以一國之力,短期內(nèi)要突破ASML在極紫外光刻技術上的壟斷,幾乎是不可能的事情。

責任編輯:PSY

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