中芯國際在互動平臺上回答投資者時表示，第二代FinFET 已進入小量試產。

在回答投資者 “近來公司 7 納米產品生產研發(fā)進展如何？”的問題時，中芯國際表示，公司第一代 FinFET 14nm 已于 2019 年四季度進入量產，第二代 FinFET 已進入小量試產。

IT之家了解到，中芯國際于 2019 年實現(xiàn)了國內最先進的 14nm 工藝制程量產，并已為華為麒麟 710A 芯片等進行代工。

今年9月份，投資者向中芯國際求證中芯關于下一代芯片量產消息，中芯國際回答表示：中芯國際第二代 FinFET N+1 已進入客戶導入階段，可望于 2020 年底進行小批量試產。

今年10月份， 中國一站式 IP 和定制芯片企業(yè)芯動科技（INNOSILICON）宣布已完成全球首個基于中芯國際 FinFET N+1 先進工藝的芯片流片和測試，所有 IP 全自主國產，功能一次測試通過。關于N+1工藝，中芯國際聯(lián)合CEO梁孟松今年初曾透露，該工藝在功率和穩(wěn)定性方面與7nm工藝非常相似，且不需要EUV光刻機，但在性能方面提升還不夠，所以N+1工藝是面向低功耗應用領域的。其曾表示，中芯國際N+1工藝和14nm相比，性能提升20%，功耗降低57%，而7nm市場基準性能提升應該是35%。

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