女人荫蒂被添全过程13种图片,亚洲+欧美+在线,欧洲精品无码一区二区三区 ,在厨房拨开内裤进入毛片

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

雙極型晶體管的原理

汽車玩家 ? 來源:cogobuy、kiai、 dianyuan ? 作者:cogobuy、kiai、 dia ? 2021-08-18 17:24 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

雙極型晶體管是一種電流同時控制電子和空穴的導(dǎo)電,是最普及的一種功率晶體管,具有體積小、質(zhì)量輕、耗電少、壽命長、可靠性高的特點。

雙極型晶體管原理:

對于PNP型器件,需要將兩組電源極性反接, 集電極高的反向偏壓。

發(fā)射結(jié)通過電流,由發(fā)射區(qū)注入到基區(qū)與空穴復(fù)合成為基極電流,器件在不同的基極控制作用下,與之關(guān)系也不同。在線性區(qū),基極電流受其控制,此時器件具有放大的作用;在截止區(qū),器件幾乎不導(dǎo)電;在飽和區(qū),器件的飽和壓很低,器件失去放大作用。

文章整合自:cogobuy、kiai、 dianyuan

編輯:ymf

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 電源
    +關(guān)注

    關(guān)注

    185

    文章

    18323

    瀏覽量

    255562
  • 基極
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    18

    瀏覽量

    8462
  • 雙極型晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    22

    瀏覽量

    12267
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    IGBT指的是什么?工作原理、特性、測量關(guān)鍵參數(shù)?

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)全稱為? 絕緣柵晶體管 ?,是一種復(fù)合全控功率半導(dǎo)體器
    的頭像 發(fā)表于 06-24 12:26 ?45次閱讀
    IGBT指的是什么?工作原理、特性、測量關(guān)鍵參數(shù)?

    IGBT的工作原理/性能優(yōu)勢/應(yīng)用領(lǐng)域/技術(shù)趨勢/測試與選型要點——你知道多少?

    IGBT(絕緣柵晶體管)是一種復(fù)合全控電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,融合了 MOSFET 的高輸入阻抗和 BJT(
    的頭像 發(fā)表于 06-05 10:26 ?286次閱讀
    IGBT的工作原理/性能優(yōu)勢/應(yīng)用領(lǐng)域/技術(shù)趨勢/測試與選型要點——你知道多少?

    IGBT模塊失效開封方法介紹

    IGBT模塊(Insulated Gate Bipolar Transistor Module,絕緣柵晶體管模塊)是一種高性能的電力電子器件,廣泛應(yīng)用于高電壓、大電流的開關(guān)和控制
    的頭像 發(fā)表于 03-19 15:48 ?361次閱讀

    開關(guān)如何測量好壞

    開關(guān)(又稱為開關(guān)晶體管)在電子電路中充當開關(guān)的角色,廣泛應(yīng)用于電源電路、驅(qū)動電路以及各種功率控制系統(tǒng)中。開關(guān)通常是MOS、BJT(
    的頭像 發(fā)表于 02-18 10:50 ?1591次閱讀
    開關(guān)<b class='flag-5'>管</b>如何測量好壞

    三菱電機開始提供S1系列HVIGBT模塊樣品

    三菱電機集團近日宣布,將于12月26日開始提供兩款新的S1系列高壓絕緣柵晶體管(HVIGBT)模塊樣品,這兩款模塊額定電壓均為1.7kV,適用于鐵路車輛和直流輸電等大型工業(yè)設(shè)備。
    的頭像 發(fā)表于 12-25 15:59 ?693次閱讀
    三菱電機開始提供S1系列HVIGBT模塊樣品

    高頻晶體管在無線電中的應(yīng)用

    晶體管(BJT)或金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。這些晶體管能夠處理高達數(shù)G
    的頭像 發(fā)表于 12-03 09:44 ?865次閱讀

    單結(jié)晶體管和三管有什么區(qū)別

    單結(jié)晶體管(Unipolar Junction Transistor,簡稱UJT)和三極管(Triode,通常指
    的頭像 發(fā)表于 09-23 17:33 ?1143次閱讀

    場效應(yīng)晶體管的區(qū)別

    場效應(yīng)(Field Effect Transistor,簡稱FET)和晶體管(Bipolar Junction Transistor
    的頭像 發(fā)表于 09-13 16:46 ?2397次閱讀

    什么是單極晶體管?它有哪些優(yōu)勢?

    能的影響,而非像晶體管(Bipolar Junction Transistor, BJT)那樣通過電流控制來實現(xiàn)信號的放大或開關(guān)功能。
    的頭像 發(fā)表于 08-15 15:12 ?3544次閱讀

    什么是NPN和PNP晶體管

    NPN和PNP晶體管是電子學(xué)中的兩種基本且重要的
    的頭像 發(fā)表于 08-15 14:58 ?6128次閱讀

    晶體管的工作原理和應(yīng)用

    晶體管(Bipolar Junction Transistor,BJT) 是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件,具有三層結(jié)構(gòu),由P
    的頭像 發(fā)表于 08-15 14:42 ?4315次閱讀

    IGBT關(guān)斷過程分析

    絕緣柵晶體管(IGBT)作為電力電子領(lǐng)域中至關(guān)重要的元件,其關(guān)斷過程的分析對于理解其性能和應(yīng)用至關(guān)重要。IGBT結(jié)合了
    的頭像 發(fā)表于 07-26 18:03 ?4806次閱讀
    IGBT關(guān)斷過程分析

    溝槽IGBT與平面型IGBT的差異

    溝槽IGBT(溝槽柵絕緣柵晶體管)與平面型IGBT(平面柵絕緣柵
    的頭像 發(fā)表于 07-24 10:39 ?4014次閱讀
    溝槽<b class='flag-5'>型</b>IGBT與平面型IGBT的差異

    基極電流和集電極電流有什么關(guān)系

    在實際應(yīng)用中,基極電流和集電極電流之間的關(guān)系可能會受到動態(tài)因素的影響。在電子學(xué)和半導(dǎo)體物理學(xué)中,基極電流(Ib)和集電極電流(Ic)是晶體管(BJT)中非常重要的兩個參數(shù)。BJT
    的頭像 發(fā)表于 07-18 15:51 ?3039次閱讀

    日立(HITACHI)耐高壓絕緣柵晶體管(IGBT)/碳化硅(SiC)模塊

    耐高壓SiCIGBT模塊是一種集成了碳化硅(SiC)材料和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)技術(shù)的電力電子器件。SiC材料因其出色的熱導(dǎo)率和電子遷移率,能夠在高溫和高電壓環(huán)境下保持穩(wěn)定性能,從而顯著提高
    的頭像 發(fā)表于 07-09 10:55 ?906次閱讀
    日立(HITACHI)耐高壓絕緣柵<b class='flag-5'>雙</b><b class='flag-5'>極</b><b class='flag-5'>型</b><b class='flag-5'>晶體管</b>(IGBT)/碳化硅(SiC)模塊
    主站蜘蛛池模板: 达州市| 将乐县| 襄城县| 永春县| 安乡县| 全州县| 泰和县| 霍山县| 汉寿县| 九台市| 泾阳县| 措勤县| 龙海市| 闵行区| 九寨沟县| 隆德县| 宜宾县| 平阳县| 札达县| 万全县| 荥阳市| 南宫市| 云林县| 清河县| 龙陵县| 永宁县| 日照市| 桃园市| 成安县| 綦江县| 奇台县| 诏安县| 沙坪坝区| 宜黄县| 阿勒泰市| 西丰县| 南宫市| 文登市| 安多县| 百色市| 郎溪县|