相信關(guān)注高壓放大器的朋友一定對于有關(guān)的內(nèi)容比較感興趣，今天就為大家分享一篇干貨：

實驗名稱：高壓放大器基于掃描式固體腔F-P干涉儀的設(shè)計與優(yōu)化中的應用

實驗目的：優(yōu)化設(shè)計掃描式固體腔F-P干涉儀

實驗設(shè)備：光源，準直擴束系統(tǒng)，待測電光晶體（包含驅(qū)動），4f系統(tǒng)和CCD，信號源，ATA-2161高壓放大器，示波器。

實驗內(nèi)容：為實現(xiàn)全天時邊界層內(nèi)大氣溫度絕對探測，即精細獲取大氣Rayleigh散射譜形，借鑒F-P干涉濾波技術(shù)和晶體的電光特性，設(shè)計了一種掃描式固體腔F-P干涉儀，測試其濾波性能并進行優(yōu)化。

實驗過程：如圖是搭建的透射型馬赫曾德干涉儀光路，此光路用做全息圖的記錄，主要包括以下幾個部分:光源，準直擴束系統(tǒng)，待測電光晶體（包含驅(qū)動）、4f系統(tǒng)和CCD。

電光晶體高壓驅(qū)動，函數(shù)發(fā)生器，使其產(chǎn)生一個脈沖方波信號，然后經(jīng)過ATA-2161高壓放大器使其放大，最終把放大后的信號加載到晶體上，完成晶體電光性能的測試。

實驗結(jié)果：

（1）不同電壓下CCD上記錄的全息圖

（2）不同電壓場下，對應晶體折射率的改變量

對圖相位圖中晶體相位的改變量進行平均處理，得到不同電壓場下，對應的晶體的相位改變量，再由公式計算得出，不同電壓場下，對應晶體折射率的改變量。

實驗中用到的功率放大器：

相位調(diào)制和折射率調(diào)制度實測值與理論值的對比

本文實驗素材由西安安泰電子整理發(fā)布，如想了解更多實驗方案，請持續(xù)關(guān)注安泰電子。Aigtek是國內(nèi)專業(yè)從事測量儀器研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高科技企業(yè)，一直專注于高壓放大器、線束測試儀、計量校準源等測試儀器產(chǎn)品的研發(fā)與制造。
編輯：fqj