臺積電報告稱正全力以赴地開發下一代工藝節點。臺積電計劃在今年晚些時候將投產首批 3 納米工藝，并在 2025 年底前做好 2 納米工藝的準備。

2 納米節點的時間表上，魏哲家表示：“我們的 N2 開發正在進行中。我們有信心，N2將繼續保持我們的技術領先地位，支持客戶的增長。而且我們仍然計劃在2025年投產。預生產將在 2024 年開始”。也就是說臺積電2nm芯片將于2025年量產。

同時，臺積電（TSMC）曾對外公開表示，該公司在3nm工藝開發上取得突破。其中在今年8月將可能率先投片第二版3nm制程的N3B，2023年第二季度將有可能量產3nm制程的N3E，比預計提前了半年。

N3制程節點仍使用FinFET晶體管的結構，推出的時候將成為業界最先進的PPA和晶體管技術，同時也會是臺積電另一個大規模量產且持久的制程節點。

據悉，在 N2 上臺積電首次使用 GAA FET（全環繞柵極晶體管），逐漸取代 finFET （鰭式場效應晶體管）。三星已經開始使用他們版本的GAA，英特爾計劃在2024年實施他們的版本。

文章綜合 cnBeta.COM、CNMO手機中國

編輯：黃飛