1.功能fail，某個(gè)功能點(diǎn)點(diǎn)沒(méi)有實(shí)現(xiàn)，這往往是設(shè)計(jì)上導(dǎo)致的，通常是在設(shè)計(jì)階段前仿真來(lái)對(duì)功能進(jìn)行驗(yàn)證來(lái)保證，所以通常設(shè)計(jì)一塊芯片，仿真驗(yàn)證會(huì)占用大約80%的時(shí)間

2.性能fail，某個(gè)性能指標(biāo)要求沒(méi)有過(guò)關(guān)，比如2G的cpu只能跑到1.5G，數(shù)模轉(zhuǎn)換器在要求的轉(zhuǎn)換速度和帶寬的條件下有效位數(shù)enob要達(dá)到12位，卻只有10位，以及l(fā)na的noise figure指標(biāo)不達(dá)標(biāo)等等。這種問(wèn)題通常是由兩方面的問(wèn)題導(dǎo)致的，一個(gè)是前期在設(shè)計(jì)系統(tǒng)時(shí)就沒(méi)做足余量，一個(gè)就是物理實(shí)現(xiàn)版圖太爛。這類(lèi)問(wèn)題通常是用后仿真來(lái)進(jìn)行驗(yàn)證的。

3.生產(chǎn)導(dǎo)致的fail。這個(gè)問(wèn)題出現(xiàn)的原因就要提到單晶硅的生產(chǎn)了。學(xué)過(guò)半導(dǎo)體物理的都知道單晶硅是規(guī)整的面心立方結(jié)構(gòu)，它有好幾個(gè)晶向，通常我們生長(zhǎng)單晶是是按照111晶向進(jìn)行提拉生長(zhǎng)。但是由于各種外界因素，比如溫度，提拉速度，以及量子力學(xué)的各種隨機(jī)性，導(dǎo)致生長(zhǎng)過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)錯(cuò)位，這個(gè)就稱(chēng)為缺陷。缺陷產(chǎn)生還有一個(gè)原因就是離子注入導(dǎo)致的，即使退火也未能校正過(guò)來(lái)的非規(guī)整結(jié)構(gòu)。這些存在于半導(dǎo)體中的問(wèn)題，會(huì)導(dǎo)致器件的失效，進(jìn)而影響整個(gè)芯片。

所以為了在生產(chǎn)后能夠揪出失效或者半失效的芯片，就會(huì)在設(shè)計(jì)時(shí)加入專(zhuān)門(mén)的測(cè)試電路，比如模擬里面的testmux，數(shù)字里面的scan chain（測(cè)邏輯），mbist（測(cè)存儲(chǔ)），boundry scan（測(cè)io及binding），來(lái)保證交付到客戶(hù)手上的都是ok的芯片。

而那些失效或半失效的產(chǎn)品要么廢棄，要么進(jìn)行閹割后以低端產(chǎn)品賣(mài)出。這個(gè)就叫做dft測(cè)試。通常dft測(cè)試會(huì)按照需求在封裝前或封裝后進(jìn)行測(cè)試，工廠(chǎng)里有專(zhuān)門(mén)的ate測(cè)試機(jī)臺(tái)，用探針來(lái)連接測(cè)試的io進(jìn)行dft測(cè)試。通常dft測(cè)試不會(huì)測(cè)試功能，因?yàn)檫@貨是按時(shí)間收錢(qián)的..測(cè)SY例越簡(jiǎn)潔有效越好。而且用例太復(fù)雜，會(huì)影響出貨速度，比如出100w的貨，一塊芯片測(cè)試一秒，單dft測(cè)試24小時(shí)不停就要11天多。

審核編輯：劉清