氮化鎵（GaN）是一種直接帶隙半導體，寬帶隙為3.4 eV（電子伏特），比砷化鎵（GaAs）寬2.4倍，比硅寬3倍。具有禁帶寬度大、擊穿電場高、飽和電子速率大、熱導率高、化學性質(zhì)穩(wěn)定和抗輻射能力強等優(yōu)點，成為高溫、高頻、大功率微波器件的優(yōu)選材料之一，其目前主要用于功率器件領域，在高頻通信領域也將有極大應用潛力。

在技術發(fā)展前景方面，氮化鎵半導體仍將是全球主要國家的科技攻關重點方向，預計未來全球氮化鎵行業(yè)將迎來一段技術快速發(fā)展期。在市場前景方面，氮化鎵是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，在光電子、激光器、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。預計到2026年全球氮化鎵元件市場規(guī)模將增長到423億美元，年均復合增長率約為13.5%。

氮化鎵用途有哪些方面

1、射頻器件方面

射頻氮化鎵器件主要應用于5G基站、衛(wèi)星、雷達等領域。

2、功率器件方面

功率氮化鎵器件主要應用于快充、逆變器、汽車電子電源開關、高端服務器領域。

文章整合自：新世界、microsemi、財經(jīng)密探者