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當二次側(cè)MOSFET立即關(guān)斷時的故障對策

王斌 ? 來源:bleupealike ? 作者:bleupealike ? 2023-02-17 09:25 ? 次閱讀

截至上一篇文章,結(jié)束了所需部件的選型和常數(shù)計算相關(guān)的介紹。接下來將分步驟介紹所選部件的PCB板安裝、各種特性的確認及其是否符合設(shè)計規(guī)格的確認工作。本文開始將就各種特性的確認過程中可能會發(fā)生的幾種故障及其對策進行說明。此次將首先為大家介紹當二次側(cè)MOSFET立即關(guān)斷時的情況及故障對策。

在“提高AC/DC轉(zhuǎn)換器效率的二次側(cè)同步整流電路設(shè)計”中,旨在通過將隔離型PWM反激式AC/DC轉(zhuǎn)換器電路的二次側(cè)改為同步整流方式,達到保持現(xiàn)有電源規(guī)格的同時提高效率的目的。此次介紹的不是新設(shè)計,從某種意義上講是部分變更設(shè)計,即保持一次側(cè)不變,將二次側(cè)替換為使用了“BM1R00147F”控制器IC的電路。所以,對于AC/DC轉(zhuǎn)換器來說,“驗證整個電路都是正常運行的”是非常重要的。

故障①:當二次側(cè)MOSFET立即關(guān)斷時

受電源IC的DRAIN引腳電壓產(chǎn)生的噪聲影響,有時可能會發(fā)生二次側(cè)MOSFET關(guān)斷的誤動作。下圖的VGS2顯示了受噪聲影響在比本來應(yīng)該導(dǎo)通的時間(虛線波形)短的時間內(nèi)關(guān)斷的動作。

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對策①-1:插入鐵氧體磁珠B1,加大DRAIN引腳連接電阻R1

作為故障①的對策,“對策①-1”*是通過插入浪涌吸收用鐵氧體磁珠B1并加大濾波用電阻R1的值來防止噪聲引發(fā)誤動作的方法。鐵氧體磁珠B1采用在低頻范圍內(nèi)具有高阻抗的產(chǎn)品(比如TDK生產(chǎn)的MPZ1608S102AT等)比較有效。左下圖給出了磁珠的插入位置、應(yīng)調(diào)整的R1及參考值。右下圖為對策后的工作波形。(*針對故障①,使用編號“對策①-1”來表示其對策)

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注意事項

如果B1、R1的阻抗過大,在輕負載時二次側(cè)MOSFET可能會受諧振動作影響而導(dǎo)通,因此需要確認輕負載時的工作情況。下一篇文章將對該現(xiàn)象及其對策進行詳細說明。

審核編輯:湯梓紅

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