女人荫蒂被添全过程13种图片,亚洲+欧美+在线,欧洲精品无码一区二区三区 ,在厨房拨开内裤进入毛片

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

晶圓級封裝Bump制造工藝關鍵點解析

半導體芯科技SiSC ? 來源:半導體芯科技SiSC ? 作者:半導體芯科技SiS ? 2023-03-24 17:50 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

來源:《半導體芯科技》雜志2/3月刊

作者:孫家遠,賀利氏技術方案工程師

射頻前端(RFFE)模組國內外手機終端中廣泛應用。它將功率放大器(PA)、開關(Switch)、低噪聲放大器(LNA)、濾波器(Filter)、無源器件等集成為一個模組,從而提高性能,并減小封裝體積。然而,受限于國外專利以及設計水平等因素,國產濾波器的份額相當低。在模塊集成化的趨勢下,國內射頻巨頭在布局和生產濾波器。聲學濾波器可分為聲表面濾波器和體聲波濾波器,其中聲表面濾波器可根據適用的頻率細分為SAW、TC-SAW和IHP-SAW。體聲波濾波器適用于較高的頻段,可細分為BAW、FBAR、XBAR等。無論是SAW(Surface Acoustic Wave filter)還是BAW(Bulk Acoustic Wave Filter),均是在晶圓級封測后以倒裝芯片的工藝貼裝在模組上。

在晶圓級封裝(WLP)工藝中,Bump制造是相當重要的一道工序,因此,本文將淺談濾波器晶圓級封裝中Bump制造的關鍵點。當前業內常見的幾種SAW filter Wafer Bumping工藝如下:

1.通過打線工藝在晶圓的UBM(Under Bump Metal)上植金球。

2.通過鋼網印刷工藝在UBM上印刷錫膏,再經過回流焊成球。

3.先在晶圓的UBM上印刷助焊劑,將錫球放到UBM上,再經過回流焊完成植球。

pYYBAGQdcnKAY4csAAB4O_-RqhQ287.jpg

△圖1:球高。

本文重點介紹第二種工藝。通過對印刷錫膏方案的剖析發現,在Bumping工藝中Bump的高度和共面度(同一顆芯片上Bump高度最大值最小值之差,差值越低越好)是最重要的關鍵指標(如圖1和圖2)。下面從鋼網的工藝和設計、錫膏的特性等方面進行分析。

poYBAGQdcnOAVYDZAABi59j67Ic024.jpg

△圖2:共面度。

鋼網印刷

鋼網印刷的目的是使錫膏材料通過特定的圖案孔沉積到正確的位置上。首先,將錫膏放到鋼網上,再用刮刀使其通過鋼網開孔沉積到焊盤上。鋼網與晶圓之間的距離(印刷間隙)、印刷角度、壓力、速度和膏體的流變特性是確保錫膏印刷的關鍵參數。一旦鋼網開孔被膏體填滿,脫模后膏體留在每個焊盤上,沉積在焊盤上的體積取決于鋼網的孔距和孔壁的質量、焊盤的表面特性和膏體的流變性能。

pYYBAGQdcnSAbEjwAADOQXXfrk0965.jpg

△圖3:無納米涂層鋼網(Source: Laser Job)

鋼網的加工工藝與開孔設計

鋼網孔壁質量、尺寸一致性、定位精度和鋼網生產成本是鋼網生產工藝的選擇標準。考慮到帶有Bump的濾波器是以倒裝芯片的工藝應用在前端射頻模組里,其特點是Bump的尺寸小(bump高度在50~100μm之間)、間距小、對Bump高度的一致性要求高(共面度在10μm以內)。為了滿足以上要求,業內最常選用的是納米涂層鋼網和電鑄鋼網。

納米涂層鋼網的工藝是:在激光切割的基礎上對鋼網進行清洗,然后在鋼網內壁進行打磨拋光以降低粗糙度,最后涂覆納米涂層。納米涂層使接觸角顯著增加,從而降低鋼網材料的表面能,有利于錫膏脫模。

poYBAGQdcnWAX6nlAADgw302764240.jpg

△圖4:納米涂層鋼網(Source: Laser Job)

電鑄鋼網的制作方法是:先在導電基板上用光刻技術制備模板,然后在阻膠膜周圍進行直流電鑄,最后從光刻膠孔上剝離。電鑄鋼網的質量和印刷性能取決于光刻膠的靈敏度、所用光刻工具的類型、導電基材的光學性能和電鑄工藝。電鑄鋼網的開孔內壁非常光滑(如圖5所示),其印刷脫模的表現也最好最穩定。

pYYBAGQdcnWAQ3ftAAENWrLK6B8786.jpg

△圖5:電鑄鋼網孔壁(Source: Bon Mark)

小結一下,納米涂層鋼網的印刷表現略遜于電鑄鋼網,其涂層在批量生產一段時間后可能會脫落,但是納米涂層鋼網的價格遠低于電鑄鋼網;電鑄鋼網的側壁非常光滑,其印刷表現最好,是超細間距應用的最佳選擇,但電鑄鋼網的價格相當昂貴。鋼網的選擇取決于客戶對產品特性和成本的綜合考量。

開孔面積比

由于CTE不匹配會影響封裝的可靠性,符合高度要求的Bump在這方面會起到積極的作用。這就要求鋼網印刷過程可靠地沉積穩定的錫膏量,以產生堅固的互連。錫膏從鋼網孔的釋放是由錫膏在鋼網孔側壁和晶圓焊盤之間的相互作用決定的。據文獻記載,為了從鋼網印刷中獲得良好的膏體釋放效率,模板開孔面積比[開孔面積比=開口面積/孔壁面積]應大于0.66。該比率限制了給定孔徑大小的模板厚度,并要求使用更薄的模板來印刷更細的間距。隨著鋼網制作工藝的提升,鋼網開孔的面積比可以適當降低,如圖6所示。

pYYBAGQdcneAOYEdAAHCt8uNIv8784.jpg

△圖6:鋼網開孔規則。

錫膏

錫膏是由焊粉和助焊劑均勻混合而成的膏體,其中錫球的形狀、顆粒大小、尺寸分布、氧化程度以及助焊劑載體的流變性能和配方體系,都對錫膏的印刷和回流性能起著重要作用。細間距印刷用的焊粉一直是賀利氏電子的優勢,因為Welco?technology(一種在油介質中分散熔融合金的制造技術)利用兩種不同介質的表面張力存在差異的原理,用工藝配方控制粉末尺寸范圍,摒棄了傳統的網篩工序,避免了粉末顆粒因網篩而導致的形變(表面積變大)。再者,粉末在油介質中得到充分保護,減少了粉末表面的氧化。Welco?焊粉搭配賀利氏獨特的助焊劑配方體系,使印刷錫膏的轉化率能夠得到保證。

poYBAGQdcniAY6fZAAERxiy_bMg453.jpg

△圖7:Welco焊粉SEM圖片。

當前市場上SAW/BAW濾波器的應用中常見的Bump高度為50-100μm,結合單個芯片的layout,即相鄰bump的最小間距,以及相鄰芯片的bump的最小間距,6號粉和7號粉錫膏是匹配的選擇。粒徑的定義是基于IPC的標準(如圖8),即6號粉有80%的焊粉粒徑分布在5-15μm的區間。

pYYBAGQdcnmARA_UAAEA-2aI6ik177.jpg

△圖8:IPC粒徑規格。

選擇合適粒徑的錫膏非常重要,助焊劑體系的選擇也是非常關鍵。因為一些SAW的IDT位置是裸露的,焊錫膏或助焊劑的飛濺都有可能影響IDT的信號和聲波之間的轉換。對此,賀利氏開發的AP5112和AP520系列產品在開發時均在飛濺方面做了深入的研究,從而盡可能避免飛濺問題。Bump中空洞的表現也是非常重要的質量指標,尤其是在模組中經過多次回流焊之后。

案例分享

應用:SAW filter 6 inch

鉭酸鋰晶圓(印刷測試以銅板代替鉭酸鋰晶圓)

Bump高度=72±8μm;共面度<10μm

鋼網開孔尺寸:130*140*50μm

錫膏:AP5112 SAC305 T6

印刷穩定性是影響bump高度一致性的關鍵因素。印刷窗口的定義通常受印刷設備的能力、鋼網的加工工藝、產品設計等因素的影響,通常通過實驗驗證獲得。如圖9所示,6號粉錫膏的連續印刷表現優異,沒有發現連錫和大小點的問題。Bump的高度數據能夠更好地說明。

poYBAGQdcnqAUKoaAAJ2EeKxc-0202.jpg

△圖9:印刷后。

在回流焊過程中,已印刷在UBM區域的錫膏逐步熔化,助焊劑流至焊錫四周,而焊料熔化后回流到UBM上并在界面之間形成金屬間化合物(Intermetallic layer),冷卻后形成一定高度的Bump。Bump的平均高度非常靠近目標值,且標準差相對較小,如圖10和圖11所示。

pYYBAGQdcnuAd3h_AAD2-H5NpMU512.jpg

△圖10:Bump高度數據。

poYBAGQdcnuAFjgNAADa4dbQN5A495.jpg

△圖11:Bump高度標準差。

Bump高度的指標非常關鍵,Bump中的空洞也至關重要。在SAW filter上面的結果顯示,賀利氏的6號粉和7號粉具有良好的表現,如圖12所示。

poYBAGQdcn2AV6DWAADgLA_qU-0698.jpg

△圖12:Bump void數據。

晶圓級封裝最終會以芯片級應用到系統封裝,即以倒裝芯片的工藝集成到模組里。在此過程中會經歷多次回流焊工藝,那么回流焊之后bump內部的空洞會發生怎樣的變化?對此,我們測試了3次回流焊之后bump內部空洞的變化,結果如圖13所示。賀利氏的6號和7號粉錫膏。對應的Bump,在經過3次回流焊之后仍然能夠保持在比較好的水平。

pYYBAGQdcn6AdDHtAAEHiHGVuag027.jpg

△圖13:多次回流焊后空洞變化的數據。

總結

本文簡單闡述了晶圓級封裝的關鍵技術點。賀利氏Welco焊粉和獨有的助焊劑配方體系能夠匹配SAW、BAW等濾波器的晶圓封裝需求。更深層次的技術細節,如Bump高度的設計和球高與錫膏量的關系,敬請期待下一篇文章。不論是晶圓級封裝還是先進封裝賀利氏都能提供成熟的解決方案。

審核編輯黃宇

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 濾波器
    +關注

    關注

    162

    文章

    8131

    瀏覽量

    181862
  • 晶圓
    +關注

    關注

    53

    文章

    5149

    瀏覽量

    129675
  • 封裝
    +關注

    關注

    128

    文章

    8641

    瀏覽量

    145325
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    錫膏在封裝中容易出現什么問題?從工藝到設備全解析?

    錫膏在封裝中易遇印刷橋連 空洞、回流焊焊點失控、氧化、設備精度不足等問題。解決問題需平衡工藝參數,同時設備也需要做精細調準。
    的頭像 發表于 07-03 09:35 ?348次閱讀
    錫膏在<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>級</b><b class='flag-5'>封裝</b>中容易出現什么問題?從<b class='flag-5'>工藝</b>到設備全<b class='flag-5'>解析</b>?

    工藝到設備全方位解析錫膏在封裝中的應用

    封裝含扇入型、扇出型、倒裝芯片、TSV 等工藝。錫膏在植球、凸點制作、芯片互連等環節關鍵
    的頭像 發表于 07-02 11:53 ?385次閱讀
    從<b class='flag-5'>工藝</b>到設備全方位<b class='flag-5'>解析</b>錫膏在<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>級</b><b class='flag-5'>封裝</b>中的應用

    什么是扇出封裝技術

    扇出封裝(FO-WLP)通過環氧樹脂模塑料(EMC)擴展芯片有效面積,突破了扇入型封裝的I/O密度限制,但其技術復雜度呈指數
    的頭像 發表于 06-05 16:25 ?876次閱讀
    什么是<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>級</b>扇出<b class='flag-5'>封裝</b>技術

    扇出型封裝技術的工藝流程

    常規IC封裝需經過將與IC封裝基板焊接,再將IC基板焊接至普通PCB的復雜過程。與之不同,WLP基于IC
    的頭像 發表于 05-14 11:08 ?679次閱讀
    扇出型<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>級</b><b class='flag-5'>封裝</b>技術的<b class='flag-5'>工藝</b>流程

    封裝工藝中的封裝技術

    我們看下一個先進封裝關鍵概念——封裝(Wafer Level Package,WLP)。
    的頭像 發表于 05-14 10:32 ?633次閱讀
    <b class='flag-5'>封裝工藝</b>中的<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>級</b><b class='flag-5'>封裝</b>技術

    封裝技術的概念和優劣勢

    封裝(WLP),也稱為封裝,是一種直接在
    的頭像 發表于 05-08 15:09 ?591次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>級</b><b class='flag-5'>封裝</b>技術的概念和優劣勢

    提供半導體工藝可靠性測試-WLR可靠性測試

    隨著半導體工藝復雜度提升,可靠性要求與測試成本及時間之間的矛盾日益凸顯。可靠性(Wafer Level Reliability, WLR)技術通過直接在未
    發表于 05-07 20:34

    半導體制造流程介紹

    本文介紹了半導體集成電路制造中的制備、制造
    的頭像 發表于 04-15 17:14 ?643次閱讀
    半導體<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>制造</b>流程介紹

    深入探索:封裝Bump工藝關鍵

    實現芯片與外部電路電氣連接的關鍵結構。本文將深入解析封裝
    的頭像 發表于 03-04 10:52 ?2008次閱讀
    深入探索:<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>級</b><b class='flag-5'>封裝</b><b class='flag-5'>Bump</b><b class='flag-5'>工藝</b>的<b class='flag-5'>關鍵</b>點

    詳解的劃片工藝流程

    在半導體制造的復雜流程中,歷經前道工序完成芯片制備后,劃片工藝成為將芯片從上分離的
    的頭像 發表于 02-07 09:41 ?1529次閱讀
    詳解<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>的劃片<b class='flag-5'>工藝</b>流程

    封裝技術詳解:五大工藝鑄就輝煌!

    和低成本等優點,成為滿足現代電子產品小型化、多功能化和高性能化需求的關鍵技術。本文將詳細解析封裝
    的頭像 發表于 01-07 11:21 ?1597次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>級</b><b class='flag-5'>封裝</b>技術詳解:五大<b class='flag-5'>工藝</b>鑄就輝煌!

    【「大話芯片制造」閱讀體驗】+ 芯片制造過程和生產工藝

    保護,并使其具備與外部交換電信號的能力。整個封裝流程包含五個關鍵步驟:圓鋸切、晶片附著、互連、成型以及封裝測試。 通過該章節的閱讀,學到了芯片的生產
    發表于 12-30 18:15

    半導體制造工藝流程

    半導體制造是現代電子產業中不可或缺的一環,它是整個電子行業的基礎。這項工藝的流程非常復雜,包含了很多步驟和技術,下面將詳細介紹其主要的制造
    的頭像 發表于 12-24 14:30 ?3223次閱讀
    半導體<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>制造</b><b class='flag-5'>工藝</b>流程

    背面涂敷工藝的影響

    一、概述 背面涂敷工藝是在背面涂覆一層特定的材料,以滿足封裝過程中的各種需求。這種
    的頭像 發表于 12-19 09:54 ?620次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>背面涂敷<b class='flag-5'>工藝</b>對<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>的影響

    詳解不同封裝工藝流程

    在本系列第七篇文章中,介紹了封裝的基本流程。本篇文章將側重介紹不同
    的頭像 發表于 08-21 15:10 ?2948次閱讀
    詳解不同<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>級</b><b class='flag-5'>封裝</b>的<b class='flag-5'>工藝</b>流程
    主站蜘蛛池模板: 德阳市| 佛山市| 清镇市| 武胜县| 凤阳县| 肃宁县| 宝应县| 阳春市| 榕江县| 阿拉善右旗| 武城县| 自治县| 农安县| 奉新县| 龙门县| 中西区| 彰化县| 高阳县| 长沙市| 寻甸| 永清县| 呼图壁县| 延安市| 永善县| 威信县| 抚州市| 张家口市| 呼和浩特市| 青铜峡市| 鲜城| 巨鹿县| 彭水| 馆陶县| 永宁县| 城口县| 许昌县| 永新县| 海城市| 田东县| 桐柏县| 苏州市|