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面對(duì)Micro LED外延量產(chǎn)難題,愛思強(qiáng)如何破解?

DT半導(dǎo)體 ? 來源:LEDinside ? 2023-05-10 09:50 ? 次閱讀
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Micro LED技術(shù)的不斷突破,終端企業(yè)對(duì)Micro LED加持等種種積極信號(hào),都讓LED顯示行業(yè)對(duì)Micro LED的未來發(fā)展充滿了信心。

TrendForce集邦咨詢表示,看好Micro LED在頭戴式的AR穿透式智能眼鏡、穿戴式智能手表、車用智能駕駛座艙及透明顯示產(chǎn)品的發(fā)展,預(yù)估Micro LED芯片產(chǎn)值將從2022年的1,400萬美金,成長至2027年的12.4億美金,年復(fù)合成長率達(dá)150%。

當(dāng)下,Micro LED在上游外延材料制造環(huán)節(jié)仍面臨不小的阻礙,若要進(jìn)一步提升Micro LED外延的良率,降低生產(chǎn)成本,最終形成批量生產(chǎn),MOCVD設(shè)備性能是關(guān)鍵。在2023年集邦咨詢新型顯示產(chǎn)業(yè)研討會(huì)上,愛思強(qiáng)副總經(jīng)理方子文博士就如何實(shí)現(xiàn)Micro LED外延量產(chǎn)進(jìn)行了深入解析。

Micro LED外延量產(chǎn)三大難題

方子文博士表示,如今Micro LED具有各式各樣的轉(zhuǎn)移方式,轉(zhuǎn)移過程對(duì)Micro LED芯片良率有著嚴(yán)苛的要求,若上游的外延材料環(huán)節(jié)不能保持一個(gè)較高的良率,將會(huì)對(duì)Micro LED的后續(xù)制造帶來較大生產(chǎn)成本影響,阻礙Micro LED量產(chǎn)進(jìn)程。

若要保證外延片的良率,第一需要關(guān)注的就是缺陷密度,Micro LED外延片對(duì)缺陷密度較為嚴(yán)格,當(dāng)缺陷控制在0.1/cm2以下時(shí),外延生產(chǎn)良率才能夠得到保證,生產(chǎn)成本隨之也能得到控制。

第二是波長均勻性管理,方子文博士表示,要實(shí)現(xiàn)更好的均勻性,需更緊密的波長分布,目前行業(yè)大部分LED芯片廠商的分選波長范圍在3~4nm,而對(duì)于Micro LED而言,分選波長范圍應(yīng)在2~4nm之間。傳統(tǒng)的顯示類芯片制造依賴于外延后的分選工藝,分選出高度波長集中度的芯片。此類生產(chǎn)流程由于芯片尺寸的下降,已經(jīng)不適用于MicroLED的生產(chǎn)。適用MicroLED生產(chǎn)的MOCVD設(shè)備生產(chǎn)的外延片波長范圍需直接控制在2~4nm以內(nèi),其中包括外延片內(nèi),片間,以及爐間產(chǎn)出的所有外延面積。

從保障外延片品質(zhì)入手,提升Micro LED生產(chǎn)效率,降低生產(chǎn)成本外,應(yīng)用更大尺寸的外延片也是Micro LED成本考量的關(guān)鍵。傳統(tǒng)的LED行業(yè)普遍在4英寸,而Micro LED的生產(chǎn)工藝會(huì)擴(kuò)大到6乃至8英寸,更大的襯底尺寸可以更好控制Micro LED的成本。

因此,為適應(yīng)未來Micro LED的發(fā)展趨勢,助力成本的快速下降,目前愛思強(qiáng)對(duì)于MOCVD設(shè)備的研發(fā),均往可適配8英寸外延片生產(chǎn)去設(shè)計(jì)與考量。

雖Micro LED外延生產(chǎn)仍面臨難點(diǎn),但愛思強(qiáng)通過獨(dú)有的外延生產(chǎn)技術(shù)與最新的MOCVD設(shè)備,為Micro LED的批量生產(chǎn)提供了一個(gè)可行的方案。

基于行星式反應(yīng)技術(shù),打造Micro LED外延量產(chǎn)設(shè)備

方子文博士介紹,愛思強(qiáng)的行星式反應(yīng)技術(shù)(Planetary technology)結(jié)合了晶圓級(jí)控制和批量生產(chǎn)技術(shù),可以最低成本獲得高良率外延片。

具體而言,行星式反應(yīng)技術(shù)采用了水平流模型,可更容易控制外延片的波長均勻性,為了讓水平流模型有效控制多片外延片的生長,愛思強(qiáng)通過行星式反應(yīng)器大盤公轉(zhuǎn)、小盤自轉(zhuǎn)的方式把水平流模型拓展到多片機(jī)中。愛思強(qiáng)的MOCVD設(shè)備從而可具有單片機(jī)的優(yōu)質(zhì)外延波長均勻性管理與缺陷優(yōu)化,同時(shí)還具備多片機(jī)的生產(chǎn)成本優(yōu)勢。

基于行星式反應(yīng)技術(shù)平臺(tái),愛思強(qiáng)打造了兩款針對(duì)Micro LED生產(chǎn)的MOCVD設(shè)備:AIX G5+C以及今年初最新推出的G10-AsP。

AIX G5+C適配藍(lán)綠光Micro LED生產(chǎn)

AIX G5+C可更好地兼容藍(lán)綠光Micro LED的生產(chǎn),設(shè)備采用了8x6英寸或5x8英寸的配置,適應(yīng)各尺寸外延片生產(chǎn)。

對(duì)于波長均勻性問題,設(shè)備專有的行星式反應(yīng)器平臺(tái),配備C2C自動(dòng)卡匣晶圓傳輸技術(shù),能夠在外延過程中對(duì)薄膜表面溫度進(jìn)行晶圓級(jí)控制,精準(zhǔn)控制銦與多量子阱(MQW)的融合,幫助外延片實(shí)現(xiàn)更好的波長均勻性。

設(shè)備可將藍(lán)光外延片做到1.3nm的范圍內(nèi),綠光則可以做到1.5nm,轉(zhuǎn)換為4nm的情況下,產(chǎn)品良率可達(dá)到99.7%。方子文博士表示,AIX G5+C已可以做到一個(gè)穩(wěn)定的波長數(shù)據(jù),未來Micro LED外延的生產(chǎn)將全自動(dòng)化,且生產(chǎn)結(jié)果統(tǒng)一,無需分選環(huán)節(jié)。

對(duì)于外延缺陷管理問題,搭載的原位清潔技術(shù),和C2C晶圓自動(dòng)化傳輸技術(shù)能夠在外延片制作過程中確保無顆粒污染薄膜,降低缺陷密度。

G10-AsP針對(duì)紅光Micro LED研發(fā)

針對(duì)紅光Micro LED的量產(chǎn),愛思強(qiáng)推出同屬行星式反應(yīng)技術(shù)平臺(tái)的最新MOCVD設(shè)備產(chǎn)品G10-AsP,是業(yè)界首款全自動(dòng)AsP平臺(tái)。

設(shè)備同樣配備C2C自動(dòng)卡匣晶圓傳輸、原位清潔等技術(shù),對(duì)6英寸以及處理難度更高的8英寸紅光外延片均實(shí)現(xiàn)了優(yōu)質(zhì)的均勻性與缺陷管理。

成本方面也有明顯的優(yōu)化,作為一款全自動(dòng)設(shè)備,除更換零部件外,G10-AsP基本無需任何維護(hù),只要補(bǔ)給充足的外延制造材料,即可保持持續(xù)運(yùn)作,實(shí)現(xiàn)外延片的批量生產(chǎn),且相較上一代設(shè)備節(jié)省了30%以上的成本。

小結(jié)

對(duì)于Micro LED批量生產(chǎn)難題,愛思強(qiáng)給予了全新MOCVD設(shè)備方案,進(jìn)一步優(yōu)化外延片生產(chǎn)良率與成本,并已獲得了LED企業(yè)的認(rèn)可。

今年2月G10-AsP以及AIX G5+C設(shè)備已獲得ams OSRAM的驗(yàn)證,用于生產(chǎn)基于8英寸的Micro LED產(chǎn)品。外延片;華燦光電則采用愛思強(qiáng)的AIX 2800G4-TM 和 AIX G5+ C 兩款MOCVD設(shè)備,進(jìn)行Micro LED顯示技術(shù)的開發(fā)。

方子文博士表示,LED行業(yè)進(jìn)入到Micro LED這一新興市場,需要一個(gè)創(chuàng)新性的外延生產(chǎn)解決方案,愛思強(qiáng)對(duì)MOCVD設(shè)備的均勻性、重復(fù)性、缺陷管理以及生產(chǎn)成本管理進(jìn)行了升級(jí),并標(biāo)配了自動(dòng)化技術(shù),企業(yè)可直接導(dǎo)入進(jìn)行Micro LED的生產(chǎn)。未來,愛思強(qiáng)將繼續(xù)攻堅(jiān)Micro LED外延量產(chǎn)難題,助力Micro LED展現(xiàn)真正的價(jià)值。

審核編輯 :李倩

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原文標(biāo)題:面對(duì)Micro LED外延量產(chǎn)難題,愛思強(qiáng)如何破解?

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