女人荫蒂被添全过程13种图片,亚洲+欧美+在线,欧洲精品无码一区二区三区 ,在厨房拨开内裤进入毛片

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

基本半導體碳化硅MOSFET B1M160120HC可用于車載充電器的汽車功率模塊

2234303793 ? 來源:國芯思辰 ? 2023-05-11 10:28 ? 次閱讀

電動汽車的電動機是有源負載,其轉速范圍很寬,且在行駛過程中需要頻繁地加速和減速,工作條件比一般的調速系統要復雜,因此,其驅動系統是決定電動汽車性能的關鍵所在。

隨著電動汽車的發展,對電力電子功率驅動系統提出了更高的要求,即更輕、更緊湊、更高效、更可靠,本文重點提到基本半導體碳化硅MOSFET B1M160120HC助力車載充電器實現更快充電和更遠的續航里程。

b99c9e32-ef5e-11ed-90ce-dac502259ad0.png

B1M160120主要用于電動汽車的車載充電和高壓DCDC轉換,可提高能效并縮短電動汽車的充電時間,器件專用于大功率車載充電器,其更低的導通電阻使得碳化硅電力電子器件具有更小的導通損耗,從而能獲得更高的整機效率;以下是B1M160120HC的主要應用優勢:

1、B1M160120HC具有導通電阻低、開關損耗小的特點,可降低器件損耗,提升系統效率,更適合應用于高頻電路。

2、B1M160120HC具有超低內阻,可在大功率應用中降低模塊的冷卻要求。

3、B1M160120HC的結溫范圍為-55°~150°,即使在具挑戰性的、空間受限的汽車應用中也能確??煽啃?。

4、B1M160120HC可完全替代科銳C2M0160120D,提供TO-247-3封裝。

b9b2e67e-ef5e-11ed-90ce-dac502259ad0.png

綜上基本半導體的碳化硅MOSFET B1M160120HC完全可以用于車載充電器的汽車功率模塊設計方案,國芯思辰擁有完整的供應鏈和全面設計支持,可以提供優良的碳化硅產品,該產品價格也非常有優勢。

審核編輯 :李倩

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 電動汽車
    +關注

    關注

    156

    文章

    12393

    瀏覽量

    234316
  • 功率模塊
    +關注

    關注

    11

    文章

    532

    瀏覽量

    45852
  • 車載充電器
    +關注

    關注

    2

    文章

    258

    瀏覽量

    24563

原文標題:基本半導體碳化硅MOSFET B1M160120HC可用于車載充電器的汽車功率模塊

文章出處:【微信號:國芯思辰,微信公眾號:國芯思辰】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    基本碳化硅B3M040120Z在40KW充電樁電源模塊中的應用優勢分析

    傾佳電子(Changer Tech)-專業汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC
    的頭像 發表于 06-19 16:50 ?112次閱讀
    基本<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>B3M</b>040120Z在40KW<b class='flag-5'>充電</b>樁電源<b class='flag-5'>模塊</b>中的應用優勢分析

    基本半導體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領域的應用

    。其中,關斷損耗(Eoff)作為衡量器件開關性能的重要指標,直接影響著系統的效率、發熱和可靠性。本文將聚焦于基本半導體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性,深入探討其技術優勢及在電力電子領域的廣泛應用。 傾佳電子楊茜致力于推
    的頭像 發表于 06-10 08:38 ?123次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>碳化硅</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 的 Eoff 特性及其在電力電子領域的應用

    碳化硅MOSFET全橋模塊在出口型高端逆變焊機中的應用技術優勢

    傾佳電子(Changer Tech)-專業汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC
    的頭像 發表于 06-09 17:22 ?141次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>全橋<b class='flag-5'>模塊</b>在出口型高端逆變焊機中的應用技術優勢

    熱泵與空調全面跨入SiC碳化硅功率半導體時代:能效革命與產業升級

    傳統IGBT,成為高效節能解決方案的核心引擎。這場變革不僅意味著能效的躍升,更將重塑產業競爭格局。 傾佳電子(Changer Tech)-專業汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅
    的頭像 發表于 06-09 07:07 ?157次閱讀
    熱泵與空調全面跨入SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導體</b>時代:能效革命與產業升級

    國產SiC碳化硅功率半導體企業引領全球市場格局重構

    SiC碳化硅MOSFET國產化替代浪潮:國產SiC碳化硅功率半導體企業引領全球市場格局重構 1
    的頭像 發表于 06-07 06:17 ?224次閱讀

    國產SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器(APF)中的革新應用

    傾佳電子(Changer Tech)-專業汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC
    的頭像 發表于 05-10 13:38 ?213次閱讀
    國產SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>在有源濾波器(APF)中的革新應用

    基本半導體碳化硅功率器件亮相PCIM Europe 2025

    近日,全球電力電子領域的“頂流”盛會——PCIM Europe 2025在德國紐倫堡會展中心盛大開幕?;?b class='flag-5'>半導體攜全系列碳化硅功率器件及門極驅動解決方案盛裝亮相,并隆重發布新一代碳化硅
    的頭像 發表于 05-09 09:19 ?352次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導體</b>攜<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b>器件亮相PCIM Europe 2025

    基本半導體碳化硅(SiC)MOSFET低關斷損耗(Eoff)特性的應用優勢

    BASiC基本股份半導體碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低關斷損耗(Eoff)特性,在以下應用中展現出顯著優勢: 傾佳電子(Changer Tech)-專業汽車連接器及
    的頭像 發表于 05-04 09:42 ?225次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)<b class='flag-5'>MOSFET</b>低關斷損耗(Eoff)特性的應用優勢

    全球功率半導體變革:SiC碳化硅功率器件中國龍崛起

    SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊,助力電力電子行業自主可控和產業升級! 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET
    的頭像 發表于 03-13 00:27 ?215次閱讀

    5G電源應用碳化硅B3M040065Z替代超結MOSFET

    碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊,助力電力電子行業自主可控和產業升級! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET
    的頭像 發表于 02-10 09:37 ?360次閱讀
    5G電源應用<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>B3M</b>040065Z替代超結<b class='flag-5'>MOSFET</b>

    碳化硅半導體中的作用

    電導率、高熱導率、高抗輻射能力、高擊穿電場和高飽和電子漂移速度等物理特性。這些特性使得碳化硅能夠承受高溫、高壓、高頻等苛刻環境,同時保持較高的電學性能。 二、碳化硅半導體器件中的應用 功率
    的頭像 發表于 01-23 17:09 ?1195次閱讀

    40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN!

    BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導體
    發表于 01-22 10:43

    產SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業儲能變流器PCS中的應用

    *附件:國產SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業儲能變流器PCS中的應用.pdf
    發表于 01-20 14:19

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    氧化層?如何測試碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?”讓我們一起跟隨基本半導體市場部總監魏煒老師的講解,揭開這一技術領域的神秘面紗。
    發表于 01-04 12:37

    基本半導體碳化硅MOSFET通過車規級認證,為汽車電子注入新動力

    近日,中國半導體行業的佼佼者——基本半導體公司,再次在科技領域邁出堅實步伐。該公司自主研發的1200V 80mΩ碳化硅MOSFET AB2
    的頭像 發表于 06-26 17:58 ?1262次閱讀
    主站蜘蛛池模板: 乌拉特前旗| 靖安县| 凉山| 阿拉善盟| 保定市| 华宁县| 夏津县| 南充市| 永康市| 双流县| 镇原县| 多伦县| 阿城市| 舟曲县| 宣化县| 兴化市| 芮城县| 凤台县| 金寨县| 郓城县| 京山县| 沅陵县| 年辖:市辖区| 英吉沙县| 西盟| 承德县| 高阳县| 图木舒克市| 平顺县| 静宁县| 洛川县| 聂荣县| 广州市| 文登市| 德惠市| 盐山县| 贡嘎县| 达孜县| 嘉鱼县| 泰州市| 云林县|