編者按
中國科學院大學集成電路學院是國家首批支持建設的示范性微電子學院。為了提高學生對先進光刻技術的理解,本學期集成電路學院開設了《集成電路先進光刻技術與版圖設計優(yōu)化》研討課。在授課過程中,除教師系統(tǒng)地講授外,學生還就感興趣的課題做深入調研。師生共同討論調研報告,實現(xiàn)教學互動。調研的內容涉及光刻工藝、光刻成像理論、SMO、OPC和DTCO技術。
考慮到這些內容也是目前業(yè)界關注的實用技術,征得教師和學生的同意,本公眾號將陸續(xù)展示一些學生的調研結果。這些報告還很初步,甚至有少許謬誤之處,請業(yè)界專家批評指正。
以下為報告PPT:
審核編輯:湯梓紅
-
集成電路
+關注
關注
5420文章
12008瀏覽量
367749 -
NAND
+關注
關注
16文章
1719瀏覽量
137946 -
3D
+關注
關注
9文章
2956瀏覽量
110439 -
微電子
+關注
關注
18文章
399瀏覽量
41788 -
光刻技術
+關注
關注
1文章
151瀏覽量
16154
原文標題:【Study】3D NAND沉積技術的特點及挑戰(zhàn)
文章出處:【微信號:光刻人的世界,微信公眾號:光刻人的世界】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
干貨!一文看懂3D NAND Flash


評論