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低噪聲Silent Switcher模塊和LDO穩壓器有助于改善超聲噪聲和圖像質量

星星科技指導員 ? 來源:ADI ? 作者:Yu Lu 和 Hugh Yu ? 2023-06-14 15:44 ? 次閱讀
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本文將簡要介紹超聲成像系統進行,并詳細分析超聲電源管理設計方面的一些挑戰和解決方案。文中主要討論了4個設計考慮因素:系統噪聲電平、開關噪聲、電磁干擾(EMI),以及與其電源相關的超聲散熱。本文還將說明Silent Switcher? μModule?模塊和低噪聲LDO技術如何幫助解決常見的問題并改善系統噪聲,提高圖像質量。

簡介

自2000年(GE)首次推出數字超聲技術以來,超聲市場發展迅速。超聲技術已從基于靜態轉向動態,并從黑白轉向彩色多普勒。隨著超聲應用越來越多,對組件的要求也不斷提高,例如與探頭、AFE和電源系統相關的要求。

在醫療診斷領域,越來越多的應用需要超聲成像系統輸出更高的圖像質量。提高圖像質量的關鍵技術之一是提高系統的信噪比(SNR)。下文將討論影響噪聲的不同因素,特別是電源。

超聲的工作原理是什么?

超聲系統由換能器、發射電路、接收電路、后端數字處理電路、控制電路和顯示模塊等組成。數字處理模塊通常包含現場可編程門陣列(FPGA),FPGA根據系統的配置和控制參數生成發射波束成形器及相應的波形圖案。然后,發射電路中的驅動和高壓電路生成高壓信號來激勵超聲換能器。超聲換能器通常采用PZT陶瓷制成。換能器將電壓信號轉換為超聲波進入人體,同時接收人體組織產生的回波。回波轉換成小電壓信號,并傳輸至發射/接收(T/R)開關。T/R開關的主要目的是防止高壓發射信號損壞低壓接收模擬前端。模擬電壓信號經過信號調理、放大和濾波后,傳輸至AFE的集成ADC,然后轉換成數字數據。數字數據通過JESD204B或LVDS接口發射到FPGA進行接收波束成形,然后發射到后端數字部分進一步處理,從而創建超聲圖像。

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圖1.超聲系統方框圖。

電源如何影響超聲系統?

從上述超聲架構來看,系統噪聲會受到許多因素的影響,如發射信號鏈、接收信號鏈、TGC增益控制、時鐘和電源。在本文中,我們將討論電源如何影響噪聲。

超聲系統提供不同類型的成像模式,每種成像模式對動態范圍有不同的要求。這也意味著,SNR或噪聲要求取決于不同的成像模式。黑白模式需要70 dB動態范圍,脈沖波多普勒(PWD)模式需要130 dB,連續波多普勒(CWD)模式需要160 dB。對于黑白模式,本底噪聲非常重要,它會影響在遠場能夠看到的最小超聲回波的最大深度,也就是穿透性,這是黑白模式的關鍵特性之一。對于PWD和CWD模式,1/f噪聲尤為重要。PWD和CWD圖像均包括1 kHz以下的低頻譜,相位噪聲會影響1 kHz以上的多普勒頻譜。由于超聲換能器頻率通常為1 MHz至15 MHz,因此該范圍內的任何開關頻率噪聲都會對其造成影響。如果PWD和CWD頻譜(從100 Hz至200 kHz)中存在互調頻率,多普勒圖像中將會出現明顯的噪聲頻譜,這在超聲系統中是不可接受的。

另一方面,通過考慮相同的因素,良好的電源可改善超聲圖像。設計人員為超聲應用設計電源時,應了解多個因素。

開關頻率

如前所述,必須避免將意外的諧波頻率引入采樣頻帶(200 Hz至100 kHz)。在電源系統中,很容易找到此類噪聲。

大多數開關穩壓器使用電阻來設置開關頻率。該電阻的誤差會在PCB上引入不同的開關標稱頻率和諧波。例如,在400 kHz DC/DC穩壓器中,1%精度電阻提供±1%誤差和4 kHz諧波頻率。更好的解決方案是選擇具有同步功能的電源轉換開關。外部時鐘將通過SYNC引腳向所有穩壓器發送信號,使所有穩壓器切換到相同頻率和相同相位下工作。

此外,出于EMI考量或更高的瞬態響應,一些穩壓器具有20%的可變開關頻率,這會導致400 kHz電源中產生0 kHz至80 kHz諧波頻率。恒頻開關穩壓器有助于解決這一問題。ADI的Silent Switcher穩壓器和μModule穩壓器系列具有恒定頻率開關功能,同時在不開啟擴頻的情況下,仍保持出色的EMI性能,以及出色的瞬態響應。

白噪聲

超聲系統中也有許多白噪聲源,這會導致超聲成像中出現背景噪聲。該噪聲主要來自信號鏈、時鐘和電源。

現在,在模擬處理組件的模擬電源引腳添加LDO穩壓器是常見的做法。ADI的下一代LDO穩壓器具有大約1 μV rms的超低噪聲,涵蓋200 mA至3 A的電流。電路和規格參數如圖2和圖3所示。

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圖3.下一代LT3073的低噪聲譜密度。

PCB布局

在設計超聲系統中的數據采集板時,通常需要考慮高電流電源部分和高度敏感的信號鏈部分之間的權衡。開關電源產生的噪聲很容易耦合到信號路徑走線中,并且很難通過數據處理去除。開關噪聲通常由開關輸入電容(圖4)以及上側或下側開關生成的熱回路產生。添加緩沖電路可幫助管理電磁輻射;但同時也會降低效率。即使在高開關頻率下,Silent Switcher架構也有助于提高EMI性能,并保持高效率。

手持式數字探頭

除了因吸收超聲而引起的發熱,換能器本身的溫度對換能器附近組織的溫度影響很大。通過向換能器施加電信號,可生成超聲脈沖。一些電能在元件、鏡頭和基底材料中耗散,導致換能器發熱。此外,對換能器頭中收到的信號進行電子處理也可能會產生電熱。從換能器表面排出熱量會使表面組織的溫度升高幾攝氏度。IEC標準60601-2-37(2007版)中指定了最大容許換能器表面溫度(TSURF)。1當換能器信號發射到空氣中時,最大容許換能器表面溫度為50°C;當發射到合適的假體時,該溫度為43°C。后一項限制意味著,皮膚溫度(通常為33°C)最高可升高10°C。在復雜的換能器中,換能器發熱是重要的設計考量,在一些情況下,這些溫度限制可能會有效約束能夠達到的聲輸出。

當換能器在空氣中運行時,安全標準IEC 60601-2-37(2007版)1將換能器表面的溫度限制到50°C以下,當換能器在33°C(對于外部應用的換能器)或37°C(對于內部換能器)與假體接觸時,該標準將其表面溫度限制到43°C以下。通常這些溫度限制(而不是對波束中最大強度的限制)約束了換能器的聲輸出。Silent Switcher設備將功率(具有最高3 MHz的寬開關帶寬)轉換到數字探頭的不同電壓域的效率最高。這意味著,功率轉換期間的功率損耗很低。這對冷卻系統大有幫助,因為沒有太多額外功率以熱量形式損耗。

Silent Switcher模式大有幫助

Silent Switcher μModule穩壓器技術是進行超聲電源軌設計時的明智選擇。引入該模塊技術是為了幫助改善EMI和開關頻率噪聲。傳統上,我們應該關注每個開關穩壓器在熱回路上的電路和布局設計。對于降壓電路,如圖4所示,熱回路包含輸入電容、頂部MOSFET、底部MOSFET,以及由走線、路由、邊界(bounding)等引起的寄生電感。

Silent Switcher模塊主要提供兩種設計方法:

第一,如圖4和圖5所示,通過創建反向的熱回路,由于雙向輻射,大多數EMI將被抵消。通過該方法,將優化輻射近20 dB。

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圖5.比較靜音開關和非靜音開關EMI性能。

第二,如圖6所示,Silent Switcher模塊不是直接在晶圓周圍綁定接線,而是采用銅柱倒裝芯片封裝,有助于減少寄生電感,優化尖峰和死區時間。

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圖6.與傳統綁定技術(LT8610)相比較的銅柱倒裝芯片封裝及其性能(LT8614)。

此外,如圖7所示,Silent Switcher技術提供高功率密度設計,并且能夠在小封裝中實現大電流能力,從而保持低θ JA,實現高效率(例如, LTM4638能夠在6.25 mm × 6.25 mm × 5.02 mm封裝中實現15 A)。

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圖7.Silent Switcher電源模塊封裝內視圖。

低頻噪聲 開關噪聲諧波 高散熱性能
架構 Silent Switcher 3設備中的超低噪聲基準 Silent Switcher技術與銅柱封裝 封裝中的Silent Switcher技術與散熱器
特性 在低f噪聲方面,性能與LDO穩壓器相同 低EMI,低開關噪聲

快速開關頻率,短死區
高功率密度

更小的熱阻
應用中的優勢 不再需要后置LDO穩壓器,同時保持相同的圖像質量 高頻率與高效率

更高的頻率,更小的濾波器尺寸
對于相同電流電平,最大程度減小降幅
開關頻率 控制模式 開關抖動 功率級架構 EMI 有效值噪聲
LTM8053-1 200 kHz 至 3 MHz 固定頻率峰值電流 Silent Switcher 2模塊 超低 0.8 μV rms(帶有 LT3045
LTM8060 200 kHz 至 3 MHz 固定頻率峰值電流 Silent Switcher 2模塊 超低 0.8 μV rms(帶有LT3045)
LT8625S 300 kHz 至 4 MHz 固定頻率峰值電流 Silent Switcher 3變換器 超低 4 μV rms(不帶LT3045)

此外,許多Silent Switcher μModule穩壓器也具有固定頻率、寬頻率范圍和峰值電流架構,從而實現低抖動和快速瞬態響應。該產品系列中的熱門產品參見表2。

結論

ADI的Silent Switcher電源μModule穩壓器模塊和LDO產品為超聲電源軌設計提供了完整的解決方案,盡可能減少了系統噪聲電平和開關噪聲。這有助于改善圖像質量,而且有助于限制溫度升高,并簡化PCB布局設計復雜性。

審核編輯:郭婷

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