LEAD-TECK領(lǐng)泰超高性價比LT領(lǐng)泰雙P電源MOS LT4953SQ參數(shù)介紹
LEAD-TECK領(lǐng)泰超高性價比LT領(lǐng)泰雙P電源MOS LT4953SQ參數(shù)介紹由技術(shù)選型代理商KOYUELEC光與電子，82542001為ODM/ODM提供技術(shù)選型方案應(yīng)用支持。
超高性價比領(lǐng)泰雙P電源MOS，LT4953SQ，-30V/5.1A/37mΩ，另還有13mΩ/18mΩ/27mΩ，PIN替換AP4953/TS4953/AO4805
Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
參數(shù)：
VDS = -30V,
I D = -5.1A
RDS(ON) @VGS= -10V, TYP 37mΩ
RDS(ON) @VGS= -4.5V, TYP 54mΩ
應(yīng)用：
負(fù)載開關(guān)
PWM應(yīng)用
A: RθJA的值是用安裝在2盎司的1/2的FR-4板上的設(shè)備來測量的。銅，在一個靜止的空氣環(huán)境中與TA=25°C。任何給定應(yīng)用程序中的值都取決于用戶的特定電路板設(shè)計。
B: 重復(fù)額定值，脈沖寬度受接結(jié)溫度的限制。
C: 電流額定值是基于t≤10s連接到環(huán)境熱阻額定值。
D: 脈沖測試：脈沖寬≤300μs，占空比≤2%。
審核編輯黃宇
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ID
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