MOS管具有三個內(nèi)在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點在MOS管的規(guī)格書中可以體現(xiàn)（規(guī)格書常用Ciss、Coss、Crss這三個參數(shù)代替）。MOS管之所以存在米勒效應(yīng)，以及ＧＳ之間要并電阻，其源頭都在于這三個寄生電容。

MOS管內(nèi)部寄生電容示意

IRF3205寄生電容參數(shù)

1.MOS管的米勒效應(yīng)

MOS管驅(qū)動之理想與現(xiàn)實

理想的MOS管驅(qū)動波形應(yīng)是方波，當(dāng)Cgs達(dá)到門檻電壓之后， MOS管就會進(jìn)入飽和導(dǎo)通狀態(tài)。而實際上在MOS管的柵極驅(qū)動過程中，會存在一個米勒平臺。米勒平臺實際上就是MOS管處于“放大區(qū)”的典型標(biāo)志，所以導(dǎo)致開通損耗很大。由此可見，米勒效應(yīng)是一個對電路不利的卻又客觀存在的現(xiàn)象，在設(shè)計電路時需要加以考慮。

米勒平臺形成的詳細(xì)過程：

MOS管開啟過程

將MOS管開啟時間分解：

t0→t1：當(dāng)GS兩端電壓達(dá)到門限電壓Vgs(th)的時候（可以理解為對Cgs進(jìn)行充電），MOS管開始導(dǎo)通，這之前MOS管處于截止區(qū)；

t1→t2：隨著Vgs繼續(xù)增大，Id開始增大，Vds開始下降，此時MOS管工作在飽和區(qū)（如何判斷是在飽和區(qū)？直接通過公式可知：Vds>Vgs-Vth，Vds-Id輸出特性曲線反著分析一遍），Id主要由Vgs決定，這個過程中Vds會稍微有點降低，主要是△I導(dǎo)致G極端一些寄生感抗等形成壓降；

t2→t3：Vgs增大到一定程度后，出現(xiàn)米勒效應(yīng)，Id已經(jīng)達(dá)到飽和，此時Vgs會持續(xù)一段時間不再增加，而Vds繼續(xù)下降，給Cgd充電，也正是因為需要給Cgd充電，所以Cgs兩端電壓變化就比較小（MOS管開通時，Vd>Vg，Cdg先通過MOS管放電，而后再反向充電，奪取了給Cgs的充電電流，造成了Vgs的平臺）；

t3→t4：Vgs繼續(xù)上升，此時進(jìn)入可變電阻區(qū)，DS導(dǎo)通，Vds降來下來（米勒平臺由于限制了Vgs的增加，也就限制了導(dǎo)通電阻的降低，進(jìn)而限制了Vds的降低，使得MOS管不能很快進(jìn)入開關(guān)狀態(tài)）。

2.MOS管G極與S極之間的電阻作用

反激電源圖：R3為GS電阻

用一個簡單的實驗證明GS間電阻的重要性：取一只mos管,讓它的G極懸空,然后在DS上加電壓,結(jié)果發(fā)現(xiàn)輸入電壓才三四十伏的時候,MOS管的DS就會直接導(dǎo)通，如果不限流則可能損壞。按說此時沒有驅(qū)動，MOS管不應(yīng)導(dǎo)通。但其實由于MOS管寄生電容的存在,當(dāng)在DS之間加電壓時，加在DS之間電壓會通過Cdg給Cgs充電,這樣G極的電壓就會抬高直到mos管導(dǎo)通。（假如采用變壓器驅(qū)動,變壓器繞組可以起到放電作用,所以即使不加GS電阻,在驅(qū)動沒有的情況下,管子也不會自己導(dǎo)通）

在GS之間并聯(lián)一個電阻（阻值約為幾K到幾十K），可以有效保障MOS管正常工作。首先，門極懸空時DS之間電壓不會導(dǎo)致MOS管導(dǎo)通損壞，同時在沒有驅(qū)動時能將MOS管的門極鉗在低位，不會誤動作，能可靠通斷。