寬禁帶材料是指禁帶寬度大于 2.3eV 的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料等最為常見，典型代表有碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，這些半導(dǎo)體材料也稱為第三代半導(dǎo)體材料。

寬禁帶半導(dǎo)體材料適合于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件，正在成為固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的重要材料，在半導(dǎo)體照明、新一代移動(dòng)通信、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。

寬禁帶半導(dǎo)體材料的表征，以載流子濃度及載流子遷移率為主，此外， 電阻率測(cè)試也很重要。

寬禁帶半導(dǎo)體材料測(cè)試難點(diǎn)在于

■寬禁半導(dǎo)體帶材料的帶隙較大，擊穿電場(chǎng)較高。需要上千伏高壓進(jìn)行測(cè)試。

■寬禁帶半導(dǎo)體材料是高流器件的制備材料，需要用到幾十安培的高流進(jìn)行測(cè)試。

■四線法及霍爾效應(yīng)測(cè)試均是加流測(cè)壓的過程，需要設(shè)備能輸出電流并且測(cè)試電壓。

■電阻率及電子遷移率通常范圍較大，需要電流電壓范圍都很大的設(shè)備。

■電流源和電壓表精度要高，保證測(cè)試的準(zhǔn)確性。

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