據(jù)悉，三星電子已針對(duì)其高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）內(nèi)存部門進(jìn)行重大改革，旨在提高公司在此項(xiàng)業(yè)務(wù)中的競(jìng)爭(zhēng)力。

據(jù)此，現(xiàn)有的DRAM設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)將主要負(fù)責(zé)HBM3E內(nèi)存的開(kāi)發(fā)和優(yōu)化，而今年三月份新設(shè)立的HBM產(chǎn)能與質(zhì)量提升團(tuán)隊(duì)則專攻下一代技術(shù)——HBM4。

該戰(zhàn)略的核心是由DRAM開(kāi)發(fā)副總裁黃成允領(lǐng)銜的全新HBM開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)，他們直接向存儲(chǔ)業(yè)務(wù)部總裁李禎培報(bào)告，同時(shí)三星已將部分人才調(diào)配至此。

作為AI計(jì)算芯片的重要組成部分，HBM內(nèi)存一直備受關(guān)注。HBM4內(nèi)存將在多方面做出創(chuàng)新，包括堆疊層數(shù)增加到12或16層，以及Base Die的定制化等，這些都將加大研發(fā)難度。

值得注意的是，SK海力士已經(jīng)將其HBM4內(nèi)存的12層堆疊版的量產(chǎn)時(shí)間提前到了2025年下半年，而三星電子則預(yù)計(jì)在2026年實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。

此次三星組建HBM4獨(dú)立團(tuán)隊(duì)，旨在解決內(nèi)存開(kāi)發(fā)難題，縮短開(kāi)發(fā)周期，從而在HBM4節(jié)點(diǎn)重新確立競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，并有望從SK海力士手中奪回市場(chǎng)份額。