51.在純電感電路中，電流應為()。A.i=u/XLB.i=u/ωL C.I=U/ωL D.I=ωLU

C

52.在純電容電路中，電流應為()。A.i=u/XCB.i=u/ωC C.I=U/ωC D.I=ωCU

D

53.電感線圈在直流電路中相當于()。A.電阻 B.導線C.電容 D.變壓器

B

54.三相交流電應滿足()。A.頻率相同、幅值相等，相位相差120°B.頻率相同，幅值不等，相位相差120°C.頻率不同，幅值相等，相位相差120°D.頻率不同，幅值不等，相位相差120°

A

55.對稱星形電源的線電壓是相電壓的()。A.3倍 B.√3倍 C.√2倍 D.50%

B

56.某交流電壓為u=380sin(314t+π/2)V，此交流電壓的有效值為()。A. 380/√3 V B.380/√2 V C.380V D.220V

B

57.三相電源的供電方式有()。A.5 種 B.2 種 C.3 種 D.4 種

C

58.三相電源的供電方式不包括()。A.三相六線制B.三相五線制C.三相四線制 D.三相三線制

A

59.星形連接的三相電源有時只引出3根端線，而不引出中線，這種供電方式稱為()。A.三相四線制 B.三相三線制 C.三相五線制 D.三相二線制

B

60.正弦交流電的解析式是用()來表示的。A.柱狀圖 B.數學式C.曲線圖 D.相量圖

B

61.已知兩個正弦量為u1=20sin(314t+π/6)V，u2=40sin(314t-π/3)V，則()。A.u1比u2超前π/6 B.u1比u2滯后π/6 C.u1比u2超前π/2 D.u1比u2滯后π/2

C

62.已知兩個正弦量為i1=10sin(314t+90°)A，i2=10sin(628t+30°)A，則()。A.i1比i2超前60°B.i1比 i2滯后60°C.i1與i2相位相同 D.不能判斷i1與i2的相位差

D

63.三相對稱負載接成三角形時，線電流等于()的相電流。A.3倍B.√3倍 C.1 倍 D.√2倍

B

64.三相對稱負載接成三角形時，若線電流為100A，則相電流為()。A.100√3A B.100/√3A C.100A D.100√2A

B

65.三相對稱負載接成星形時，線電壓等于()的相電壓。A.1倍 B.√2倍 C.√3倍 D.3倍

C

66.電路的組成有電源、用電器、導線、開關，其中()是把其他形式的能轉化為電能的裝置。A.電源 B.用電器C.導線 D.開關

A

67.電路的組成有電源、用電器、導線、開關，其中()用于連接電源與用電器，其作用是把電源產生的電能輸送到用電器。A.電源 B.用電器C.導線 D.開關

C

68.電路的組成有電源、用電器、導線、開關，其中()起到把用電器與電源接通或斷開的作用。A.電源 B.用電器 C.導線 D.開關

D

69.可控硅陰、陽極之間加上正向電壓而控制極不加電壓，此時可控硅處于()狀態。A.正向阻斷 B.反向阻斷 C.反向導通 D.正向導通

A

70.通常把正向重復峰值電壓和反向重復峰值電壓的()稱作可控硅的額定電壓。A.較大值 B.較小值 C.平均值 D.和

B

71.通態平均電壓值是衡量可控硅質量好壞的指標之一，其值()。A.越小越好 B.越大越好 C.適中為好 D.視可控硅的類型決定

A

72.在可控硅整流電路中，若用Um表示實際工作電壓的峰值，則可控硅的額定電壓應為()。A.Ue=Um B.Ue<(2~3)Um ?C.Ue=(5~10)Um ?D.Ue≥10Um

B

73.可控硅可控整流電路的共同特點是通過改變控制角α來改變導通角θ，以達到改變()的目的。A.交流輸出電壓 B.直流輸出電壓 C.交流輸出電流 D.直流輸出電流

B

74.單相半控橋式電感負載加續流二極管的整流電路，當控制角α等于60°時，通過續流二極管的電流平均值等于通過可控硅的電流()。A.最小值 B.最大值 C.平均值 D.絕對值

C

75.要想使正向導通著的普通可控硅關斷，只要()即可。A.斷開控制極 B.給控制極加反向電壓 C.使流過SLR的電流小于維持電流 D.觸發電壓

C

76.雙穩態觸發脈沖過窄，將會使電路出現()。A.空翻B.正常翻轉 C.觸發而不翻轉D.隨機翻轉

C

77.利用單結晶體管的()及電容的充、放電特性可組成單結晶體管自激振蕩電路。A.正阻特性 B.負阻特性 C.抗干擾特性 D.溫補特性

B

78.觸發器是一種具有兩種穩定狀態的電路,可以分別代表二進制數碼()。A.0和2 B.1和3 C.0和1 D.1和2

C

79.下列選項中，()是儲存數字信號的基本單元電路，是各種時序電路的基礎。A.與非門電路 B.或非門電路 C.觸發器 D.振蕩器

C

80.集成電路中具有記憶功能的是()。A.與非門電路 B.或非門電路 C.RS 觸發器 D.JK 觸發器

C

81.數字電路的工作信號是()。A.不連續的數字信號B.連續的數字信號C.不連續的模擬信號D.連續的模擬信號

A

82.現代的數字電路由()制成的若干數字集成器件構造而成。A.半導體工藝 B.精細工藝C.數字工藝 D.工程集成工藝

A

83.數字電路只有()。A.導通和關斷 B.串聯和并聯 C.高電平和低電平 D.飽和和截止

C

84.基本電路不包括()。A.與門電路 B.與非門電路 C.或門電路 D.非門電路

B

85.凡是把()的某個物理量用某種方法送回到輸入端就叫做反饋。A.輸入端B.輸出端C.正向端D.反向端

B

86.負反饋雖然使放大倍數()，但放大器的其他性能也得到改善。A.上升B.改變C.下降D.不變

C

87.所謂負反饋，是指返送回來的信號和輸入信號()相反。A.電壓 B.電流 C.相位 D.方向

C

88.電壓負反饋會使放大電路的輸出電阻()。A.變大 B.減小 C.為零 D.不變

B

89.負反饋按其與放大器輸出端的連接方式可分為()。A.電壓負反饋、電流負反饋 B.串聯負反饋、并聯負反饋 C.并聯負反饋、電壓負反饋 D.電流負反饋、串聯負反饋

A

90.負反饋按反饋信號與放大器輸入信號的連接方式可分為()。A.并聯負反饋、電流負反饋 B.電壓負反饋、串聯負反饋 C.電壓負反饋、電流負反饋D.串聯負反饋、并聯負反饋

D

91.負反饋放大器()的改善是以犧牲放大倍數為代價的。A.電流 B.電壓 C.性能 D.電阻值

C

92.負反饋愈深，放大器的穩定性()。A.愈好 B.愈差 C.一般 D.無影響

A

93.多級放大器的總電壓放大倍數等于各級放大電路電壓放大倍數之()。A.和B.差C.積D.商

C

94.在并聯電壓負反饋電路里，反饋電阻Rf的一端接在晶體管的()，另一端接在基極上。A.集電極 B.發射極C. 正極 D.負極

A

95.在并聯負反饋中，電壓負反饋是單級負反饋電路，電流負反饋是()負反饋電路。A.兩級 B.奇數級 C.單級 D.偶數級

A

96.并聯電壓負反饋電路的反饋信號應由奇數級的()取出。A.發射極 B.集電極C.基極 D.控制極

B

97.串聯負反饋電路將反饋信號接到晶體管的()。A.基極B.發射極C.集電極 D.旁路

B

98.在串聯負反饋中，電流負反饋是單級負反饋電路，()負反饋是兩級負反饋電路。A.電流 B.串聯 C.電壓 D.并聯

C

99.串聯電流負反饋電路的反饋信號應由奇數級的()取出。A.發射極 B.集電極 C.基極 D.控制極

A

100.場效應管柵-源極之間的PN結在反向偏置狀態下工作，柵-源極電阻RGS為()。A.100Ω B.1kΩ以上 C.1MΩ以上 D.100MΩ以上

D