三星HBM芯片遇阻英偉達測試
近日，三星電子最新的高帶寬內存（HBM）芯片在英偉達測試中遭遇挫折。據知情人士透露，芯片因發熱和功耗問題未能達標，影響到了其HBM3及下一代HBM3E芯片。
HBM3芯片作為當前AI GPU中最常用的第四代HBM標準，此次測試失敗無疑給三星帶來了不小的壓力。三星在聲明中表示，HBM作為定制產品，會根據客戶需求進行優化，并強調正在與客戶緊密合作，以期盡快解決問題。
然而，此次測試未達標無疑增加了業界和投資者的擔憂。有分析認為，三星在HBM領域可能進一步落后于競爭對手SK海力士和美光。如何迅速解決發熱和功耗問題，成為三星當前面臨的重大挑戰。
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