Q1:什么是NAND的塊(Block))?

每個Nand包含一個或多個Chip。Chip是可以獨立執(zhí)行命令并上報狀態(tài)的最小單元。

每個Chip包含一個或多個plane。不同的plane間可以并發(fā)操作，不過有一些限制。

每個plane包含多block，block是最小擦除單元（擦除后為全1，擦除失敗則判定為壞塊）。

每個block包含多個page+obb， page是最小的讀寫單元，其中obb（Out Of Band）也叫做空閑區(qū)域（spare area）/冗余區(qū)域（redundant area）確保數(shù)據(jù)的完整性和系統(tǒng)的穩(wěn)定性。這樣設(shè)計是為了保證數(shù)據(jù)的正確性，可以在obb區(qū)存儲校驗數(shù)據(jù)、標記壞塊、映射信息等

Q2:SD NAND產(chǎn)生壞塊的原因?

出廠時的壞塊。

操作過程中擦除失敗。

出現(xiàn)超出ECC校驗算法糾正能力的錯誤時，也認為出現(xiàn)了壞塊

電壓不穩(wěn)定或軟件操作錯誤。

物理損傷，如反復(fù)擦寫造成的物理損傷，超過擦寫壽命。

環(huán)境因素：溫度、濕度等環(huán)境因素也可能導致壞塊的產(chǎn)生。

Q3：SD NAND壞塊管理機制作用？

壞塊管理機制的主要作用是識別和處理NAND閃存中的物理壞塊，確保數(shù)據(jù)不會寫入這些不可用的存儲區(qū)域。一旦系統(tǒng)檢測到壞塊，系統(tǒng)會自動使用備用塊來替換，并更新映射表以避免使用這些壞，確保存儲設(shè)備的性能和可靠性，防止數(shù)據(jù)丟失或損壞。

Q4:如果使用中產(chǎn)生了壞塊，有什么補救措施呢？

如果使用過程中產(chǎn)生壞塊，SD NAND壞塊管理機制會對壞塊進行管理，如果是邏輯壞塊，可以通過格式化或固件更新來解決，如果是物理壞塊，一旦形成，無法恢復(fù)，最好的方式就是用壞塊管理功能來隔離壞塊。

Q5:壞塊管理機制的算法是如何實現(xiàn)的？

初始化掃描：在存儲器首次使用時進行全面掃描，標記所有已知的壞塊。

持續(xù)監(jiān)控：通過持續(xù)監(jiān)控數(shù)據(jù)錯誤率和性能指標來檢測新出現(xiàn)的壞塊。

錯誤校正碼（ECC）：使用ECC算法來檢測和修復(fù)數(shù)據(jù)錯誤，間接識別壞塊。

磨損均衡：通過算法將寫入操作均勻分布到存儲器上，減少特定區(qū)域的磨損。

Q6:壞塊管理算法對SD NAND的性能有什么影響？

有效的壞塊管理算法可以顯著提高SD NAND的性能和可靠性。通過及時識別和隔離壞塊，可以避免數(shù)據(jù)寫入到這些區(qū)域，減少錯誤率，提高數(shù)據(jù)訪問速度。

Q7:MK米客方德公司在SD NAND壞塊管理技術(shù)方面有哪些優(yōu)勢？

創(chuàng)新算法：開發(fā)了先進的算法，能夠快速準確地識別和隔離壞塊。

智能監(jiān)控系統(tǒng)：實現(xiàn)了智能監(jiān)控系統(tǒng)，實時檢測存儲器狀態(tài)，及時發(fā)現(xiàn)并處理壞塊。

高效ECC：采用高效的錯誤校正碼技術(shù)，提高數(shù)據(jù)的安全性和可靠性。

優(yōu)化的磨損均衡策略：通過優(yōu)化算法，實現(xiàn)存儲器的均勻磨損，延長使用壽命。

提供易于操作的用戶界面，使壞塊管理變得簡單直觀。

Q8: MK米客方德公司的SD NAND壞塊管理技術(shù)適用于哪些場景？

MK米客方德公司的SD NAND壞塊管理技術(shù)適用于多種場景，物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用、車載T-box、工業(yè)控制、醫(yī)療設(shè)備等，提供高可靠性的存儲解決方案，確保數(shù)據(jù)的完整性和系統(tǒng)的穩(wěn)定性。