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深入探討MK米客方德 SD NAND磨損均衡技術

MK米客方德 ? 2024-06-28 15:56 ? 次閱讀

什么是SD NAND?

SD NAND是一種創新的存儲芯片,可直接貼片,又名貼片式SD卡、貼片式TF卡、貼片式T卡、貼片式內存卡、SD Flash、NAND Flash等。它將傳統的TF卡技術轉變為可以直接貼片使用的芯片形式,為電子設備設計帶來了更多的靈活性和便利性。

上次MK給大家講解了MK SD NAND異常掉電保護機制,不少的工程師朋友們對此挺感興趣,今天再和大家聊一聊SD NAND內部的另外一個核心技術SD NAND:磨損均衡(Wear Leveling)。

SD NAND內部主要由NAND Flash和Flash Controller組成,大多數人把NAND FLASH叫做閃存,是一種長壽命的非易失性的存儲器,即使在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息。此外,SD NAND還在其內部集成了主控,用于完成擦寫均衡、壞塊管理、ECC校驗等功能。整體的架構如下所示。

wKgZomZ9GPWAPV9JAAA1PPMWSRI448.pngSD NAND整體架構

而磨損均衡 (Wear Leveling),就是讓SD NAND中的每個閃存塊的擦除都保持均衡。每一個閃存都是有壽命的,Nand Flash在架構上可以分為SLC、MLC和TLC。三者的區別如下:

SLC英文全稱為Single-Level Cell,即1bit/cell,每一個單位存儲一位數據。速度快壽命長,價格貴(約MLC的3倍以上的價格),約10萬次擦寫壽命。

MLC全稱為 Multi-Level Cell,即2bit/cell,每一個單位存儲二位數據。速度一般壽命一般,價格一般,約3000-10000次擦寫壽命。MLC通過使用大量的電壓等級,每個單元儲存二位數據,數據密度比較大。因此,MLC架構可以有比較好的儲存密度。

TLC全稱為 Trinary-Level Cell,即3bit/cell,也可以叫8LC,需要訪問的時間更長,因此傳輸速度更慢。TLC價格便宜,但是速度慢壽命短,約1000次擦寫壽命。

產品類型

容量

型號

工作溫度

尺寸

Flash類型

MKDN系列
(Nano SD NAND)

32GbitMKDN032GCL-AA

-25℃~85℃

9x12mm

MLC

32GbitMKDN032GIL-AA

-25℃~85℃

pSLC

64GbitMKDN064GCL-AA

-25℃~85℃

MLC

64GbitMKDN064GIL-ZA

-25℃~85℃

pSLC

128GbitMKDN128GCL-ZA

-25℃~85℃

TLC

256GbitMKDN256GCL-ZA

-25℃~85℃

TLC

512GbitMKDN512GCL-ZAA

-25℃~85℃

TLC

MKDV系列

1GbitMKDV1GCL-ABA

-25℃~85℃

6x8mm

SLC

2GbitMKDV2GCL-ABB

-25℃~85℃

SLC

4GbitMKDV4GCL-ABB

-25℃~85℃

SLC

1GbitMKDV1GIL-AST

-40℃~85℃

SLC

2GbitMKDV2GIL-AST

-40℃~85℃

SLC

4GbitMKDV4GIL-AST

-40℃~85℃

SLC

8GbitMKDV8GIL-AST

-40℃~85℃

SLC

32GbitMKDV032GCL-STP

-25℃~85℃

MLC

64GbitMKDV064GCL-STP

-25℃~85℃

MLC

如果用戶數據在某些閃存塊上頻繁的被使用,達到一定的寫入/擦除次數后,那么SD NAND就會英年早逝。相反,有了磨損平衡技術,每一個閃存塊都能雨露均沾,這樣就提高了產品的使用壽命。

wKgZomZ9GQGAJRALAAEzv7hiodw336.png

業界的磨損均衡算法,主要有動態磨損均衡和靜態磨損均衡。動態磨損平衡算法是把熱數據寫到年輕的塊上,即在拿一個新的閃存塊用來寫的時候,挑選擦寫次數小的;靜態磨損平衡算法是把冷數據寫到年老的塊上,即把冷數據搬到擦寫次數比較多的閃存塊上。兩者各有優缺點,MK SD NAND則是采用動態與靜態磨損結合的磨損均衡管理算法,實現最佳的均衡效果。

wKgaomZ9GQqAMBshAAGgexTPZkI238.png

MK是一家專注于嵌入式存儲的企業,研發中心設在臺灣,在深圳、香港、合肥設有營運據點。MK的產品涵蓋了各種主流的容量和接口,SD NAND、eMMC、存儲卡廣泛應用于工業、車載、醫療、電力、智能穿戴等領域,并可提供客制化的存儲解決方案。

wKgZomZ9GRGAXffSAAO0CF3bznM639.png

在存儲行業還有很多的知識、技術需要不斷的學習與沉淀,希望未來能夠和大家一起進步,探索存儲未知空間。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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