電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)在日前由TrendForce集邦咨詢主辦的MTS2025存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)研討會(huì)上,集邦分析師們都提到AI對(duì)存儲(chǔ)乃至半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的推動(dòng)。
集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理郭祚榮表示,AI應(yīng)用帶動(dòng)高效能運(yùn)算芯片需求發(fā)燒已持續(xù)近兩年,高算力應(yīng)用成為先進(jìn)制程及晶圓代工產(chǎn)業(yè)最大驅(qū)動(dòng)力。
自2025年起,除了AI芯片供貨商及CSPs自研芯片,內(nèi)存供貨商也因應(yīng)高算力需求,爭(zhēng)相尋求先進(jìn)制程晶圓代工伙伴合作;區(qū)域競(jìng)爭(zhēng)下更讓全球半導(dǎo)體格局發(fā)生重大變革,無(wú)論先進(jìn)工藝與封裝工藝都將是未來(lái)的致勝關(guān)鍵。
此外晶圓廠上中下游配套IP、設(shè)計(jì)服務(wù)及封測(cè)生態(tài)已成為AI領(lǐng)域競(jìng)賽的必要資源。除先進(jìn)制程的商機(jī)外,Edge AI是否能為需求沉寂已久的成熟制程注入新活力,2025年的晶圓代工產(chǎn)業(yè)在Cloud AI與Edge AI的發(fā)展下將如何變革成為關(guān)注焦點(diǎn)。
集邦咨詢研究經(jīng)理劉家豪認(rèn)為,明年服務(wù)器市場(chǎng)有所改善,隨著全球AI服務(wù)器市場(chǎng)對(duì)云端服務(wù)供貨商(CSPs)及品牌業(yè)者對(duì)AI基礎(chǔ)設(shè)施需求不斷增強(qiáng),預(yù)計(jì)2025年AI服務(wù)器的出貨量將持續(xù)攀升至約15%。
對(duì)于AI對(duì)內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的影響,TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷結(jié)合供給端和需求端、以及明年的市場(chǎng)展望,做了專業(yè)深入的分享。
供給端:HBM是否會(huì)供過(guò)于求?
從2024年內(nèi)存市場(chǎng)生產(chǎn)位元成長(zhǎng)Production bit growth的情況來(lái)看,預(yù)計(jì)三星明年的生產(chǎn)成長(zhǎng)14%,SK海力士接近30%,美光增長(zhǎng) 23%,NANYA增長(zhǎng)16%。DRAM產(chǎn)能方面,三星在今年年底會(huì)達(dá)到120K,2025年規(guī)劃達(dá)到170K。
HBM成為一大熱門內(nèi)存產(chǎn)品,吳雅婷分析,其中三星HBM產(chǎn)量占其總內(nèi)存產(chǎn)量的9%,SK海力士占比達(dá)14%,美光由于后段產(chǎn)能不多,因此明年總產(chǎn)出占比為6%。美光的HBM驗(yàn)證狀況穩(wěn)定,目前HBM產(chǎn)能不算太多,今年底25K,明年底45K,市場(chǎng)份額還遠(yuǎn)低于SK海力士和三星電子這兩家韓系廠商。
那么,對(duì)于明年HBM會(huì)否供過(guò)于求的問(wèn)題,吳雅婷表示,我們始終認(rèn)為明年HBM的需求非常旺盛,HBM的研發(fā)歷程以及良率提升的難度會(huì)遠(yuǎn)高于之前的產(chǎn)品,因此目前預(yù)測(cè)的成長(zhǎng)數(shù)字有可能會(huì)下修的。換言之,不會(huì)出現(xiàn)供過(guò)于求的情況。
吳雅婷指出,HBM的議價(jià)方式是一年一次,大約會(huì)在每年4月份發(fā)生,由于HBM還是比較熱門,因此整體來(lái)看明年HBM不太會(huì)有缺貨的情況,并且價(jià)格會(huì)持續(xù)上漲。
2024年HBM3的占比持續(xù)提升,而這個(gè)現(xiàn)象在明年會(huì)更加明顯,預(yù)計(jì)HBM3e在明年將占所有HBM產(chǎn)出的85%。
三星HBM給英偉達(dá)的供貨主要是配合H20,目前GB200還沒(méi)有應(yīng)用,此外三星HBM也為谷歌供貨。SK海力士在今年下半年主力提供HBM給英偉達(dá)H200、GB200產(chǎn)品。美光HBM供應(yīng)在明年主要集中在MI325和GB300。
2024年的內(nèi)存供應(yīng),一方面是全球DRAM產(chǎn)能沒(méi)有增加,而HBM快速滲透,HBM相比于DDR5需要用到更多wafer,因此影響內(nèi)存供應(yīng)量,從而帶動(dòng)內(nèi)存價(jià)格上漲。
另一方面,疫情之后整個(gè)智能手機(jī)的出貨量增速放緩,2024年由于內(nèi)存價(jià)格上漲,各家廠商在手機(jī)中增加更多內(nèi)存的意愿降低。若明年增長(zhǎng),則寄希望于AI手機(jī)的普及帶動(dòng)單機(jī)搭配容量的上升。
吳雅婷指出,明年LPDDR5將成為主流,其中LPDDR5在智能手機(jī)上的占比會(huì)提升到55%。
需求端:AI LPDDR 和 AI Server DRAM高成長(zhǎng)
通用型Server DRAM 和 Mobile DRAM需求量占比最高,但AI LPDDR 和 AI Server DRAM成長(zhǎng)性更好,正在成為市場(chǎng)下一個(gè)引領(lǐng)力量。
至于為何AI用LPDDR5越來(lái)越多,吳雅婷解釋說(shuō),英偉達(dá)的Grace CPU制造工藝是用onboard的方式打在板子上,后續(xù)英偉達(dá)會(huì)將LPDDR5X以模組形式出貨。預(yù)測(cè)算明年LPDDR5X 在 AI Server上的成長(zhǎng)率會(huì)超過(guò)40%。同時(shí),這將排擠 LPDDR5應(yīng)用于智能手機(jī)的出貨量。總體,明年LPDDR5的價(jià)格表現(xiàn)會(huì)比LPDDR4更有支撐度。
HBM需求方面,英偉達(dá)仍然是最大采購(gòu)客戶,今年占比達(dá)58%,明年預(yù)計(jì)是73%。在HBM價(jià)格堅(jiān)挺,如若有價(jià)格弱化的情況也主要是BM2e或HBM3。隨著HBM3E的持續(xù)滲透,明年有望占比超過(guò)8成。價(jià)格方面,HBM3e 12hi以每字節(jié)的價(jià)格來(lái)看,相比8hi的產(chǎn)品價(jià)格要貴10%到 15%。
集邦咨詢認(rèn)為明年HBM的產(chǎn)品均價(jià)成長(zhǎng)會(huì)接近18%,當(dāng)然并非每家廠商都有如此增長(zhǎng),要視廠商拿到的英偉達(dá)份額多少來(lái)看。
值得注意的是LPDDR的價(jià)格有向下的趨勢(shì),過(guò)去兩三季度智能手機(jī)廠商積極消化庫(kù)存,采購(gòu)LPDDR4、LPDDR5意愿不強(qiáng),不過(guò)隨著庫(kù)存水位的下降,有望在明年一季度開始暢旺地采購(gòu),從而拉動(dòng)LPDDR的價(jià)格。
明年內(nèi)存行情如何?
吳雅婷表示,預(yù)計(jì)2025年DRAM產(chǎn)值仍創(chuàng)歷史新高,主要原因是HBM這一高價(jià)產(chǎn)品的滲透率提升。總體上明年供給位元成長(zhǎng)25%,需求成長(zhǎng)23%,因此每一家供應(yīng)商對(duì)于明年的產(chǎn)能規(guī)劃需要非常謹(jǐn)慎。
2025年HBM占內(nèi)存整體市場(chǎng)份額接近9%,但由于價(jià)格高,對(duì)整個(gè)營(yíng)收貢獻(xiàn)達(dá)34%,甚至40%。如果DRAM價(jià)格跌幅進(jìn)一步加深,HBM的占比相應(yīng)會(huì)提高。而幾家內(nèi)存大廠的獲利情況要視其在HBM上的競(jìng)爭(zhēng)力以及HBM的供給量而定。
價(jià)格方面,2024年第四季度,終端廠商一直庫(kù)存去化,造成一般型DRAM(Conventional DRAM)價(jià)格下降,每季大概下跌3%到8%,即便加上HBM 7個(gè)季度的表現(xiàn),整體的DRAM價(jià)格仍有1%到 5%的下跌。明年上半年,因?yàn)橄M(fèi)型需求沒(méi)有大回溫的跡象,需求仍比較弱,整體的價(jià)格主要靠HBM支撐,預(yù)計(jì)整體DRAM在明年一季度的下跌會(huì)到10%,第二季度、第三季度跌幅縮小。
如若Conventional DRAM 的需求減少的同時(shí),供應(yīng)商壓縮產(chǎn)能,那么明年下半年情況可能會(huì)有所改變。預(yù)計(jì)第三季、第四季整體 DRAM 的價(jià)格上漲。
Mobile DRAM方面,LPDDR4X和LPDDR5X市場(chǎng)表現(xiàn)不同,LPDDR4X供應(yīng)量大,隨著智能手機(jī)向 LPDDR5遷移,LPDDR4的價(jià)格走勢(shì)面臨挑戰(zhàn)。而LPDDR5X在AI上應(yīng)用越來(lái)越廣泛,表現(xiàn)更穩(wěn)健。
HBM3e依舊是明年的重點(diǎn),占比到80%以上,尤其在12hi的產(chǎn)品,至于三大廠商的市場(chǎng)份額競(jìng)爭(zhēng),還得看部分廠商在英偉達(dá)的推進(jìn)進(jìn)度。
總體上,AI、通用服務(wù)器的內(nèi)存需求表現(xiàn)良好,期待消費(fèi)電子的需求增長(zhǎng),同時(shí)內(nèi)存廠商調(diào)控Conventional DRAM的產(chǎn)能需因時(shí)而動(dòng)。
集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理郭祚榮表示,AI應(yīng)用帶動(dòng)高效能運(yùn)算芯片需求發(fā)燒已持續(xù)近兩年,高算力應(yīng)用成為先進(jìn)制程及晶圓代工產(chǎn)業(yè)最大驅(qū)動(dòng)力。
自2025年起,除了AI芯片供貨商及CSPs自研芯片,內(nèi)存供貨商也因應(yīng)高算力需求,爭(zhēng)相尋求先進(jìn)制程晶圓代工伙伴合作;區(qū)域競(jìng)爭(zhēng)下更讓全球半導(dǎo)體格局發(fā)生重大變革,無(wú)論先進(jìn)工藝與封裝工藝都將是未來(lái)的致勝關(guān)鍵。
此外晶圓廠上中下游配套IP、設(shè)計(jì)服務(wù)及封測(cè)生態(tài)已成為AI領(lǐng)域競(jìng)賽的必要資源。除先進(jìn)制程的商機(jī)外,Edge AI是否能為需求沉寂已久的成熟制程注入新活力,2025年的晶圓代工產(chǎn)業(yè)在Cloud AI與Edge AI的發(fā)展下將如何變革成為關(guān)注焦點(diǎn)。
集邦咨詢研究經(jīng)理劉家豪認(rèn)為,明年服務(wù)器市場(chǎng)有所改善,隨著全球AI服務(wù)器市場(chǎng)對(duì)云端服務(wù)供貨商(CSPs)及品牌業(yè)者對(duì)AI基礎(chǔ)設(shè)施需求不斷增強(qiáng),預(yù)計(jì)2025年AI服務(wù)器的出貨量將持續(xù)攀升至約15%。
對(duì)于AI對(duì)內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的影響,TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷結(jié)合供給端和需求端、以及明年的市場(chǎng)展望,做了專業(yè)深入的分享。
供給端:HBM是否會(huì)供過(guò)于求?
從2024年內(nèi)存市場(chǎng)生產(chǎn)位元成長(zhǎng)Production bit growth的情況來(lái)看,預(yù)計(jì)三星明年的生產(chǎn)成長(zhǎng)14%,SK海力士接近30%,美光增長(zhǎng) 23%,NANYA增長(zhǎng)16%。DRAM產(chǎn)能方面,三星在今年年底會(huì)達(dá)到120K,2025年規(guī)劃達(dá)到170K。
HBM成為一大熱門內(nèi)存產(chǎn)品,吳雅婷分析,其中三星HBM產(chǎn)量占其總內(nèi)存產(chǎn)量的9%,SK海力士占比達(dá)14%,美光由于后段產(chǎn)能不多,因此明年總產(chǎn)出占比為6%。美光的HBM驗(yàn)證狀況穩(wěn)定,目前HBM產(chǎn)能不算太多,今年底25K,明年底45K,市場(chǎng)份額還遠(yuǎn)低于SK海力士和三星電子這兩家韓系廠商。
那么,對(duì)于明年HBM會(huì)否供過(guò)于求的問(wèn)題,吳雅婷表示,我們始終認(rèn)為明年HBM的需求非常旺盛,HBM的研發(fā)歷程以及良率提升的難度會(huì)遠(yuǎn)高于之前的產(chǎn)品,因此目前預(yù)測(cè)的成長(zhǎng)數(shù)字有可能會(huì)下修的。換言之,不會(huì)出現(xiàn)供過(guò)于求的情況。
吳雅婷指出,HBM的議價(jià)方式是一年一次,大約會(huì)在每年4月份發(fā)生,由于HBM還是比較熱門,因此整體來(lái)看明年HBM不太會(huì)有缺貨的情況,并且價(jià)格會(huì)持續(xù)上漲。
2024年HBM3的占比持續(xù)提升,而這個(gè)現(xiàn)象在明年會(huì)更加明顯,預(yù)計(jì)HBM3e在明年將占所有HBM產(chǎn)出的85%。
三星HBM給英偉達(dá)的供貨主要是配合H20,目前GB200還沒(méi)有應(yīng)用,此外三星HBM也為谷歌供貨。SK海力士在今年下半年主力提供HBM給英偉達(dá)H200、GB200產(chǎn)品。美光HBM供應(yīng)在明年主要集中在MI325和GB300。
2024年的內(nèi)存供應(yīng),一方面是全球DRAM產(chǎn)能沒(méi)有增加,而HBM快速滲透,HBM相比于DDR5需要用到更多wafer,因此影響內(nèi)存供應(yīng)量,從而帶動(dòng)內(nèi)存價(jià)格上漲。
另一方面,疫情之后整個(gè)智能手機(jī)的出貨量增速放緩,2024年由于內(nèi)存價(jià)格上漲,各家廠商在手機(jī)中增加更多內(nèi)存的意愿降低。若明年增長(zhǎng),則寄希望于AI手機(jī)的普及帶動(dòng)單機(jī)搭配容量的上升。
吳雅婷指出,明年LPDDR5將成為主流,其中LPDDR5在智能手機(jī)上的占比會(huì)提升到55%。
需求端:AI LPDDR 和 AI Server DRAM高成長(zhǎng)
通用型Server DRAM 和 Mobile DRAM需求量占比最高,但AI LPDDR 和 AI Server DRAM成長(zhǎng)性更好,正在成為市場(chǎng)下一個(gè)引領(lǐng)力量。
至于為何AI用LPDDR5越來(lái)越多,吳雅婷解釋說(shuō),英偉達(dá)的Grace CPU制造工藝是用onboard的方式打在板子上,后續(xù)英偉達(dá)會(huì)將LPDDR5X以模組形式出貨。預(yù)測(cè)算明年LPDDR5X 在 AI Server上的成長(zhǎng)率會(huì)超過(guò)40%。同時(shí),這將排擠 LPDDR5應(yīng)用于智能手機(jī)的出貨量。總體,明年LPDDR5的價(jià)格表現(xiàn)會(huì)比LPDDR4更有支撐度。
HBM需求方面,英偉達(dá)仍然是最大采購(gòu)客戶,今年占比達(dá)58%,明年預(yù)計(jì)是73%。在HBM價(jià)格堅(jiān)挺,如若有價(jià)格弱化的情況也主要是BM2e或HBM3。隨著HBM3E的持續(xù)滲透,明年有望占比超過(guò)8成。價(jià)格方面,HBM3e 12hi以每字節(jié)的價(jià)格來(lái)看,相比8hi的產(chǎn)品價(jià)格要貴10%到 15%。
集邦咨詢認(rèn)為明年HBM的產(chǎn)品均價(jià)成長(zhǎng)會(huì)接近18%,當(dāng)然并非每家廠商都有如此增長(zhǎng),要視廠商拿到的英偉達(dá)份額多少來(lái)看。
值得注意的是LPDDR的價(jià)格有向下的趨勢(shì),過(guò)去兩三季度智能手機(jī)廠商積極消化庫(kù)存,采購(gòu)LPDDR4、LPDDR5意愿不強(qiáng),不過(guò)隨著庫(kù)存水位的下降,有望在明年一季度開始暢旺地采購(gòu),從而拉動(dòng)LPDDR的價(jià)格。
明年內(nèi)存行情如何?
吳雅婷表示,預(yù)計(jì)2025年DRAM產(chǎn)值仍創(chuàng)歷史新高,主要原因是HBM這一高價(jià)產(chǎn)品的滲透率提升。總體上明年供給位元成長(zhǎng)25%,需求成長(zhǎng)23%,因此每一家供應(yīng)商對(duì)于明年的產(chǎn)能規(guī)劃需要非常謹(jǐn)慎。
2025年HBM占內(nèi)存整體市場(chǎng)份額接近9%,但由于價(jià)格高,對(duì)整個(gè)營(yíng)收貢獻(xiàn)達(dá)34%,甚至40%。如果DRAM價(jià)格跌幅進(jìn)一步加深,HBM的占比相應(yīng)會(huì)提高。而幾家內(nèi)存大廠的獲利情況要視其在HBM上的競(jìng)爭(zhēng)力以及HBM的供給量而定。
價(jià)格方面,2024年第四季度,終端廠商一直庫(kù)存去化,造成一般型DRAM(Conventional DRAM)價(jià)格下降,每季大概下跌3%到8%,即便加上HBM 7個(gè)季度的表現(xiàn),整體的DRAM價(jià)格仍有1%到 5%的下跌。明年上半年,因?yàn)橄M(fèi)型需求沒(méi)有大回溫的跡象,需求仍比較弱,整體的價(jià)格主要靠HBM支撐,預(yù)計(jì)整體DRAM在明年一季度的下跌會(huì)到10%,第二季度、第三季度跌幅縮小。
如若Conventional DRAM 的需求減少的同時(shí),供應(yīng)商壓縮產(chǎn)能,那么明年下半年情況可能會(huì)有所改變。預(yù)計(jì)第三季、第四季整體 DRAM 的價(jià)格上漲。
Mobile DRAM方面,LPDDR4X和LPDDR5X市場(chǎng)表現(xiàn)不同,LPDDR4X供應(yīng)量大,隨著智能手機(jī)向 LPDDR5遷移,LPDDR4的價(jià)格走勢(shì)面臨挑戰(zhàn)。而LPDDR5X在AI上應(yīng)用越來(lái)越廣泛,表現(xiàn)更穩(wěn)健。
HBM3e依舊是明年的重點(diǎn),占比到80%以上,尤其在12hi的產(chǎn)品,至于三大廠商的市場(chǎng)份額競(jìng)爭(zhēng),還得看部分廠商在英偉達(dá)的推進(jìn)進(jìn)度。
總體上,AI、通用服務(wù)器的內(nèi)存需求表現(xiàn)良好,期待消費(fèi)電子的需求增長(zhǎng),同時(shí)內(nèi)存廠商調(diào)控Conventional DRAM的產(chǎn)能需因時(shí)而動(dòng)。
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發(fā)表于 02-28 00:07
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市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)集邦科技對(duì)HBM(高帶寬存儲(chǔ)器)的長(zhǎng)期發(fā)展持樂(lè)觀態(tài)度。據(jù)其預(yù)測(cè),明年HBM3e將占據(jù)整體HBM
三星電子HBM3E內(nèi)存獲英偉達(dá)認(rèn)證,加速AI GPU市場(chǎng)布局
近日,知名市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce在最新發(fā)布的報(bào)告中宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展:三星電子的HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品已成功通過(guò)英偉達(dá)驗(yàn)證,并正式開啟出貨流程。具體而言,三星的HBM3E 8Hi
DDR5內(nèi)存面臨漲價(jià)潮,存儲(chǔ)巨頭轉(zhuǎn)向HBM生產(chǎn)
產(chǎn)能布局,將大量資源轉(zhuǎn)向生產(chǎn)面向AI需求的高頻寬內(nèi)存(HBM),導(dǎo)致DDR5等常規(guī)內(nèi)存規(guī)格的生產(chǎn)量急劇減少。
三星量產(chǎn)最薄LPDDR5X內(nèi)存,技術(shù)再突破
三星電子今日正式宣告,其業(yè)界領(lǐng)先的超薄LPDDR5X內(nèi)存封裝技術(shù)已進(jìn)入量產(chǎn)階段,再次引領(lǐng)內(nèi)存技術(shù)潮流。此次推出的LPDDR5X內(nèi)存封裝,以驚
Introspect DDR5/LPDDR5總線協(xié)議分析儀
ATE,它降低了成本,增強(qiáng)了DDR5系統(tǒng)的互操作性。
DDR5/LPDDR5發(fā)射機(jī)測(cè)試,LPDDR5/LPDDR5X Protocol An
發(fā)表于 08-06 12:03
三星開始量產(chǎn)其最薄LPDDR5X內(nèi)存產(chǎn)品,助力端側(cè)AI應(yīng)用
低功耗內(nèi)存市場(chǎng)的地位。 三星LPDDR5X DRAM 憑借在芯片封裝領(lǐng)域豐富的技術(shù)經(jīng)驗(yàn),三星可提供超薄的LPDDR5X DRAM封裝,使移動(dòng)設(shè)備
新品迅為RK3588-LPDDR5核心板_LPDDR4x與LPDDR5的區(qū)別
架構(gòu)與通信方式:LPDDR4x 采用了16n的通信方式(n為數(shù)據(jù)位寬),而 LPDDR5 則引入了 32n的通信方式,可以提供更高的帶寬和性能。
頻率和時(shí)序:LPDDR5 相對(duì)于 LPDDR
發(fā)表于 07-17 10:13
被稱為“小號(hào)HBM”,華邦電子CUBE進(jìn)階邊緣AI存儲(chǔ)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)與AI訓(xùn)練以GPU搭配HBM不同,邊緣AI采用何種內(nèi)存方式,DDR、GDDR、LPDDR等適用于不同的場(chǎng)景。日
評(píng)論