背接觸(BC)太陽(yáng)能電池因其在短路電流密度(JSC)和功率轉(zhuǎn)換效率(PCE)方面的高上限而受到關(guān)注。結(jié)合硅異質(zhì)結(jié)(SHJ)、隧道氧化層鈍化接觸(TOPCon)和鈣鈦礦技術(shù)可以進(jìn)一步擴(kuò)展其效率優(yōu)勢(shì)。LONGi公司使用異質(zhì)結(jié)背接觸(HBC)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了27.30%的世界紀(jì)錄效率。本研究運(yùn)用簡(jiǎn)化復(fù)合模型展開(kāi)模擬分析,對(duì)異質(zhì)結(jié)背接觸(HBC)太陽(yáng)能電池的周長(zhǎng)復(fù)合予以重新界定。最先進(jìn)的HBC太陽(yáng)能電池

HBC太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)和電氣性能與復(fù)合參數(shù)的關(guān)系
HBC 太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu):包括前窗口、HSC、ESC、Gap 等區(qū)域。
HSC/Gap邊界的橫截面SEM圖像,呈現(xiàn)出該邊界處的結(jié)構(gòu)特征,直觀展示了由于制備工藝導(dǎo)致的結(jié)構(gòu)變化。通過(guò)模擬得到的PCE(功率轉(zhuǎn)換效率)、pFF(偽填充因子)和VOC(開(kāi)路電壓)作為兩個(gè)復(fù)合參數(shù)(J01和J02)的函數(shù)。白色虛線表示在固定J01 = 1 fA?cm?2時(shí),每個(gè)參數(shù)對(duì)J02的依賴性。J02在優(yōu)異表面鈍化狀態(tài)下對(duì)電氣性能的顯著影響,并且隨著J02的降低,PCE、pFF和VOC逐漸飽和。創(chuàng)新表征方法的開(kāi)發(fā)

一種測(cè)量HBC太陽(yáng)能電池不同區(qū)域重組值的新方法

邊界模式中各種子樣本的面積和周長(zhǎng)值的匯總
單元結(jié)構(gòu)示意圖:n型c-Si作為基底,HSC(空穴選擇性接觸)和Gap區(qū)域交替排列在前側(cè),分別具有面積SHSC和SGap,以及兩個(gè)區(qū)域之間的邊界周長(zhǎng)LBound。整個(gè)背面準(zhǔn)備了歐姆接觸結(jié)構(gòu)以便于電流收集。
區(qū)域劃分:單元結(jié)構(gòu)被劃分為三個(gè)區(qū)域,即區(qū)域I(HSC/Gap邊界)、區(qū)域II(HSC區(qū)域)和區(qū)域III(Gap區(qū)域),分別對(duì)應(yīng)不同的復(fù)合電流IBound.、IHSC和IGap。
創(chuàng)新測(cè)試結(jié)構(gòu)呈現(xiàn):由9個(gè)子樣本組成的創(chuàng)新測(cè)試結(jié)構(gòu),這些子樣本排列成3列,標(biāo)記為1至9。隨著子樣本編號(hào)的增加,總面積基本不變,但邊界周長(zhǎng)逐漸減小。
光學(xué)圖像:展示了不同子樣本的HSC區(qū)域與Gap區(qū)域的排列和邊界周長(zhǎng)的變化。
激光消融圖案化:通過(guò)激光消融在兩種模式下(單次模式和重疊模式)實(shí)現(xiàn)恒定面積和不同邊界周長(zhǎng)的變化,使用脈沖綠皮秒激光進(jìn)行消融圖案化,光斑大小約為110×110 μm2,可以手動(dòng)控制重疊寬度,實(shí)驗(yàn)中設(shè)置為5 μm。HBC太陽(yáng)能電池和復(fù)合測(cè)試樣本的制造流程
所有 HBC 太陽(yáng)能電池和復(fù)合測(cè)試樣品均在LONGi特定規(guī)格(電阻率、厚度、晶向)的n型 M6 直拉單晶硅片上制備。HBC太陽(yáng)能電池的主要制造流程包括11個(gè)步驟,涉及化學(xué)氣相沉積(3步)、物理氣相沉積(1步)、濕化學(xué)清洗(3步)、激光圖案化(3步)和絲網(wǎng)印刷(1步)。
復(fù)合測(cè)試樣本與HBC太陽(yáng)能電池的制造流程一致:
首先,在雙面拋光晶片的一側(cè)沉積ESC和掩膜層;
其次,使用綠皮秒激光形成Boundary pattern,從交替的HSC區(qū)域移除掩膜層,并通過(guò)濕化學(xué)清洗過(guò)程蝕刻其他層,最終在Gap區(qū)域留下i/n-a-Si:H/SiNx堆疊層,同時(shí)暴露HSC區(qū)域的硅表面;
第三,沉積HSC和圖案化的透明導(dǎo)電氧化物(TCO)層,接著進(jìn)行絲網(wǎng)印刷、退火和光浸泡處理。HBC太陽(yáng)能電池的周界復(fù)合

HBC太陽(yáng)能電池周界復(fù)合的分析結(jié)果
不同區(qū)域?qū)嶒?yàn)與模擬結(jié)果相結(jié)合的主要參數(shù)總結(jié)
暗I-V曲線特征:展示了樣本 1(基線工藝)和樣本 2(工藝調(diào)整后的 HSC/Gap 邊界)的半對(duì)數(shù)暗I-V曲線。在中電壓區(qū)域(0.4 - 0.6V),電流值隨邊界周長(zhǎng)增加而不斷上升,這一趨勢(shì)表明邊界周長(zhǎng)對(duì)電流傳輸有著顯著影響,暗示周長(zhǎng)復(fù)合在該區(qū)域的重要性。
J02值作為周長(zhǎng)/面積比關(guān)系:隨著周長(zhǎng) / 面積比的增加,J02值也相應(yīng)增大。
樣本截距與斜率分析:樣本 1 和樣本 2 的截距基本接近 0,這意味著在這兩個(gè)樣本中,HSC 區(qū)域復(fù)合電流密度和 Gap 區(qū)域泄漏電流密度相對(duì)較小,對(duì)整體復(fù)合電流的貢獻(xiàn)有限。
電池制備與性能測(cè)量:按照樣本 1 和樣本 2 的工藝分別制備了兩批 HBC 太陽(yáng)能電池(Batch A 和 Batch B),并對(duì)其光電性能進(jìn)行了測(cè)量。
進(jìn)一步證實(shí)了該創(chuàng)新方法能夠準(zhǔn)確地反映周長(zhǎng)復(fù)合對(duì)電池性能的影響。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)與理論模型的一致性充分證明了該方法的準(zhǔn)確性和可靠性,強(qiáng)調(diào)了控制周長(zhǎng)復(fù)合以提升電池性能的重要性。HBC太陽(yáng)能電池的結(jié)復(fù)合
HBC太陽(yáng)能電池結(jié)復(fù)合的分析結(jié)果
暗I-V曲線特征與周長(zhǎng)相關(guān)性:樣本3和樣本4的半對(duì)數(shù)暗I-V曲線,這些曲線顯示了在中等電壓區(qū)域(0.4-0.6 V)的電流值隨著邊界周長(zhǎng)的增加而增加,與之前周界復(fù)合的觀察結(jié)果相似。
斜率相同的意義:樣本3和樣本4的J0m值與周長(zhǎng)/面積比關(guān)系曲線中,兩者斜率基本相同(2.0-2.2nA?cm?1 ),這意味著在HSC/Gap邊界結(jié)構(gòu)方面,它們的周長(zhǎng)復(fù)合性質(zhì)相似,表明在這一結(jié)構(gòu)特征上兩者具有一致性。
表面殘留物的直觀展示:光學(xué)圖像清晰地展示了樣本3和樣本4的HSC區(qū)域表面形態(tài),樣本4中明顯存在更多的殘留物。
樣本4中HSC區(qū)域殘留物的高分辨率SEM圖像,這個(gè)圖像揭示了殘留物的微觀結(jié)構(gòu),這些殘留物可能是ESC和掩膜層,由于激光功率和形狀控制的不均勻性導(dǎo)致。HBC太陽(yáng)能電池的漏電流復(fù)合
HBC太陽(yáng)能電池漏電流復(fù)合的分析結(jié)果
Gap pattern的結(jié)構(gòu)示意圖:由多個(gè)不同直徑的圓盤(pán)組成,圓盤(pán)正面為特定的層結(jié)構(gòu),背面為歐姆接觸結(jié)構(gòu),且圓盤(pán)周邊是完全絕緣的。這一結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)用于監(jiān)測(cè) Gap 區(qū)域的泄漏電流。
暗I-V曲線:樣本 6 在正向和反向偏壓下均處于高電流狀態(tài),與樣本 5 形成鮮明對(duì)比,表明樣本 6 存在較大的泄漏電流。這一差異可能源于Gap區(qū)域絕緣層失效或圓盤(pán)周邊導(dǎo)電層重疊等問(wèn)題。
邊界圖案與 Gap 圖案對(duì)比:將采用與樣本 6 相同工藝制備的邊界圖案的半對(duì)數(shù)暗I-V曲線與 Gap 圖案的曲線進(jìn)行對(duì)比,發(fā)現(xiàn)在中電壓區(qū)域,Gap 圖案的泄漏電流完全主導(dǎo),與常規(guī) HBC 太陽(yáng)能電池的預(yù)期行為有很大差異。
電池性能下降分析:基于樣本5和樣本6的工藝制備了兩批HBC太陽(yáng)能電池(Batch C 和 Batch D),其光電性能測(cè)量結(jié)果顯示,PCE從 26.17% 平均下降到 25.51%(下降了 0.66% abs),主要是由于Rsh顯著降低導(dǎo)致pFF從 86.13%下降到 84.10%,而其他參數(shù)受影響較小。
本文的研究不僅揭示了HSC區(qū)域結(jié)復(fù)合的復(fù)雜性,而且還識(shí)別了Gap區(qū)域漏電流復(fù)合的風(fēng)險(xiǎn),這對(duì)于太陽(yáng)能電池的穩(wěn)定性和安全性至關(guān)重要。強(qiáng)調(diào)了在太陽(yáng)能電池制造過(guò)程中對(duì)周界復(fù)合和漏電流復(fù)合進(jìn)行優(yōu)化的必要性,這對(duì)于推動(dòng)BC太陽(yáng)能電池技術(shù)的發(fā)展和實(shí)現(xiàn)更高效率的太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換具有重要意義。美能3D共聚焦顯微鏡
美能3D共聚焦顯微鏡ME-PT3000,運(yùn)用尖端的光學(xué)技術(shù),可以非常精確地測(cè)量光伏電池片上的陡峭斜面和復(fù)雜的表面結(jié)構(gòu),實(shí)時(shí)提供詳盡的高度和寬度分布數(shù)據(jù)。
- 精確可靠的3D測(cè)量,實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)共聚焦顯微圖像
- 超高共聚焦鏡頭,Z軸顯示分辨率可達(dá)1nm
- 198-39966倍最大綜合倍率,精確測(cè)量亞微米級(jí)形貌
全自動(dòng)光柵絨面測(cè)量,快速生成數(shù)據(jù)
美能3D共聚焦顯微鏡的集成為我們提供了深入洞察HBC太陽(yáng)能電池微觀結(jié)構(gòu)和表面特性的能力。通過(guò)這種高精度的成像技術(shù),我們能夠精確測(cè)量和分析電池的柵線輪廓、絨面結(jié)構(gòu)以及潛在的缺陷,這些都是影響電池性能的關(guān)鍵因素。
原文出處:Accurately quantifying the recombination pathways unique in back contact solar cells;https://doi. org/10.1016/j.solmat.2024.113277
*特別聲明:「美能光伏」公眾號(hào)所發(fā)布的原創(chuàng)及轉(zhuǎn)載文章,僅用于學(xué)術(shù)分享和傳遞光伏行業(yè)相關(guān)信息。未經(jīng)授權(quán),不得抄襲、篡改、引用、轉(zhuǎn)載等侵犯本公眾號(hào)相關(guān)權(quán)益的行為。內(nèi)容僅供參考,若有侵權(quán),請(qǐng)及時(shí)聯(lián)系我司進(jìn)行刪除。
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