高電流密度IGBT模塊LE2 200A/650V

JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊，采用溝槽柵場終止技術IGBT7芯片，帶熱敏電阻（NTC）和可選 PressFIT壓接針腳技術。

此款IGBT模塊推薦用于有源電力濾波器（Active Power Filter，簡稱APF）及其他三電平應用。APF可廣泛應用于工業、商業和機關團體的配電網中，如：電力系統、電解電鍍企業、水處理設備、石化企業、大型商場及辦公大樓、精密電子企業、機場港口的供電系統、醫療機構等。

產品系列：

● JL3I200V65RE2PN

● JL3I150V65RE2PN

● JL3I100V65RE2PN

產品特點

優異的導通和開關損耗

同類最佳封裝，優化外殼結構，更長的爬電距離

采用ZTA基板，更低的結殼熱阻，更強的可靠性

模塊雜散電感極低

優化接線端子，在大電流下更低的端子溫升

可選PressFIT針腳和焊接針

應用價值

出色的模塊效率

提高功率密度

系統成本更具優勢

提高系統效率

緊湊型設計

競爭優勢

● 相同封裝拓撲下，最大電流能力能達到200A，同時相應的FRD為滿配，最大電流能力也能達到200A，使應用端更具產品優勢。

流滿配，更適合儲能應用。

●新芯片技術可降低導通和開關損耗，從而提高效率。

應用領域

●SVG

● APF

● 其他三電平應用

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About us

金蘭功率半導體（無錫）有限公司成立于2021年，系無錫新潔能股份有限公司（股票代碼：605111）子公司，致力于功率半導體模塊的研發與制造，應用市場覆蓋汽車、光伏及工業等領域。

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