前言

想用FPGA去控制一個器件，首先要學會閱讀器件的數(shù)據(jù)手冊，去了解器件的功能和使用方法。下面就來梳理一下IS42R16320D的數(shù)據(jù)手冊里面本案例會用到的部分。

SDRAM時鐘

IS42R16320D時鐘支持最高200M，也就是其讀寫速度不能超過200M，案例里面我們選擇100M時鐘進行讀寫操作。

IS42R16320D在時鐘上升沿進行數(shù)據(jù)捕獲。

SDRAM容量

DE2-115配備2片IS42S16320器件

2片* 210列* 213行* 4 bank * 16bit=2 * 32M * 16bit=2 * 64MB=128MB

DE10-Standard配備1片IS42S16320器件

210列 * 213行 * 4 bank * 16bit=32M * 16bit=64MB

DE1-SOC配備1片IS42S16320器件

210列 * 213行*4 bank * 16bit=32M * 16bit=64MB

注：16bit代表每個存儲單元位寬是16bit。

IS42R16320D功能框圖

IS42R16320D的引腳功能描述：

備注：

RASCASWE組合起來作為命令控制SDRAM的具體操作。

DQML和DQMH是數(shù)據(jù)輸入輸出掩碼，IS42R16320D數(shù)據(jù)輸入輸出一次是16bit，有的時候只需要取高字節(jié)8位或者低字節(jié)8位的時候，就可以通過這兩個信號線來控制哪個字節(jié)有效。注意DQM在寫操作時是立即生效，DQM在讀操作時是2個時鐘周期后生效。

SDRAM的命令控制

在了解IS42R16320D命令控制之前可以先參考普通SRAM讀寫控制原理：

下圖為32KByte容量的SRAM結(jié)構(gòu)示意圖，該SRAM有8位行地址，譯碼后生成 256根（2的8次方）行地址線，列地址線為7位，譯碼后生成128根（2的7次方）列地址線。

對SRAM進行讀操作時，0E#和CS#為低電平，WE#為高電平，G1輸出低電平將輸入控緩沖器關(guān)閉，G2輸出高電平將輸出緩沖器打開，通過行列地址線選中的存儲單元數(shù)據(jù)經(jīng)I/0和輸出緩沖器，最后從I/0[0:7]輸出，如下圖：

對SRAM進行寫操作時，WE#和CS#為低電平，0E#為高電平，G1輸出高電平將輸入緩沖器打開，G2輸出低電平將輸出緩沖器關(guān)閉，I/0[0:7]上的輸出經(jīng)輸出緩沖器和內(nèi)部I/0總線，最后寫入行列地址選中的存儲空間中。

SDRAM的讀寫控制跟SRAM讀寫控制類似，但是因為SDRAM行列地址復用，支持突發(fā)讀寫等等，SDRAM的讀寫控制會更復雜一些，它主要由RASCASWE等信號組合起來作為命令控制SDRAM完成各項操作。

控制SDRAM的常用命令有：

以上表格參考IS42R16320D數(shù)據(jù)手冊第9頁：

下面結(jié)合IS42R16320D數(shù)據(jù)手冊給出的命令發(fā)送時序圖詳細介紹SDRAM 的各項常見操作。

上電后SDRAM器件要先初始化之后才能正常工作。不同型號的SDRAM器件其初始化要求可能不同，詳細要看對應的 datasheet。

IS42R16320D的初始化過程是至少等待200us（用于等待power和時鐘穩(wěn)定），然后進行1次預充電（對所有bank）和8次自動刷新操作，然后設置模式寄存器。其時序圖如下：

其中預充電命令發(fā)送以后要經(jīng)過tRP時間才能完成預充電操作，自動刷新命令發(fā)送以后要經(jīng)過tRC時間才能完成自動刷新操作，模式寄存器設置命令發(fā)送以后要經(jīng)過tMRD時間才能完成寄存器設定。以上命令發(fā)送后的等待時間以及最初的200us延遲時間內(nèi)，只有NOP命令有效。

其實把這個時序簡化一下就是這樣：

IS42R16320D數(shù)據(jù)手冊第19頁可以看到，tRP時間是2-3個時鐘周期，頻率高一點（200MHz）至少要3個周期，頻率低一點（133MHz）至少要2個周期，為了保險，在寫Verilog代碼的時候時間可以設定比這個長一點。比如本案例跑100M，一個時鐘周期是10ns，那么預充電等待時間可以設定為2個時鐘周期以上。

根據(jù)如下IS42R16320D數(shù)據(jù)手冊截圖可知tRP時間是2-3個時鐘周期，本案例代碼里面設定等待20個時鐘周期；

tRC時間是8-10個時鐘周期，本案例代碼里面設定等待20個時鐘周期；

tMRD時間是2個時鐘周期，本案例代碼里面設定等待20個時鐘周期；

tRCD時間是2-3個時鐘周期，本案例代碼里面設定等待3個時鐘周期。

1. 預充電

由于 SDRAM 的尋址具有獨占性，所以在進行完讀寫操作后，如果要對同一 L-Bank 的另一行進行尋址，就要將原來有效(工作)的行關(guān)閉重新發(fā)送行/列地址。L-Bank 關(guān)閉現(xiàn)有工作行，準備打開新行的操作就是預充電(Precharge)。

預充電時可以是對指定bank操作，也可以是對所有bank操作。通過地址線A10和BANK線BA0、BA1來決定。如果是對指定BANK操作時，A10設置為0，并由BA0、BA1指定某一BANK。如果是對所有BANK操作，A10設置為1即可。

SDRAM在初始化階段要進行一次預充電操作。這個操作是對所有BANK進行的操作。

預充電要等待tRP時間。

預充電命令CSRASCAS組合是010。

自動預充電

可設置讓芯片每次讀寫操作后，自動進行預充電（在發(fā)送讀寫命令時通過A10信號線設置）。這樣設計時無需要關(guān)心，只需要等待幾個時間周期即可。

注意，突發(fā)模式下，當突發(fā)長度為全頁時不支持自動預充電命令。

2.自動刷新

由于cell的電容很小，并且CMOS晶體管在關(guān)閉的時候，也存在漏電，這樣電容上的電荷也在隨著時間的變化，逐漸變少。時間一長，存儲的信息就會丟失。為了解決這一問題，具體做法是對于每個單元行，每過一段時間就進行讀取，等放大器暫存好信息后就立刻將其寫回行。IS42R16320D數(shù)據(jù)手冊第一頁提到每64ms內(nèi)就要對cell陣列進行一次全面刷新。

自動刷新要等待tRC時間。

自動刷新命令RASCASWE組合是001。

自動刷新期間不能做其他操作。

區(qū)別于自刷新（SELF REFRESH），這個是在SDRAM休眠下為確保數(shù)據(jù)不丟失的自動操作。在發(fā)出自動刷新命令時，將CKE置于無效狀態(tài)，就進入了自刷新模式，此時不再依靠系統(tǒng)時鐘工作，而是根據(jù)內(nèi)部的時鐘進行刷新操作。在自刷新期間除了CKE之外，所有外部信號也都是無效的(無需外部提供刷新指令)，只有重新使CKE有效才能退出自刷新模式并進入正常工作狀態(tài)。

3. 模式寄存器設置

SDRAM芯片內(nèi)部有一個邏輯控制單元，這個控制單元的相關(guān)控制參數(shù)是由MR(Mode Regisister模式寄存器)提供，SDRAM芯片每次進行初始化時都要將重新寫MR。MR 中設置了 SDRAM 的運行模式：包括突發(fā)長度(BL)、突發(fā)類型(Burst Type)、CAS 延遲(CAS Latency)、運行方式(Operating Mode)和寫入突發(fā)模式。

將上面表格翻譯下如下：

突發(fā) burst長度

突發(fā)(Burst)是指在同一行中相鄰的存儲單元連續(xù)進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆绞健Ｖ恍枰谛屑せ詈螅o出一次讀寫命令和列起始地址以及突發(fā)長度，就開始讀/寫一定長度數(shù)據(jù)，列地址自動遞增。

連續(xù)傳輸所涉及到存儲單元(列)的數(shù)量就是突發(fā)長度(BurstLengths，簡稱 BL)。常見的突發(fā)長度是 1、2、4、8和全頁（全頁指的是一整行，比如IS42R16320D一個bank的一行是1024個存儲單元，那么全頁就是1024個）。

突發(fā)讀寫完或者提前結(jié)束突發(fā)讀寫時，需要發(fā)送突發(fā)停止命令(BURST TERMINATE)，或者發(fā)送預充電命令(PRECHARGE)。

本案例設置突發(fā)長度是全頁，A0A1A2設定為111。

突發(fā)類型

突發(fā)類型也叫突發(fā)傳輸方式，IS42R16320D突發(fā)類型支持順序傳輸和交錯傳輸。順序傳輸就是連續(xù)地、依次地讀后面的幾個存儲單元，交錯傳輸就是隔一個讀一個。

本案例設置為順序傳輸（只有順序傳輸支持全頁的突發(fā)長度），A3設置為0。

CAS潛伏期

在讀命令發(fā)送了列地址后，數(shù)據(jù)并不是馬上到達數(shù)據(jù)總線，而是要經(jīng)過一段潛伏期，一般為2到3個時鐘周期，注意潛伏期不是延遲，潛伏期是發(fā)送列地址后數(shù)據(jù)已經(jīng)有效，只是還沒有達到一定的高度，或者說是信號不夠強，要經(jīng)過一定的放大才能輸出，所以說潛伏期不是延遲。

只有讀操作時存在CAS潛伏期。

本案例設置CAS為3，A6A5A4設置為011。

突發(fā)操作模式

操作模式可以分為突發(fā)讀/突發(fā)寫，或者是突發(fā)讀/單一寫等。

突發(fā)讀就是在讀命令發(fā)送了起始列地址，在讀取第一個數(shù)據(jù)之后，如果想讀取這個存儲單元后面的存儲單元的數(shù)據(jù)的話，就不必再次發(fā)送行列地址了，他會自動的讀取接下來的數(shù)據(jù)，至于讀幾個存儲單元，就涉及到突發(fā)長度，比如若設置的是全頁的方式，就是將這一行上的數(shù)據(jù)一連串的全部讀出或?qū)懭搿?/p>

本案例設置為突發(fā)讀和突發(fā)寫，A9設置為0。

設置模式寄存器操作要等待tMRD時間，一般是2個時鐘周期。

模式寄存器設置的命令RASCASWE組合是000。

4. 激活

初始化完成后，要想對某個bank進行讀寫操作之前，先要對這個bank中的陣列進行尋址，首先要確定行(Row)，使之處于活動狀態(tài)(Active)，然后再確定列。雖然之前要進行片選和L-Bank 的地址，但它們與行有效可以同時進行。

激活操作要等待tRCD時間，一般是2-3個時鐘周期，本案例設置為3個時鐘周期（SC_RCD=3）。

激活命令RASCASWE組合是011。

5. 讀寫操作

行地址確定之后，就要對列地址進行尋址了。在SDRAM中，行地址與列地址線是共用的，列地址線是 A0-A10。讀/寫命令是通過WE#信號的狀態(tài)去區(qū)分的，當WE#為低電平有效時是寫命令，為高電平無效時是讀命令。列尋址信號與讀寫命令是同時發(fā)出的。雖然列地址線與行尋址共用，當CAS為有效電平時，地址線輸入的地址作為列地址；（當RAS有效時，地址線輸入的地址作為行地址）。列讀寫時序如圖所示。

本案例設置的是突發(fā)讀寫， 突發(fā)寫的時序圖如下：

突發(fā)讀的時序圖如下：