概述
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動切換至供電狀態、寫保護將無條件使能、防止數據被破壞。該器件沒有寫次數限制，可直接與微處理器接口、不需要額外的支持電路。
數據表：*附件：DS1265AB 8M非易失SRAM技術手冊.pdf
特性

• 在沒有外部電源的情況下最少可以保存數據10年
• 掉電期間數據被自動保護
• 沒有寫次數限制
• 低功耗CMOS操作
• 70ns的讀寫存取時間
• 第一次上電前，鋰電池與電路斷開、維持保鮮狀態
• ±10% VCC工作范圍(DS1265Y)
• 可選擇±5% VCC工作范圍(DS1265AB)
• 可選的-40°C至+85°C工業級溫度范圍，指定為IND
  引腳配置
  
  推薦的DC操作條件
  
  時序圖